公开(公告)号：KR100264109B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019950018716

申请日：1995-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  기무라요시오 ,  하세베게이죠 ,  나가시마신지 ,  셈바노리오 ,  이이다나루아키 ,  하라다고지 ,  우에다잇세이 ,  고니시노부오

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184

Abstract: 본 발명은, 복수매의 피처리체를 수용한 적어도 하나의 카세트를 얹어놓는 카세트 스테이션과, 피처리체에 처리를 하는 복수의 처리실 및 처리실에 피처리체를 반입하고, 처리실로 부터 피처리체를 반출하는 피처리체 반송수단을 포함하는 처리스테이션과, 카세트 스테이션과 처리스테이션과의 사이에서 피처리체를 주고 받는 제1의 피처리체 주고 받기 수단과, 피처리체를 대기시키는 피처리체 대기영역 및 처리스테이션과의 사이에서 피처리체의 주고 받기를 하는 제2의 피처리체 주고 받기 수단을 포함하는 인터페이스부를 가지며, 처리스테이션에 있어서의 처리실이 피처리체 반송수단의 둘레에 배치되어 있고, 피처리체 반송수단은 연직방향으로 거의 평행한 회전축을 가지며, 회전축을 따라서 연직방향으로 승강가능하며, 회전축에 대하여 회전 가능한 기판처리시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019960002497A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950018716

申请日：1995-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  기무라요시오 ,  하세베게이죠 ,  나가시마신지 ,  셈바노리오 ,  이이다나루아키 ,  하라다고지 ,  우에다잇세이 ,  고니시노부오

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은, 복수매의 피처리체를 수용한 적어도 하나의 카세트를 얹어 놓는 카세트 스테이션과, 피처리체에 처리를 복수의 처리실 및 처리실에 피처리체를 반입하고, 처리실로 부터 피처리체를 반출하는 피처리체 반송수단을 포함하는 처리 스테이션과, 카세트 스테이션과 처리 스테이션과의 사이에서 피처리체를 주고 받는 제1의 피처리체 주고 받기 수단과, 피처리체를 대기시키는 피처리체 대기영역 및 처리 스테이션과의 사이에서 피처리체의 주고 받기를 하는 제2의 피처리체 주고받기 수단을 포함하는 인텨페이스부를 가지며, 처리 스테이션에 있어서의 처리실이 피처리체 반송수단의 둘레에 배치되어 있고, 피처리체 반송수단은 연직방향으로 거의 평행한 회전축을 가지며, 회전축을 따라서 연직방향으로 승강가능하며, 회전축에 대하여 회전가 능한 기판처리 시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR100604018B1

公开(公告)日：2006-07-24

申请号：KR1020000033205

申请日：2000-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  고니시노부오 ,  미즈타니요지

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/6715

Abstract: 유기절연막 도포장치에서, 웨이퍼 상에 스핀코트(Spincoat)에 의하여 유기절연막을 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 가열 처리하여, 무기절연막도포장치에서 웨이퍼 상에 스핀코트에 의하여 무기절연막을 도포한다. 무기절연막 도포 후, 에이징 (AGING)처리 및 익스체인지(Exchange)용 약액 도포처리를 웨이퍼에 실시한다. 그 후, 저온가열처리장치 및 저산소 고온가열처리장치에서 도포막의 용매를 제거하여, 저산소큐어(Cure)·냉각처리장치에서 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 저온가열처리장치, 저산소 고온가열처리장치, 저온가열처리장치와 저산소 고온가열처리장치와의 사이에 웨이퍼의 전달부, 저산소 고온가열처리장치와 저산소큐어·냉각처리장치 사이의 웨이퍼 전달부를, 저산소 분위기라고 한다.

公开(公告)号：KR1020060054232A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020060031060

申请日：2006-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  고니시노부오 ,  미즈타니요지

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/6715

Abstract: 유기절연막 도포장치에서, 웨이퍼 상에 스핀코트(Spincoat)에 의하여 유기절연막을 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 가열 처리하여, 무기절연막 도포장치에서 웨이퍼 상에 스핀코트에 의하여 무기절연막을 도포한다. 무기절연막 도포 후, 에이징 (AGING)처리 및 익스체인지(Exchange)용 약액 도포처리를 웨이퍼에 실시한다. 그 후, 저온가열처리장치 및 저산소 고온가열처리장치에서 도포막의 용매를 제거하고, 저산소큐어(Cure)·냉각처리장치에서 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 저온가열처리장치, 저산소 고온가열처리장치, 저온 가열처리장치와 저산소 고온가열처리장치와의 사이에 웨이퍼의 전달부, 저산소 고온가열처리장치와 저산소큐어·냉각처리장치 사이의 웨이퍼 전달부를, 저산소 분위기로 한다.

公开(公告)号：KR100722585B1

公开(公告)日：2007-05-28

申请号：KR1020060031060

申请日：2006-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  고니시노부오 ,  미즈타니요지

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/6715

Abstract: 유기절연막 도포장치에서, 웨이퍼 상에 스핀코트(Spincoat)에 의하여 유기절연막을 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 가열 처리하여, 무기절연막 도포장치에서 웨이퍼 상에 스핀코트에 의하여 무기절연막을 도포한다. 무기절연막 도포 후, 에이징 (AGING)처리 및 익스체인지(Exchange)용 약액 도포처리를 웨이퍼에 실시한다. 그 후, 저온가열처리장치 및 저산소 고온가열처리장치에서 도포막의 용매를 제거하고, 저산소큐어(Cure)·냉각처리장치에서 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 저온가열처리장치, 저산소 고온가열처리장치, 저온 가열처리장치와 저산소 고온가열처리장치와의 사이에 웨이퍼의 전달부, 저산소 고온가열처리장치와 저산소큐어·냉각처리장치 사이의 웨이퍼 전달부를, 저산소 분위기로 한다.

公开(公告)号：KR100379651B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：KR1019970063352

申请日：1997-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고니시노부오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7688

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of forming an organic insulating film of a low dielectric constant on a surface of a silicon wafer, forming a photoresist film on the organic insulating film, exposing the photoresist film to light to form a pattern, reacting a silicon containing compound with the photoresist film pattern-exposed to silylate a light exposed portion of the photoresist film, thereby making etching resistance of the light-exposed portion higher than a non-light-exposed portion of the photoresist film, and performing reactive ion etching using a silylated photoresist film as a mask, thereby dry-developing the non light-exposed portion of the photoresist film simultaneously with etching the organic insulating film.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在硅晶片的表面上形成低介电常数的有机绝缘膜，在有机绝缘膜上形成光致抗蚀剂膜，将光致抗蚀剂膜曝光以形成图案， 使含硅化合物与曝光的光致抗蚀剂膜反应以使光致抗蚀剂膜的曝光部分甲硅烷基化，由此使曝光部分的抗蚀刻性高于光致抗蚀剂膜的非曝光部分， 使用甲硅烷基化的光致抗蚀剂膜作为掩模进行离子蚀刻，由此在蚀刻有机绝缘膜的同时干燥显影光致抗蚀剂膜的未曝光部分。

公开(公告)号：KR100493132B1

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：KR1019980051267

申请日：1998-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고니시노부오 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/027

Abstract: 레지스트막의 형성방법은, (a) 기판상에 레지스트막을 형성하는 공정과, (b) 상기 공정(a)에서 형성된 레지스트막의 표층부를 제거하여, 레지스트막의 막두께를 상기 공정(a)의 그것보다도 얇게 하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100430461B1

公开(公告)日：2004-08-09

申请号：KR1019980031132

申请日：1998-07-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고니시노부오 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B05C11/08 ,  B05D1/005 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3057

Abstract: A liquid film formation apparatus comprises a substrate holding portion for holding a substrate substantially horizontally so as to allow a pattern-to-be-formed surface to face upward, a liquid-receiving base surrounding the substrate held by the substrate holding portion and having a liquid-receiving face which is placed at substantially the same level as that of an upper surface of the substrate, a supply nozzle having a process-liquid spray section whose length is equal to or longer than the width of an effective region of the substrate, and a moving mechanism for moving the supply nozzle in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the supply nozzle, in which the substrate holding portion seals a slit formed between the liquid-receiving base and the outer peripheral portion of the substrate so as not to leak out the process solution from the slit, and the process solution is supplied from the supply nozzle to the liquid-receiving base to mount the process solution on the liquid-receiving base, and the process solution is subsequently mounted over an entire surface of the substrate by spraying the process solution from the supply nozzle while moving the supply nozzle.

Abstract translation: 本发明提供一种液膜形成装置，其特征在于，具备：基板保持部，其使基板大致水平地保持，使图案形成面朝上;受液基台，其包围被基板保持部保持的基板， 液体接收面，其设置在与基板的上表面大致相同的水平面上;供给喷嘴，其具有长度等于或大于基板的有效区域的宽度的处理液喷射部; 以及使供给喷嘴在与供给喷嘴的长度方向垂直的方向上移动的移动机构，其中基板保持部密封形成在液体接收基座和基板的外周部之间的狭缝，从而不会 从狭缝中泄漏处理溶液，并且处理溶液从供给喷嘴供给到液体接收基座以安装处理溶液 然后通过在移动供给喷嘴的同时从供给喷嘴喷射处理溶液而将处理溶液安装在基板的整个表面上。

公开(公告)号：KR100398957B1

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1019980048129

申请日：1998-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고니시노부오 ,  이와시타미츠아키

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B49/16 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 본 발명은, 장치의 소형화를 달성할 수 있고, 연마량의 부분적인 조절을 행할 수 있는 연마장치 및 방법을 제공한다.
이를 위해 본 발명에서는, 피연마체(W)를 유지하면서 회전하는 회전탑재대(14)와, 직경이 상기 회전탑재대의 직경보다도 작고 표면에 연마층(30)이 설치된 회전연마판(28), 상기 연마층을 상기 피연마체에 압착하면서 상기 회전연마판을 상기 회전탑재대의 반경방향으로 상대적으로 이동시킴과 더불어, 상기 피연마체의 전체의 표면이 균일하게 연마되도록 다양한 속도로 피연마체의 표면상에 상기 회전연마판을 이동시키는 스캐닝기구(26) 및, 상기 피연마체의 표면에 연마액을 공급하는 연마액 공급수단(46)을 갖추도록 연마장치를 구성한다. 이로써, 장치의 소형화를 달성할 수 있고, 연마량의 부분적인 조절을 행하도록 한다.

Abstract translation: 抛光系统包括：旋转载置台14，其可以一边保持被研磨物W一边旋转; 旋转的抛光板28，其直径小于旋转的载置台的直径，并在其表面上设有磨料层30; 扫描机构26，用于在旋转的安装台的径向方向上移动旋转的抛光板，同时按压物体上的磨料层; 以及用于将磨料溶液供应到物体表面的磨料溶液供应装置46。 因此，可以减小系统的尺寸，并且可以部分地控制抛光量。

公开(公告)号：KR1019990045185A

公开(公告)日：1999-06-25

申请号：KR1019980048129

申请日：1998-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고니시노부오 ,  이와시타미츠아키

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304

Abstract: 본 발명은, 장치의 소형화를 달성할 수 있고, 연마량의 부분적인 조절을 행할 수 있는 연마장치 및 방법을 제공한다.
이를 위해 본 발명에서는, 피연마체(W)를 유지하면서 회전하는 회전재치대(14)와, 직경이 상기 회전재치대의 직경보다도 작고 표면에 연마층(30)이 설치된 회전연마판(28), 상기 연마층을 상기 피연마체에 압접하면서 상기 회전연마판을 상기 회전재치대의 반경방향으로 상대적으로 이동시키는 주사기구(26) 및, 상기 피연마체의 표면에 연마액을 공급하는 연마액 공급수단(46)을 갖추도록 연마장치를 구성한다. 이로써, 장치의 소형화를 달성할 수 있고, 연마량의 부분적인 조절을 행하도록 한다.