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公开(公告)号:CN100462402C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200510066731.7
申请日:2005-04-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 用于半导体封装的环氧树脂组合物,其用于制备表面固定的无引线结构薄半导体器件。一种用于表面固定的无引线半导体器件封装的环氧树脂组合物,所述半导体器件:封装树脂层以及,封装在其内的基板、固定在基板上的半导体元件、布置在半导体元件周围的两个或多个导电部件和电连接半导体元件的电极和导电部件的导线,其中基板的底面和各个导电部件的底面暴露出来,而没有封装在封装树脂层中,并且用于形成封装树脂层的环氧树脂组合物具有下述性质(α)和(β):(α)环氧树脂组合物在175℃时的熔融粘度为2-10Pa·s;以及(β)常温下固化状态的挠曲强度为130MPa或更高。
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公开(公告)号:CN1630070A
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN200410101938.9
申请日:2004-12-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供半导体装置制造用粘结膜,该粘结膜是在半导体装置的制造方法中最终除去的粘结膜,适合在导体的一部分由密封树脂突出的具有所谓基准距的半导体装置的制造中使用。该半导体装置制造用粘结膜用于具有下述工序的半导体装置的制造方法,即:(a)将导体的至少一部分埋设在粘结膜中,形成导体的工序;(b)在导体上搭载半导体芯片的工序;(c)将半导体芯片与导体连接的工序;(d)用密封树脂将半导体芯片密封的工序;以及(e)除去粘结膜的工序;其中,该粘结膜具有热固性粘结剂层和耐热性基材层。
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公开(公告)号:CN107852786B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201680040750.9
申请日:2016-07-12
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高阻挡功能、非常薄、具有优异的防反射功能的有机EL显示装置用圆偏振片。本发明的有机EL显示装置用圆偏振片按照以下顺序具备:起偏镜、作为λ/4板发挥功能的相位差层、阻挡层、及具有阻挡功能的粘合剂层,该阻挡层是厚度为5μm~100μm的薄玻璃。
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公开(公告)号:CN107848266B
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN201680041612.2
申请日:2016-07-13
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种即便使用薄玻璃制造效率也优异的光学积层体的制造方法。本发明的光学积层体的制造方法包括:薄玻璃制造步骤,其制造厚度为100μm以下的薄玻璃;积层步骤,其在该薄玻璃的单面或两面积层光学膜;该薄玻璃制造步骤及该积层步骤在连续线进行,在该积层步骤中,在该薄玻璃受到支撑的状态下,在该薄玻璃上贴合该光学膜。
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公开(公告)号:CN109890600A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201780066856.0
申请日:2017-10-20
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种薄膜层叠体的制造方法,其既能够防止脆性膜的损坏,又能够在该脆性膜上粘贴韧性膜。本发明的薄膜层叠体的制造方法在输送长带状脆性膜的同时,在该脆性膜上贴合长带状韧性膜,包含在使该韧性膜接近该脆性膜之后,通过从该韧性膜的与该脆性膜相反的一侧吹气,将该韧性膜和该脆性膜贴合的工序。
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公开(公告)号:CN107797329A
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710759501.1
申请日:2017-08-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133536 , G02B5/0242 , G02B5/045 , G02B5/3025 , G02B5/305 , G02B5/3083 , G02F1/13363 , G02F2001/133567 , G02F2001/133638 , G02F2413/01 , G02F2413/05 , G02F1/133528 , G02F1/133606 , G02F2001/133607
Abstract: 本发明提供在用于液晶显示装置的情况下能够将从光源射出的光以高效率向液晶显示面板入射的光学构件。光学构件(100)通过偏振板(10)、反射型偏振片(20)、偏振转换层(30)以及棱镜层(42)按顺序一体化而成,关于透过偏振度为99.99%的第一偏振片以及第二偏振片的自然光的亮度而设有平行亮度L0和正交亮度L90时,偏振转换层满足L90/L0≥0.2。
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公开(公告)号:CN107000409A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580065788.7
申请日:2015-12-02
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜层叠体,在作为透明导电性膜的基材使用了环烯烃系树脂或聚碳酸酯系树脂的情况下,能够防止透明树脂膜的受伤,即使是施加透明导电性膜层叠体搬送时的张力,也不会在透明导电性膜层叠体中产生断裂,能够确保其后的工序成品率,并提供该透明导电性膜层叠体的用途。本发明的透明导电性膜层叠体的透明树脂膜(4)包含环烯烃系树脂或聚碳酸酯系树脂,所述保护膜(1)包含非晶性树脂,所述保护膜(1)的不具有所述粘合剂层(2)的面侧的表面的算术平均表面粗糙度Ra为0.01μm以上,在对所述透明导电性膜层叠体进行180°弯曲试验时,不会发生所述透明导电性膜层叠体的断裂。
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公开(公告)号:CN100452366C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200410101938.9
申请日:2004-12-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供半导体装置制造用粘结膜,该粘结膜是在半导体装置的制造方法中最终除去的粘结膜,适合在导体的一部分由密封树脂突出的具有所谓离板间隙的半导体装置的制造中使用。该半导体装置制造用粘结膜用于具有下述工序的半导体装置的制造方法,即:(a)将导体的至少一部分埋设在粘结膜中,形成导体的工序;(b)在导体上搭载半导体芯片的工序;(c)将半导体芯片与导体连接的工序;(d)用密封树脂将半导体芯片密封的工序;以及(e)除去粘结膜的工序;其中,该粘结膜具有热固性粘结剂层和耐热性基材层。
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公开(公告)号:CN100392831C
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN200410100665.6
申请日:2004-12-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3011 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/20752
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,包括通过介入胶粘片将半导体元件临时固着在被粘附体上的临时固着工序、和不经过加热工序而直接进行引线接合的引线接合工序,且所述胶粘片相对于被粘附体的临时固着时的剪切胶粘力在0.2MPa以上。由此,可以提供在抑制合格率下降的同时将制造工序简略化的半导体装置的制造方法、用于该方法的胶粘片和由该方法得到的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1989611A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200580023599.X
申请日:2005-07-13
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/4828 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/85205 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/20305 , H01L2924/00012
Abstract: 使用一种半导体装置制造用基板B,其中包括设有基材层51和粘接剂层52的粘接板50以及设在粘接剂层52上的多个独立的导电部20。将形成有电极11的半导体元件10固定在基板B上,用金属丝30将多个导电部20的上侧和半导体元件20的电极11电气连接。用密封树脂40将半导体元件10、金属丝30和导电部20密封。导电部20具有突出部分20a,而且使导电部20的侧面60a粗糙化,以提高导电部20与密封树脂40的接合强度。
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