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公开(公告)号：CN102244097A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110162070.3
申请日：2006-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/432 , H01L29/452 , H01L29/7787
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。该氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。
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公开(公告)号：CN101361373B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680051684.1
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N9/07
Abstract: 一种执行使用可见光的彩色成像和使用红外光的成像的固态成像装置，该固态成像装置包括多个二维排列的像素单元，在每个所述的像素单元中，一滤光器主要透射可见光和红外光之一，其中将各滤光器排列成在行方向和列方向的两个方向上以交替排列的方式排列第1排列单元和第2排列单元，在第1排列单元中排列多个主要透射可见光的滤光器，和在第2排列单元中排列一主要透射可见光的滤光器和一主要透射红外光的滤光器。另外，在第1排列单元中，排列包括各自透射红光、绿光和蓝光之一的三种滤光器的滤光器，而在第2排列单元中，排列各自透射红光、绿光、蓝光和红外光之一的四种滤光器。
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公开(公告)号：CN100547439C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200580026622.0
申请日：2005-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B5/1876 , G02B5/1885 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02162 , H01L31/02327
Abstract: 本发明实现也对应于焦距较短的光学系统(入射角θ较大的光学系统)并且高灵敏度的固体摄像器件。各像素(尺寸□2.8mm)由梯度折射率透镜(1)、G用滤色片(2)、Al布线(3)、信号传送部(4)、平坦化层(5)、受光元件(Si光敏二极管)(6)、Si基板(7)构成。梯度折射率透镜的同心圆结构由折射率不同的4种材料TiO2(n＝2.53)、SiN(n＝2.53)、SiO2(n＝2.53)、空气(n＝1)构成，相邻的圆形透光膜的外周的半径差为100nm。并且，膜厚为0.4μm。
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公开(公告)号：CN101361373A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680051684.1
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N9/07
Abstract: 一种执行使用可见光的彩色成像和使用红外光的成像的固态成像装置，该固态成像装置包括多个二维排列的像素单元，在每个所述的像素单元中，一滤光器主要透射可见光和红外光之一，其中将各滤光器排列成在行方向和列方向的两个方向上以交替排列的方式排列第1排列单元和第2排列单元，在第1排列单元中排列多个主要透射可见光的滤光器，和在第2排列单元中排列一主要透射可见光的滤光器和一主要透射红外光的滤光器。另外，在第1排列单元中，排列包括各自透射红光、绿光和蓝光之一的三种滤光器的滤光器，而在第2排列单元中，排列各自透射红光、绿光、蓝光和红外光之一的四种滤光器。
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公开(公告)号：CN101051667A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710103902.8
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光装置，包括：载体基片；半导体发光元件，其安装在所述载体基片上；透明薄膜，其固定在所述载体基片上，以覆盖所述半导体发光元件；以及图形电极，其形成在所述透明薄膜的上表面上，其中所述图形电极电连接着所述半导体发光元件的终端电极，所述透明薄膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉，荧光膜形成在所述透明薄膜的至少一个表面上，所述荧光膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1993634A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026622.0
申请日：2005-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B5/1876 , G02B5/1885 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02162 , H01L31/02327
Abstract: 本发明实现也对应于焦距较短的光学系统(入射角θ较大的光学系统)并且高灵敏度的固体摄像器件。各像素(尺寸□2.8mm)由梯度折射率透镜(1)、G用滤色片(2)、Al布线(3)、信号传送部(4)、平坦化层(5)、受光元件(Si光敏二极管)(6)、Si基板(7)构成。梯度折射率透镜的同心圆结构由折射率不同的4种材料TiO2(n＝2.53)、SiN(n＝2.53)、SiO2(n＝2.53)、空气(n＝1)构成，相邻的圆形透光膜的外周的半径差为100nm。并且，膜厚为0.4μm。
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公开(公告)号：CN1495909A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03155714.7
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0817 , H01L29/42304 , H01L29/7371
Abstract: 一种双极晶体管，在衬底(11)的上边，用外延生长法，依次叠层集电极接触层(12)、集电极层(13)、基极层(14)、发射极层(15)和发射极接触层(16)。在基极层(14)的外部基极区域(14b)内，在发射极层(15)的附近的区域上，设置由与发射极层(15)相同半导体材料构成的电容膜(18)。此外，在外部基极区域(14b)的上边和电容膜(18)的上边设置基极电极(19)。实现了得到热稳定性和高频特性良好而不会增大芯片面积和制造成本的目的。
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公开(公告)号：CN1494141A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03160214.2
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49861 , H01L23/057 , H01L23/481 , H01L23/49541 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01032 , H01L2924/10162 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括半导体芯片、密封所述半导体芯片的模塑树脂、以及从所述模塑树脂的内部一直延伸到外部的多条导体引线。所述导体引线的配置于所述模塑树脂内的部分形成内部端子部，配置于所述模塑树脂外的部分形成外部端子部。所述半导体芯片的电极和所述导体引线的内部端子部相连接。所述导体引线中的至少一条的所述内部端子部，形成至少一部分比所述外部端子部的宽度窄的电感元件部。树脂封装内形成的电感元件具有稳定的特性，将高频特性的稳定性提高。
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公开(公告)号：CN1485963A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03147458.6
申请日：2003-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L2224/95085 , H01L2224/95146 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/10329 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15165 , H01S5/02252 , H01S5/4031 , H01L2924/15153 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。
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公开(公告)号：CN1116701C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN98105298.3
申请日：1998-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66196 , H01L29/8605
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，包括在半绝缘性半导体基片上有选择地形成电阻区域，在该电阻区域的两端部上有选择地形成欧姆电极。在电极间形成有开口部的光刻胶，使完全不横穿电阻区域。借助于一点一点不断地蚀刻除去所述开口内的电阻区域，得到所要的电阻值。本发明的半导体器件的制造方法，能事先防止电阻值变得无限大，能改善电阻值的控制性和均匀性，并能提高原材料的利用率。
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