公开(公告)号：CN111906321A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010794113.9

申请日：2016-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林大和 ,  泷泽博胤 ,  古泽彰男

IPC: B22F9/00 ,  B22F1/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C5/02 ,  C22C12/00 ,  B23K35/02 ,  B23K35/40 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种焊膏用金属纳米颗粒分散液，所述焊膏用金属纳米颗粒分散液含有还原性分散介质和包含合金的金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的平均粒径为1.0～200nm，所述金属纳米颗粒的烧结开始温度低于50℃，且，所述焊膏用金属纳米颗粒分散液实质上不含有表面活性剂和表面修饰剂。

公开(公告)号：CN107530781A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680018474.6

申请日：2016-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林大和 ,  泷泽博胤 ,  古泽彰男

IPC: B22F9/00 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/00 ,  B22F1/0044 ,  B22F9/00 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/045 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/40 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种焊膏用金属纳米颗粒分散液，所述焊膏用金属纳米颗粒分散液含有还原性分散介质和包含合金的金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的平均粒径为1.0～200nm，所述金属纳米颗粒的烧结开始温度低于50℃，且，所述焊膏用金属纳米颗粒分散液实质上不含有表面活性剂和表面修饰剂。

公开(公告)号：CN102163564B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110026480.5

申请日：2011-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村太一 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及接合结构体及接合结构体的制造方法。本发明非常希望实现功率半导体模块的高输出功率化，需要进一步提高接合部的耐热性，使得即使温度上升，用于将半导体元件与电极接合的接合部也不会熔融。本发明是一种接合结构体(1100)的制造方法，该方法是由半导体元件(1110)通过接合部(1130)与电极(1120)接合而成的接合结构体(1100)的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层(1231)覆盖Bi球(1232)的表面而成的焊锡球(1230)载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的电极(1120)上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将焊锡球(1230)按压于经加热的电极(1120)上，使Ni镀层(1231)破碎，使熔融状态的Bi在经加热的电极(1120)的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物(1131)的接合材料(1130’)；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将半导体元件(1110)载放于接合材料(1130’)上。

公开(公告)号：CN102047398B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201080001751.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52 ,  C22C12/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/264 ,  B23K35/325 ,  B32B15/01 ,  C22C12/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在半导体元件(102)的表面(102b)配置晶格与以Bi为主要成分的接合材料(106)不同的金属的层(105)，并且在晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)和半导体元件(102)的表面(102b)之间配置与接合材料(106)的化合物生成热为正值的元素的层(104)，藉此防止晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)的成分向半导体元件(102)扩散。

公开(公告)号：CN103262669A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180060594.X

申请日：2011-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 日根清裕 ,  古泽彰男 ,  森将人

IPC: H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00

CPC classification number: H05K1/181 ,  B23K1/19 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K13/0465 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/099 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/1476 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613

Abstract: 本发明提供一种耐热疲劳特性得到了提高的安装结构体。该安装结构体(107)包括：具有基板电极(101)的基板(100)、具有元器件电极(104)的电子元器件(103)、以及对基板电极(101)和元器件电极(104)进行接合的接合部(109)，接合部(109)具有焊料强化区域(106)、以及焊料接合区域(105)，焊料强化区域(106)是接合部(109)的侧面区域，并且是含有3wt%以上、8wt%以下的In、且含有88wt%以上的Sn的区域，焊料接合区域(105)是含有Sn-Bi类的焊料材料、并且In在0wt%以上、3wt%以下的区域。

公开(公告)号：CN103155127A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049406.3

申请日：2011-10-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村太一 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  北浦秀敏 ,  石丸幸宏

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC classification number: H01L24/30 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/018 ,  C22C1/0483 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  B22F1/0003 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/45099

Abstract: 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。

公开(公告)号：CN102422403A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021256.0

申请日：2010-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，包含以Bi为主要成分的接合材料，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。

公开(公告)号：CN101909809A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123252.6

申请日：2008-12-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古泽彰男 ,  坂口茂树 ,  末次宪一郎

IPC: B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C22C12/00 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/36 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的包含2～10.5重量％的Cu、0.02～0.2重量％的Ge、和89.3～97.98重量％的Bi的接合材料，具有275℃的耐热性和优良的润湿性，本发明的包含2～10.5重量％的Cu、0.02～0.2重量％的Ge、0.02～0.11重量％的Ni、和89.19～97.96重量％的Bi的接合材料，具有更优良的耐热性。

公开(公告)号：CN112108453A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010556783.7

申请日：2020-06-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 林大和 ,  泷泽博胤 ,  古泽彰男 ,  北浦秀敏 ,  日根清裕

IPC: B08B3/12

Abstract: 本发明提供一种超声波处理装置以及超声波处理方法，能够有效且均匀地对被处理物进行超声波处理。超声波处理装置，用于对被处理物进行超声波处理，包含：处理槽，其装入第1液体；流路，其被配置成在所述处理槽内与所述第1液体接触，并且流过被处理物以及第2液体；以及超声波谐振器，其被设置于所述处理槽，所述流路具有间隔地与从所述超声波谐振器发出的超声波的行进方向至少相交2次，该间隔是该超声波的波长的1/2的整数倍±5％以内。

公开(公告)号：CN107530781B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201680018474.6

申请日：2016-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林大和 ,  泷泽博胤 ,  古泽彰男

IPC: B22F9/00 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种焊膏用金属纳米颗粒分散液，所述焊膏用金属纳米颗粒分散液含有还原性分散介质和包含合金的金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的平均粒径为1.0～200nm，所述金属纳米颗粒的烧结开始温度低于50℃，且，所述焊膏用金属纳米颗粒分散液实质上不含有表面活性剂和表面修饰剂。