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公开(公告)号：CN105393345A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480039640.1
申请日：2014-05-20
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/32055 , H01L21/76802 , H01L21/76841 , H01L21/76858 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/525 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2224/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文公开了结构及其形成方法。在一个实施例中，结构包括区域(102)，其具有相对的第一和第二表面(104,106)。势垒区域(110)覆盖该区域。合金区域(112)覆盖势垒区域。合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多个元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104685622B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201380051572.6
申请日：2013-08-02
Applicant: 伊文萨思公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/486 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L2224/02379 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H05K1/0298 , H05K3/46 , Y10T29/49126 , Y10T29/49162 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 一种用于制作中介结构的方法，包括形成键合到第一元件的一个或者多个第一表面的多个接线键合。形成与接线键合的边界表面接触的电介质包封体，该包封体使得相邻的接线键合相互分离。进一步处理包括去除第一元件的至少部分，其中中介结构具有至少通过包封体而相互分离的相对的第一侧和第二侧，并且中介结构具有分别在相对的第一侧和第二侧的分别用于与第一部件和第二部件电连接的第一接触和第二接触，第一接触通过接线键合而与第二接触电连接。
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公开(公告)号：CN105393345B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480039640.1
申请日：2014-05-20
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/32055 , H01L21/76802 , H01L21/76841 , H01L21/76858 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/525 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2224/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本文公开了结构及其形成方法。在一个实施例中，结构包括区域(102)，其具有相对的第一和第二表面(104,106)。势垒区域(110)覆盖该区域。合金区域(112)覆盖势垒区域。合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多个元素。
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公开(公告)号：CN105122445A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480022444.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 伊文萨思公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/4846 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H05K1/0298 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种微电子组件，包括介电区域、多个导电元件、密封剂和微电子元件。密封剂的热膨胀系数(CTE)可以不大于与介电区域或微电子元件中的至少一个相关联的CTE的两倍。
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公开(公告)号：CN104685622A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380051572.6
申请日：2013-08-02
Applicant: 伊文萨思公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/486 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L2224/02379 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H05K1/0298 , H05K3/46 , Y10T29/49126 , Y10T29/49162 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 一种用于制作中介结构的方法，包括形成键合到第一元件的一个或者多个第一表面的多个接线键合。形成与接线键合的边界表面接触的电介质包封体，该包封体使得相邻的接线键合相互分离。进一步处理包括去除第一元件的至少部分，其中中介结构具有至少通过包封体而相互分离的相对的第一侧和第二侧，并且中介结构具有分别在相对的第一侧和第二侧的分别用于与第一部件和第二部件电连接的第一接触和第二接触，第一接触通过接线键合而与第二接触电连接。
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