公开(公告)号：CN106409699B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201510750963.8

申请日：2015-11-06

Applicant: 商升特公司

Inventor： K.K.侯 ,  S.金努萨米

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明涉及形成小z半导体封装的方法和半导体器件。半导体器件具有多个第一半导体管芯。在第一半导体管芯之上形成多个第一凸块。在第一凸块之上形成第一保护层。在背面研磨操作中去除第一半导体管芯的一部分。在第一半导体管芯之上形成背侧保护层。在第一半导体管芯和第一凸块之上沉积密封剂。去除密封剂的一部分以暴露第一凸块。在第一凸块和密封剂之上形成导电层。在导电层之上形成绝缘层和多个第二凸块。贯穿密封剂形成多个导电通孔。多个半导体器件与电气连接堆叠的半导体器件的导电通孔堆叠。在第一半导体管芯之上布置具有硅通孔的第二半导体管芯。

公开(公告)号：CN107134438A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710102855.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  K.辛普森 ,  M.C.科斯特罗

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/3121 ,  H01L21/563

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

公开(公告)号：CN114999947A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210680608.8

申请日：2015-11-06

Applicant: 商升特公司

Inventor： K.K.侯 ,  S.金努萨米

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及形成小z半导体封装的方法和半导体器件，涉及一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在半导体管芯上形成背侧保护层；在载体上布置半导体管芯，其中背侧保护层位于半导体管芯和载体之间；在将所述半导体管芯布置所述载体上之后，在所述半导体管芯上沉积密封剂，其中所述密封剂基本上覆盖所述半导体管芯的有源表面和侧表面；在半导体管芯的有源表面上平坦化密封剂；和在所述密封剂上形成导电层并使导电层电连接到所述半导体管芯。

公开(公告)号：CN110112108A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910418376.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  K.辛普森 ,  M.C.科斯特罗

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

公开(公告)号：CN107134438B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710102855.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  K.辛普森 ,  M.C.科斯特罗

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

公开(公告)号：CN107086212A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710073528.5

申请日：2017-02-10

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  W.H.陈 ,  J.N.S.雷耶斯

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/522 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/49575 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/5227

Abstract: 本发明涉及具有集成无源部件的引线框架上的半导体器件。一种半导体器件包括衬底和在衬底的第一表面上方形成的第一导电层。第一导电层被图案化成第一无源电路元件的第一部分。第一导电层被图案化为包括第一线圈部分。在衬底的第二表面上方形成第二导电层。第二导电层被图案化成第一无源电路元件的第二部分。第二导电层被图案化为包括呈现与第一线圈部分的互感的第二线圈部分。穿过衬底形成的导电通孔耦合在第一导电层和第二导电层之间。半导体部件设置在衬底上方，并且电耦合到第一无源电源元件。在半导体部件和衬底上方沉积密封剂。将衬底安装到印刷电路板。

公开(公告)号：CN106409760A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610402516.8

申请日：2016-06-08

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3185

Abstract: 本发明涉及半导体器件和封装半导体管芯的方法。半导体器件具有半导体晶片。半导体晶片包括多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体管芯的有源表面之上。沟槽形成在半导体管芯之间的半导体晶片的非有源区域中。沟槽部分地延伸通过半导体晶片。提供具有粘合层的载体。同时作为单个单元而将半导体管芯设置在粘合层和载体之上。执行背面研磨操作以去除半导体晶片的部分并且暴露沟槽。粘合层在背面研磨操作期间将半导体管芯保持在适当位置。将密封剂沉积在半导体管芯之上以及沉积到沟槽中。去除载体和粘合层。对经封装的半导体管芯清洗并且将经封装的半导体管芯单体化成个体半导体器件。测试半导体器件的电气性能和功能性。

公开(公告)号：CN110112108B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910418376.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  K.辛普森 ,  M.C.科斯特罗

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

公开(公告)号：CN106409760B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201610402516.8

申请日：2016-06-08

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体器件和封装半导体管芯的方法。半导体器件具有半导体晶片。半导体晶片包括多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体管芯的有源表面之上。沟槽形成在半导体管芯之间的半导体晶片的非有源区域中。沟槽部分地延伸通过半导体晶片。提供具有粘合层的载体。同时作为单个单元而将半导体管芯设置在粘合层和载体之上。执行背面研磨操作以去除半导体晶片的部分并且暴露沟槽。粘合层在背面研磨操作期间将半导体管芯保持在适当位置。将密封剂沉积在半导体管芯之上以及沉积到沟槽中。去除载体和粘合层。对经封装的半导体管芯清洗并且将经封装的半导体管芯单体化成个体半导体器件。测试半导体器件的电气性能和功能性。

公开(公告)号：CN107039337A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610882505.4

申请日：2016-10-10

Applicant: 商升特公司

Inventor： S.金努萨米 ,  W.H.谭 ,  A.潘 ,  K.K.侯

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/065 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/552 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5386

Abstract: 本发明涉及用有微柱的半导体管芯形成DCALGA封装的方法和半导体器件。半导体器件具有布置在衬底之上的第一半导体管芯。在半导体管芯之上形成多个复合互连结构。复合互连结构具有不可熔导电柱和在不可熔导电柱之上形成的可熔层。可熔层被回流以将第一半导体管芯连接到衬底的导电层。不可熔导电柱在回流期间不熔化，从而消除了在衬底之上形成阻焊剂的需要。将密封剂沉积在第一半导体管芯和复合互连结构周围。密封剂在第一半导体管芯的有源表面和衬底之间流动。第二半导体管芯相邻于第一半导体管芯布置在衬底之上。散热器布置在第一半导体管芯之上。密封剂的一部分被移除以暴露散热器。