-
公开(公告)号:CN104513632B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201410521172.3
申请日:2014-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B5/14
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/29005 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/30101 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05342 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/053 , H01L2924/01083 , H01L2924/0536 , H01L2924/01042 , H01L2924/0535 , H01L2924/01023 , H01L2924/01041 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构,包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。
-
公开(公告)号:CN106877030A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201511019558.5
申请日:2015-12-30
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/4985 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/04026 , H01L2224/05017 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29344 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/32225 , H01L2224/83385 , H01L2224/83851 , H01L2924/00012 , H01R12/69 , H01R12/65
Abstract: 本发明公开一种接合结构及可挠式装置。该接合结构包括接触垫、各向异性导电薄膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)以及接触结构。接触垫具有至少一凹槽,其中接触垫的厚度为T且至少一凹槽的宽度为B。各向异性导电薄膜位于接触垫上方并具有多个导电粒子,各导电粒子位于至少一凹槽中,其中,各导电粒子的直径为A,且A大于B以及T,并且满足:B≦2(AT-T2)1/2。接触结构位于各向异性导电薄膜上方并通过各导电粒子与接触垫电连接。该可挠式装置包括基板、图案化绝缘层、至少一接触垫、各向异性导电薄膜以及接触结构。
-
公开(公告)号:CN105139920A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510623840.8
申请日:2015-09-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
Inventor: 徐德智
CPC classification number: C09J9/02 , C08K9/00 , C08K2201/001 , C09J1/00 , C09J11/08 , H01L24/29 , H01L2224/29005 , H01L2224/29099 , H01L2224/29693
Abstract: 本发明实施例提供了一种导电颗粒及其制备方法、导电胶、显示装置,涉及显示技术领域,采用该制备方法可解决现有技术中应用于导电胶中的碳类材料存在加工困难、导电性变化大的问题。该制备方法包括形成球核;将球核分散在去离子水中,并加入有机聚合物单体形成反应溶液;对反应溶液进行伽马射线辐射,以使有机聚合物单体在球核表面发生聚合反应形成有机聚合物;将表面形成有有机聚合物的球核从反应溶液中分离出来,获得表面形成有有机聚合物的球核;对表面形成有有机聚合物的球核依次进行预氧化和碳化处理,使有机聚合物形成由碳粒子构成的导电层,以获得由导电层、球核构成的导电颗粒。用于导电颗粒及包括该导电颗粒的导电胶、显示装置的制备。
-
公开(公告)号:CN104617055A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201410755931.2
申请日:2014-09-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: H01L23/295 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2250/24 , B32B2264/10 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , H01L21/563 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/27436 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83207 , H01L2224/9211 , H01L2924/12042 , Y10T428/31504 , Y10T428/31551 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31786 , H01L2924/207 , H01L2924/206 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 用作为预施加的底部填充材料的底部填充结构包含具有第一聚合物区域和第二聚合物区域的聚合物层,其中,所述第二聚合物区域包含无机填料。包含芯片或模具和基片的电子组件使用这样的多层结构的预施加的底部填充来形成。
-
公开(公告)号:CN104513632A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410521172.3
申请日:2014-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J171/12 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B5/14
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2712 , H01L2224/29005 , H01L2224/29083 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2924/0665 , H01L2924/15788 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/30101 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/05341 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05342 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/053 , H01L2924/01083 , H01L2924/0536 , H01L2924/01042 , H01L2924/0535 , H01L2924/01023 , H01L2924/01041 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01006
Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构,包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层,所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。
-
公开(公告)号:CN104885207B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201380067852.6
申请日:2013-12-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K7/02 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01L21/52 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/488 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29005 , H01L2224/29111 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/206 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的功率模块中,在电路层(12)中的与半导体元件(3)的接合面设置有由铜或铜合金构成的铜层,且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的与电路层(12)之间的界面形成有合金层(21),该合金层(21)作为主成分含有Sn,并且含有0.5质量%以上10质量%以下的Ni和30质量%以上40质量%以下的Cu,该合金层(21)的厚度设定在2μm以上20μm以下的范围内,在功率循环试验中,在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时的热阻上升率低于10%。
-
公开(公告)号:CN103715178B
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:CN201210459988.9
申请日:2012-11-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/76885 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/83065 , H01L2224/8309 , H01L2224/83091 , H01L2224/83097 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8381 , H01L2224/83825 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/206 , H01L2924/00014
Abstract: 一种双相介金属互连结构及其制作方法。所述双相介金属互连结构介于芯片与载板之间,包括第一介金属相、第二介金属相、第一焊接金属层以及第二焊接金属层。第二介金属相包覆第一介金属相,且第一介金属相与第二介金属相含有不同的高熔点金属。第一焊接金属层与第二焊接金属层分别配置于第二介金属相的相对两侧,其中第一介金属相是用以填补第二介金属相形成时产生的微孔洞缺陷。
-
公开(公告)号:CN107863332A
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201710854614.X
申请日:2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L29/861 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/8309 , H01L2924/13055 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L24/83 , H01L2021/60007 , H01L2224/29026 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2924/0132
Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体,其中,所述金属堆叠体包括第一层,其中,所述第一层包括NiSi。
-
公开(公告)号:CN104576619B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201410571817.4
申请日:2014-10-23
Applicant: 胜美达集团株式会社
IPC: H01L23/66 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49551 , H01L23/49861 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2223/6677 , H01L2224/10165 , H01L2224/13005 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/16057 , H01L2224/16258 , H01L2224/26165 , H01L2224/29005 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32057 , H01L2224/32258 , H01L2224/8114 , H01L2224/8121 , H01L2224/81385 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8314 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83815 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种能够简化半导体基板与引线端子板等的板状金属构件之间的连接装配,并且能够降低成本的电子器件以及电子器件的制造方法。上述电子器件具有:树脂制框架(19);半导体基板(15),其被收容于树脂制框架中;板状金属构件(14),其位于与半导体基板相间隔的位置,其至少一端被固定在树脂制框架中;电气连接区域部(27),其由导电性材料所形成,位于半导体基板的朝向板状金属构件的一侧的表面上;焊料层(28),其形成于上述电气连接区域部的朝向上述板状金属构件的一侧的表面;板状金属构件借助焊料层以及电气连接区域部非接触地支撑半导体基板,并且,与电气连接区域部电气连接。
-
公开(公告)号:CN107464796A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201710383381.X
申请日:2017-05-26
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L23/488 , H01B5/16
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L51/0096 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2224/271 , H01L2224/29005 , H01L2224/29028 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/2929 , H01L2224/29293 , H01L2224/2939 , H01L2224/29391 , H01L2224/294 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32148 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/743 , H01L2224/81191 , H01L2224/81903 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2251/5369 , H01L2924/07811 , H01L2924/1426 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01B5/16 , H01L2224/29291 , H01L2224/29298 , H01L2224/32227
Abstract: 本发明涉及各向异性导电膜及使用各向异性导电膜的显示装置。一种各向异性导电膜,包括:导电层;第一树脂绝缘层,在导电层的第一表面上方;以及第二树脂绝缘层,在导电层的第二表面上方,其中,导电层包括多个导电粒子和将多个导电粒子连接至彼此的纳米纤维,多个导电粒子中的每一个包括具有锥形的多个针状突出部,并且其中,第一树脂绝缘层和第二树脂绝缘层包括相同的材料并且具有不同的厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-