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公开(公告)号：KR1020140065334A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020130135246
申请日：2013-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67248
Abstract: The purpose of the present invention is to manage the temperature of a processing liquid for processing a substrate well. A substrate processing device (1) which processes a substrate (2) with a processing liquid which is heated at a predetermined temperature comprises; a container (retention container (8), heating container (22)) which retains the processing liquid; a heater (34) on a heating wall (33) formed on the container; a processing liquid heating unit (6) which heats the processing liquid with the heater (34) through the heating wall (33); a temperature sensor (36) for control which is formed on the heating wall (33) and measures the temperature of the heating wall (33); and a control unit (7) which controls the processing liquid heating unit (6) based on the temperature which is measured by the temperature sensor (36) for control. The control unit (7) controls the processing liquid heating unit (6) based on the temperature of the heating wall (33) which is measured by the temperature sensor (36) for control.
Abstract translation: 本发明的目的是管理用于处理衬底的处理液的温度。 用在预定温度下加热的处理液处理基板（2）的基板处理装置（1）包括： 保持处理液体的容器（保持容器（8），加热容器（22））; 形成在容器上的加热壁（33）上的加热器（34） 处理液体加热单元（6），其通过加热壁（33）与加热器（34）加热处理液体; 用于控制的温度传感器（36），其形成在加热壁（33）上并测量加热壁（33）的温度; 以及控制单元（7），其基于由用于控制的温度传感器（36）测量的温度来控制处理液体加热单元（6）。 控制单元（7）基于由用于控制的温度传感器（36）测量的加热壁（33）的温度控制处理液体加热单元（6）。
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2.发明授权
公开(公告)号：KR101633129B1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020100096443
申请日：2010-10-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다나카히로시 , 미나미데루오미 , 가와부치요스케 , 이토노리히로 , 가미무라후미히로 , 야부타다카시 , 가즈키고사이 , 다카시우노 , 세키구치겐지 , 후지이야스시
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 본발명은기판에대전된전하가방전하는것에의한정전파괴의발생을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판(2)에액처리를실시하기위한기판액처리장치(1), 기판액처리방법및 기판액처리프로그램을기록한컴퓨터판독가능한기록매체(48)에있어서, 기판(2)의회로형성면을기판처리약액으로액처리하는액처리공정을행하기전에, 기판(2)의회로형성면과는반대면을제전처리액으로처리하는것에의해기판(2)에대전된전하를방출시키는제전처리공정을행하도록하였다.
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公开(公告)号：KR101837800B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020140148291
申请日：2014-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是在很小程度上抑制蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括将蚀刻剂填充到蚀刻处理部分中的初始准备步骤和蚀刻待处理对象的蚀刻步骤。 初始准备步骤，并以供给液体和的步骤，并使用Si浓度的新的蚀刻液中的蚀刻工艺包括使用低Si浓度的新的蚀刻溶液部分液体交换步骤。
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020110041996A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020100096443
申请日：2010-10-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다나카히로시 , 미나미데루오미 , 가와부치요스케 , 이토노리히로 , 가미무라후미히로 , 야부타다카시 , 가즈키고사이 , 다카시우노 , 세키구치겐지 , 후지이야스시
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: PURPOSE: A substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a storage medium having substrate liquid processing program stored therein are provided to prevent the electrostatic destruction by discharging the electric charges charged on a substrate through a chuck for maintaining the substrate. CONSTITUTION: A first processing liquid discharge unit discharges the processing liquid to the circuit-forming surface of a substrate(2). A second processing solution discharge unit(25) discharges the processing liquid to the opposite side of the circuit-forming surface of the substrate. A control unit(26) controls the substrate maintaining unit and the first and the second processing solution discharge unit.
Abstract translation: 目的：提供基板液体处理装置，基板液体处理方法和存储有基板液体处理程序的存储介质，以通过用于维持基板的卡盘将填充在基板上的电荷放电来防止静电破坏。 构成：第一处理液体排出单元将处理液体排出到基板（2）的电路形成表面。 第二处理液排出单元（25）将处理液体排出到基板的电路形成表面的相对侧。 控制单元（26）控制基板保持单元和第一和第二处理液排出单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101808886B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020130135246
申请日：2013-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
Abstract: 본발명은, 기판을처리하는처리액의온도를양호하게관리할수 있도록하는것을목적으로한다. 기판(2)을정해진온도로가열한처리액으로처리하는기판처리장치(1)에있어서, 상기처리액을저류하는용기[저류조(8), 가열조(22)]와, 상기용기에형성된가열벽(33)에히터(34)를마련하고, 상기히터(34)로상기처리액을상기가열벽(33)을통해가열하는처리액가열수단(6)과, 상기가열벽(33)에마련하며, 상기가열벽(33)의온도를측정하는제어용온도센서(36)와, 상기제어용온도센서(36)로측정한온도에기초하여상기처리액가열수단(6)을제어하는제어수단(7)을갖고, 상기제어수단(7)은, 상기제어용온도센서(36)로측정한상기가열벽(33)의온도에기초하여상기처리액가열수단(6)을제어하도록하였다.
Abstract translation: 本发明的目的是使得可以控制用于处理基板井的处理溶液的温度。 一种基板处理装置（1），其用于将处理液加热到规定的温度来处理基板（2），该基板处理装置具有收纳处理液的容器（收容容器（8），加热容器（22） 一种处理液体加热装置（6），其在壁（33）上设有加热器（34）并通过加热壁（33）用加热器（34）加热处理液体， 和用于根据由控制温度传感器（36）测量的温度控制处理液体加热装置（6）的控制装置（7） 并且控制装置（7）基于由控制温度传感器（36）测量的加热壁（33）的温度来控制处理液体加热装置（6）。
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公开(公告)号：KR1020150050455A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020140148291
申请日：2014-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02019 , H01L21/32134 , H01L21/67075
Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是减少蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括用于在蚀刻处理单元中重新填充蚀刻溶液的初始制备工艺和用于对目标物体进行蚀刻的蚀刻工艺。 初始制备方法包括使用具有高浓度Si的新的蚀刻溶液的溶液提供方法。 蚀刻工艺包括使用具有低浓度Si的新的蚀刻溶液的部分溶液交换过程。
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020160078244A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020150178176
申请日：2015-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 본발명은기판액처리장치의스루풋을향상시키는것을과제로한다. 본발명에서는, 기판(2)을처리액으로액처리하는기판액처리장치(1)에있어서, 상기처리액을저류하는처리액저류부(3)와, 상기처리액을가열하는처리액가열부[히터(18)]와, 상기처리액가열부를제어하는제어부(8)와, 상기제어부(8)에접속된온도센서(21) 및농도센서(20)를가지고, 상기제어부(8)는, 상기농도센서(20)로상기처리액의농도를계측하며, 상기온도센서(21)로상기처리액의온도를계측하고, 계측된상기처리액의농도에대응하는비점을구하며, 그비점과계측된상기처리액의온도에기초하여상기처리액가열부의출력을제어하는것으로하였다.
Abstract translation: 提供了一种用处理液处理基板（2）并提高生产量的基板液体处理装置（1）。 基板液体处理装置（1）包括：处理液体存储单元（3），其构造为在其中存储处理液体; 被配置为加热处理液体的处理液体加热单元（18）; 配置为控制处理液加热单元的控制器（8） 温度传感器（21）; 和连接到控制器（8）的浓度传感器（20）。 控制器（8）被配置为：用浓度传感器（20）测量处理液的浓度，用温度传感器（21）测量处理液的温度，计算与测量的浓度相对应的沸点 处理液体，并且基于处理液的沸点和测量温度来控制处理液体加热单元的输出。
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1020160012919A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020150101130
申请日：2015-07-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C07C15/085 , C07C31/10
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 종래부터에칭처리한기판은폴리머제거액으로세정하고있다. 본발명에서는, 종래보다세정효과를향상시킬수 있는기판처리를제공한다. 본발명에서는, 에칭처리한기판(3)을폴리머제거액으로세정하는기판처리장치(1)(기판처리방법, 기판처리프로그램을기억한컴퓨터판독가능기억매체)에있어서, 상기기판(3)을폴리머제거액으로세정처리하기전에, 상기기판(3)에이소프로필알콜증기, 수증기, 순수및 이소프로필알콜, 암모니아수, 암모니아수및 이소프로필알콜중 임의의것을공급하는것으로했다.
Abstract translation: 传统上通过聚合物去除液体来清洗蚀刻的基底。 本发明提供了与现有方法相比提高清洗效果的基板处理。 根据本发明，公开了一种用聚合物去除液清洗蚀刻的基板（3）的基板处理装置（基板处理方法和记录基板处理程序的计算机可读记录介质），其中异丙醇 蒸汽，水蒸气，去离子水和异丙醇，氨水和氨水和异丙醇在用聚合物除去液体清洗基材（3）之前，供给到基材（3）。
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公开(公告)号：KR1020150146397A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020150081944
申请日：2015-06-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명은기판의배열피치를작게했다하더라도, 각각의기판에대한처리의면내균일성을높이는것을과제로한다. 기판액 처리장치는, 복수의기판(W)을, 이들기판이기립자세로수평방향으로간격을두고배열된상태로유지하는기판유지구(3120)와, 기판유지구에유지된기판이침지되는처리액을저류하는처리조(3110)와, 처리조내에설치되고, 기판유지구에의해유지된기판의하측으로부터기판을향해서처리액을토출하는노즐(3190)을구비한다. 기판유지구는, 복수의기판중 제1 그룹의기판을제1 높이위치로유지하는제1 유지부(3124A)와, 복수의기판중 제2 그룹의기판을제1 높이위치보다낮은제2 높이위치로유지하는제2 유지부(3124B)를갖고있다.
Abstract translation: 本发明即使基板的配置间距小，也能够提高各基板的面内均匀性。 一种用本发明的液体处理基板的设备，包括：基板保持部件，用于将多个基板（W）保持在沿水平方向间隔设置的状态，同时基板支架 ; 一个处理槽，用于储存浸在基板保持件中的基板; 以及安装在处理槽中的喷嘴（3190），并且从由基板保持部件保持的基板的下侧朝向基板排出处理液。 基板保持部件包括：第一保持单元，用于将多个基板中的第一组的基板保持为第一高度;第二保持单元，用于将第二组的基板保持在第一高度; 基板处于低于第一高度的第二高度。
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