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公开(公告)号：KR101837800B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020140148291
申请日：2014-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是在很小程度上抑制蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括将蚀刻剂填充到蚀刻处理部分中的初始准备步骤和蚀刻待处理对象的蚀刻步骤。 初始准备步骤，并以供给液体和的步骤，并使用Si浓度的新的蚀刻液中的蚀刻工艺包括使用低Si浓度的新的蚀刻溶液部分液体交换步骤。
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公开(公告)号：KR101942447B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：KR1020120137045
申请日：2012-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
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公开(公告)号：KR1020150050455A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020140148291
申请日：2014-10-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02019 , H01L21/32134 , H01L21/67075
Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是减少蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括用于在蚀刻处理单元中重新填充蚀刻溶液的初始制备工艺和用于对目标物体进行蚀刻的蚀刻工艺。 初始制备方法包括使用具有高浓度Si的新的蚀刻溶液的溶液提供方法。 蚀刻工艺包括使用具有低浓度Si的新的蚀刻溶液的部分溶液交换过程。
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公开(公告)号：KR101932775B1
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：KR1020130080224
申请日：2013-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170139453A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：KR1020170069578
申请日：2017-06-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67017 , H01L21/67086 , H01L21/67253
Abstract: 본발명은, 인산수용액의농도를변화시키지않고, 인산수용액의비등상태를일정하게유지하여, 에칭균일성을도모하는것을목적으로한다. 기판액처리장치(1)는액처리부(39)와, 처리액순환라인(42)과, 액처리부(39)의처리조(34)에설치된비등상태검출부(70)를갖는다. 비등상태검출부(70)로부터의신호에기초하여제어부(7)는, 처리액순환라인(42)의공급펌프(51)를제어하고, 공급되는유로내의인산수용액의압력을조정하여인산수용액의비등상태를원하는상태로조정한다.
Abstract translation: 本发明的目的是在不改变磷酸水溶液的浓度的情况下将磷酸水溶液的沸腾状态保持在恒定水平，由此实现蚀刻均匀性。 基板液处理装置1具有设置在液处理部39的处理槽34内的液处理部39，处理液循环管线42和沸腾状态检测部70。 控制部7基于来自沸腾状态检测部70的信号，控制处理液循环线42的供给泵51，调整供给的流路中的磷酸水溶液的压力， 达到所需的状态。
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公开(公告)号：KR1020140008254A
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020130080224
申请日：2013-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , B08B13/00 , H01L21/68735
Abstract: The present invention is to provide a cleaning method for cleansing a cup and a member around the cup. In the cleaning method, a cleaning solution is supplied from the upper part of a cleaning jig to a cleansing jig by holding the cleaning jig (80) in a substrate holding part (52) and rotating it. The cleansing solution supplied to the cleaning jig is spread along the surface of an inclined part formed around the total cleaning jig near the outer edge of the cleaning jig. Therefore, the cup is cleaned.
Abstract translation: 本发明提供一种清洁杯子和杯子周围的部件的清洁方法。 在清洁方法中，通过将清洁夹具（80）保持在基板保持部（52）中并使其旋转，将清洁溶液从清洁夹具的上部供给到清洁夹具。 提供给清洁夹具的清洁溶液沿着靠近清洁夹具的外边缘的整个清洁夹具形成的倾斜部分的表面扩展。 因此，杯子被清洁。
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8.发明公开기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 审中-实审基板处理方法，用于实施基板处理方法和基板处理装置的存储式存储计算机程序
公开(公告)号：KR1020130061099A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：KR1020120137045
申请日：2012-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/04 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing a computer program for implementing the substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a processing speed by supplying a chemical solution to a wafer. CONSTITUTION: A chemical solution is supplied to a substrate. A rinsing solution is supplied to the substrate. The substrate is dried. The substrate is rotated with a first rotation number in a first drying process. The substrate is rotated with a second rotation number in a second drying process. The first rotation number is larger than the second rotation number. [Reference numerals] (AA) Revolution number(rpm); (BB) Rinse process; (CC) First drying process(surface substitution); (DD) Third drying process(overall substitution); (EE) Fourth drying process(IPA scattering); (FF) Second drying process(agitation); (GG) Time(sec)
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，存储用于实现基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，以通过向晶片提供化学溶液来提高处理速度。 构成：将化学溶液提供给基材。 向基板供给冲洗溶液。 将基材干燥。 在第一干燥过程中，基板以第一转数旋转。 在第二干燥过程中，基板以第二转数旋转。 第一转数大于第二转数。 （标号）（AA）转数（rpm）; （BB）冲洗过程; （CC）第一次干燥过程（表面取代）; （DD）第三次干燥过程（整体替代）; （EE）第四次干燥过程（IPA散射）; （FF）第二次干燥过程（搅拌）; （GG）时间（秒）
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9.发明授权건조 장치, 건조 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법,프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 有权一种干燥装置，干燥方法，基板处理装置，基板处理方法，记录程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101061926B1
公开(公告)日：2011-09-02
申请号：KR1020060111687
申请日：2006-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/67034 , Y10S118/90 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 건조 증기를 이용하여 피처리체를 양호하게 건조시킬 수 있는 건조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 건조 장치는 피처리체를 수용하는 처리조와, 상기 처리조에 접속되고, 상기 처리조 안에 캐리어 가스 및 건조 증기를 공급하는 공급 기구와, 상기 공급 기구에 의한 캐리어 가스의 공급 및 건조 증기의 공급을 제어하는 제어 장치를 구비한다. 상기 처리조에 수용된 피처리체를 처리할 때, 캐리어 가스와 건조 증기를 포함하는 혼합 유체는 상기 처리조 안에 간헐적으로 공급되게 되어 있다.Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种干燥装置，其能够使用干燥蒸汽良好地干燥被处理物。
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10.发明公开건조 장치, 건조 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법,프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 有权干燥装置，干燥方法，基板处理装置，基板处理方法和具有程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020070053112A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060111687
申请日：2006-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/67034 , Y10S118/90 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 건조 증기를 이용하여 피처리체를 양호하게 건조시킬 수 있는 건조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 건조 장치는 피처리체를 수용하는 처리조와, 상기 처리조에 접속되고, 상기 처리조 안에 캐리어 가스 및 건조 증기를 공급하는 공급 기구와, 상기 공급 기구에 의한 캐리어 가스의 공급 및 건조 증기의 공급을 제어하는 제어 장치를 구비한다. 상기 처리조에 수용된 피처리체를 처리할 때, 캐리어 가스와 건조 증기를 포함하는 혼합 유체는 상기 처리조 안에 간헐적으로 공급되게 되어 있다.
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