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公开(公告)号：KR1020170055274A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
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公开(公告)号：KR1020160133727A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066622
申请日：2015-05-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은금속칼코게나이드필름의제조방법에관한것으로, 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)을이용하여높은광흡수계수를가지고있어태양전지의광흡수층으로이용가능한금속칼코게나이드필름의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160005946A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140085100
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/45525 , C23C16/45534 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명은동일주석전구체로부터 HO의존재하에신규의 SnO 상태의 p형주석산화물박막을증착하는단계를포함하는주석산화물박막제조및 제어방법과이를이용한트랜지스터제조방법을제공하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造和控制氧化锡薄膜的方法及其制造方法，包括以下步骤：从H_2O存在下沉积新的SnO态的p型氧化锡薄膜 相等的锡前体。 本发明的方法使用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）。 本发明的目的是提供一种用于制造诸如包括p沟道和n沟道的晶体管的逻辑器件的方法，以及具有堆叠（或替代地堆叠）结构的二极管。
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公开(公告)号：KR1020150043039A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130121986
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]
Abstract translation: 本发明涉及化学式1的钌化合物及其制造方法和薄膜的制造方法，其中化学式1的钌化合物具有优异的热稳定性，从而生产出优质的钌薄膜 。 [化学式1]
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公开(公告)号：KR101505619B1
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130026189
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 유기-무기 하이브리드 박막 증착 장치 및 이를 통한 유기-무기 하이브리드 박막 제조 방법에 관한 것으로, 무기물 증착을 위한 원자층 증착 챔버와 유기물 증착을 위한 열 증착 챔버가 상하로 연결되어 있고, 상기 챔버들을 연결하는 연결 통로에 게이트 밸브가 배치되어 있으며, 상기 원자층 증착 챔버에는 무기물 증착원을 공급하기 위한 주입구가 구비되어 있고, 상기 열 증착 챔버에는 유기물 증착원을 가열하기 위한 수단이 구비되어 있는, 유기-무기 하이브리드 박막 증착 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 분자 단위의 유기-무기 박막 형성에 있어서 열 증착법과 원자층 증착법을 이용하여 유기층/무기층의 물리적 다층 박막과 유기층과 무기층의 계면에서의 화학적 결합에 의한 유기층/무기층의 다층 박막을 형성할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101505125B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020130121985
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有热稳定性和高挥发性的钼化合物，由此用于制造包括硫属钼元素的优质薄膜。 在本发明中，提供了一种钼化合物，其用于在制造薄膜时不添加硫属元素的钼硫属化物制造薄膜。 为此，提供了由化学式1表示的钼化合物。
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公开(公告)号：KR101503031B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR101472472B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136560
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는게르마늄전구체에관한것으로, 상기게르마늄전구체는열적안정성이향상되고, 칼코겐을포함하고있는전구체인경우에는박막제조중에별도의칼코겐을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의칼코겐이포함된게르마늄박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R3, R4는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬또는플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의숫자에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR1020140127687A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046352
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钼前体。钼前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钼薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127685A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046350
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镓前体。镓前体是包含硫的前体，提供了在薄膜的制造过程中分配需要分离加入硫的优点，并具有增强的热稳定性和 挥发性，从而形成质量好的硫化镓薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，n为 1〜3的整数。
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