公开(公告)号：DE102012209713A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209713

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: Ein photovoltaisches Bauelement und Verfahren benötigen ein Substrat, das an eine Emitterseitenstruktur auf der ersten Seite des Substrats und an eine Rückseitenstruktur auf einer der ersten Seite des Substrats gegenüberliegenden Seite gekoppelt ist. Die Emitterseitenstruktur oder die Rückseitenstruktur bestehen aus Schichten, die zwischen Schichten mit großer Bandlücke und Schichten mit enger Bandlücke wechseln, um einen mehrschichtigen Kontakt mit einem wirksam erhöhten Bandoffset zum Substrat und/oder einen entscheidend höheren Dotierungsgrad über einen einzigen Materialkontakt bereitzustellen. Ein Emitterkontakt ist mit der Emitterseitenstruktur auf einem Lichtkollektorendteil des Bauelementes verbunden. Mit der Rückseitenstruktur, die dem Lichtkollektorendteil gegenüberliegt, ist ein Rückkontakt verbunden.

公开(公告)号：DE602004007940T2

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：DE602004007940

申请日：2004-09-10

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHOE KWANG SU ,  FOGEL KEITH F ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/00 ,  C22F1/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: A simple and direct method of forming a SiGe-on-insulator that relies on the oxidation of a porous silicon layer (or region) that is created beneath a Ge-containing layer is provided. The method includes the steps of providing a structure comprising a Si-containing substrate having a hole-rich region formed therein and a Ge-containing layer atop the Si-containing substrate; converting the hole-rich region into a porous region; and annealing the structure including the porous region to provide a substantially relaxed SiGe-on-insulator material.

公开(公告)号：SG121703A1

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：SG200200950

申请日：2002-02-19

Applicant: IBM

Inventor： KIYER SUNDAR ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/52 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/772 ,  H01L29/786

公开(公告)号：DE102012025773B3

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE102012025773

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/074

Abstract: Solarzellenstruktur (60), die Folgendes umfasst:eine p-leitende Gruppe-III/V-Substratschicht (12);eine an die Substratschicht (12) angrenzende n+-leitende Gruppe-III/V-Emitterschicht (62);eine an die Emitterschicht (62) angrenzende epitaxiale n+leitende Schicht (64), wobei die epitaxiale n+-leitende Schicht (64) SixGe1-xumfasst und wobei x zwischen 0 und 1 liegt;eine an die epitaxiale n+-leitende Schicht (64) angrenzende intrinsische amorphe Halbleiterschicht (66), die aus SiyGe1-y:H besteht, wobei y zwischen 0 und 1 liegt, undeine transparente leitende Schicht (20) oberhalb der intrinsischen amorphen Halbleiterschicht (66).

公开(公告)号：DE102012218265B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE102012218265

申请日：2012-10-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit, aufweisend:wenigstens eine obere Zelle (10), bestehend aus wenigstens einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial;eine untere Germanium-Zelle (16) in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle (10), wobei die untere Zelle (16) eine Germanium-enthaltende Schicht (18) in Kontakt mit der Oberfläche der wenigstens einen oberen Zelle (10), wenigstens eine intrinsische hydrierte Silicium-enthaltende Schicht (20) in Kontakt mit einer Oberfläche der Germanium-enthaltenden Schicht (18) und wenigstens eine dotierte hydrierte Silicium-enthaltende Schicht (22) in Kontakt mit einer Oberfläche der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (20) aufweist; undeinen leitfähigen Kontakt (24) in Kontakt mit einer Oberfläche der dotierten hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (22), wobei der leitfähige Kontakt (24) wenigstens ein transparentes leitfähiges Material enthält, wobei ein Übergang zwischen der Germanium-enthaltenden Schicht (18) und einer Rückseitenfeld Struktur aus der wenigstens einen intrinsischen hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (20) und der dotierten hydrierten Silicium-enthaltenden Schicht (22) ein elektrisches Feld erzeugt, das eine Barriere für den Strom von Minoritätsträgern zu dem leitfähigen Kontakt (24) einführt, wobei die Germanium-enthaltende Schicht (18) und die Rückseitenfeld Struktur den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen.

公开(公告)号：DE102016204362A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L33/22 ,  H01L51/54

Abstract: Eine Einheit mit einer lichtemittierenden Diode (LED), die eine Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) beinhaltet, sowie ein lichtdurchlässiges Substrat, das mit der LED-Struktur in Kontakt steht. Das lichtdurchlässige Substrat weist eine Strukturoberfläche auf, die so angepasst wird, dass sie Elemente mit Abmessungen beinhaltet, die größer als eine Wellenlänge von Licht sind, das von der LED-Struktur erzeugt wird. Bei einigen Ausführungsformen verbessert eine Erhöhung der Elementgröße der Struktur, um vergleichbar mit der Wellenlänge von Licht zu sein, das von der LED erzeugt wird, die Lichtauskopplung aus der LED im Vergleich zu dem Fall, in dem die Elementgröße der Struktur wesentlich kleiner oder wesentlich größer als die Lichtwellenlänge ist.

公开(公告)号：DE102016105057A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016105057

申请日：2016-03-18

Applicant: IBM

Inventor： LEOBANDUNG EFFENDI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/8258 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer optoelektronischen Einheit und einer Siliciumeinheit auf einem einzelnen Chip. Das Verfahren kann umfassen: Bilden eines Siliciumsubstrats in einer ersten und zweiten Zone eines einzelnen Chips; Bilden einer Germaniumschicht über dem Substrat zumindest in der ersten Zone; Bilden der optoelektronischen Einheit auf der Germaniumschicht in der ersten Zone, wobei die optoelektronische Einheit eine obere Verkleidungsschicht, eine untere Verkleidungsschicht und eine aktive Zone aufweist, wobei sich die untere Verkleidungsschicht auf der Halbleiterschicht befindet, die aktive Zone in Nachbarschaft zu einem Wellenleiter und auf der unteren Verkleidungsschicht befindet und die obere Verkleidungsschicht auf der aktiven Zone befindet; und Bilden der Siliciumeinheit auf einer Siliciumschicht in der zweiten Zone.

公开(公告)号：GB2504430B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer and forming an intrinsic layer on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

公开(公告)号：DE112013003292T5

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE112013003292

申请日：2013-06-25

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Fotovoltaikeinheit schließt ein Abscheiden (302) einer oder mehrerer Schichten eines Fotovoltaikstapels auf einem Substrat unter Verwendung eines plasmaunterstützten chemischen Abscheidungsprozesses aus der Gasphase mit hoher Abscheidungsrate (HDR-PECVD-Prozess) ein. Auf dem Fotovoltaikstapel werden Kontakte gebildet (306), um eine Solarzelle bereitzustellen. An der Solarzelle wird ein Tempern (310) mit einer Temperatur und Dauer durchgeführt, die so ausgelegt sind, dass sie die Gesamtleistung verbessern.

公开(公告)号：GB2499318B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：GB201302000

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： ZHANG ZHEN ,  SUN YANNING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/18 ,  H01L21/441 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66