INDUKTIVER WINKEL- UND/ODER POSITIONSSENSOR

    公开(公告)号:DE102019220492A1

    公开(公告)日:2021-06-24

    申请号:DE102019220492

    申请日:2019-12-20

    Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft einen induktiven Winkel- und/oder Positionssensor (100) mit einer ersten Sensorkomponente (110) und einer relativ dazu beweglichen zweiten Sensorkomponente (120), wobei die erste Sensorkomponente (110) eine Erregerspule (111) und eine Empfangsspulen-Anordnung (112) mit zwei oder mehr einzelnen Empfangsspulen (112A, 112B) aufweist, und wobei die zweite Sensorkomponente (120) ein induktives Target (121) aufweist. Die erste Sensorkomponente (110) weist einen Halbleiterchip (113) mit einer integrierten Schaltung auf. Der Sensor (100) weist ein Gehäuse (114) auf, in dem der Halbleiterchip (113) angeordnet ist. Die einzelnen Empfangsspulen (112A, 112B) der Empfangsspulen-Anordnung (112) sind in mindestens zwei voneinander beabstandeten strukturierten Metallisierungslagen (200A, 200B) ausgestaltet, die innerhalb des Gehäuses (114) und/oder außerhalb auf einer Außenfläche (114a, 114b) des Gehäuses (114) angeordnet sind.

    Mikromechanischer, kapazitiver Drucksensor

    公开(公告)号:DE102012223550B4

    公开(公告)日:2020-07-16

    申请号:DE102012223550

    申请日:2012-12-18

    Abstract: Mikromechanisches Halbleitererfassungsbauelement (100, 101, 400), das Folgendes aufweist:eine mikromechanische Erfassungsstruktur (10, 43), die konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Erfassungssignals (15), wobei die mikromechanische Erfassungsstruktur (10, 43) einen kapazitiven Drucksensor mit einer beweglichen Membran (31,51) über einem Hohlraum (33, 53, 64) aufweist undein in der mikromechanischen Erfassungsstruktur (10, 43) bereitgestelltes piezoresistives Erfassungsbauelement (14) in Form eines beanspruchungsempfindlichen Transistors (57, 67), wobei der Transistor (57, 67) ausgelegt ist zum Erfassen einer das elektrische Erfassungssignal (15) störenden mechanischen Beanspruchung und konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Störsignals (16) auf der Basis der das elektrische Erfassungssignal (15) störenden erfassten mechanischen Beanspruchung,wobei der Transistor (57, 67)in einer Tiefe der beweglichen Membran (31, 51) derart platziert ist, dass der Teil des elektrischen Störsignals (16), der auf einer Auslenkung der Membran basiert, minimiert ist.

    CHIPINDUKTIONSSPULE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERCHIPINDUKTIONSSPULE

    公开(公告)号:DE102008050063B4

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:DE102008050063

    申请日:2008-10-01

    Inventor: THEUSS HORST

    Abstract: Chipbauelement, aufweisend:- ein erstes Substrat (100), das mindestens eine erste leitende Streifenleitung (101a-101n) mit Endanschlüssen an einer Oberfläche des ersten Substrats (100) aufweist;- ein zweites Substrat (200), das mindestens eine zweite leitende Streifenleitung (201a-201n) mit Endanschlüssen an einer Oberfläche des zweiten Substrats (200) aufweist, wobei ein Raster der Endanschlüsse auf dem ersten Substrat (100) einem Raster der Endanschlüsse auf dem zweiten Substrat (200) entspricht;- leitende Zapfen (102a-102n, 103a, 103n), die die Endanschlüsse auf dem ersten Substrat (100) mit den Endanschlüssen auf dem zweiten Substrat (200) unter Ausbildung mindestens einer Induktionsspulenschleife verbinden;- ein erstes magnetisches Element (104), welches innerhalb der Induktionsspulenschleife angeordnet ist; und- ein zweites magnetisches Element (105), welches an dem ersten Substrat (100) auf einer Oberfläche gegenüber der Oberfläche angeordnet ist, wo Endanschlüsse der ersten leitenden Streifenleitung (101a-101 n) angeordnet sind.

    PHOTOAKUSTISCHES SENSORMODUL UND ANORDNUNG

    公开(公告)号:DE102019128654A1

    公开(公告)日:2020-05-14

    申请号:DE102019128654

    申请日:2019-10-23

    Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine modulare Anordnung von photoakustischen Sensoren. Ein Beispiel-Verbindungsmodul umfasst eine Stützstruktur, die ausgebildet ist, um zwischen einem Emittermodul des photoakustischen Sensors und einem Detektormodul des photoakustischen Sensors angeordnet zu sein. Das Emittermodul kann eine Emitterkomponente umfassen und das Detektormodul kann eine Detektorkomponente umfassen. Das Verbindungsmodul kann ein leitfähiges Element umfassen, das ausgebildet ist, um sich mit zumindest einer der Emitterkomponente oder der Detektorkomponente zu verbinden.

    Hermetisch abgedichtetes Gehäuse mit einem Halbleiterbauteil sowie Verfahren zum Herstellen desselben

    公开(公告)号:DE102017125140A1

    公开(公告)日:2019-05-02

    申请号:DE102017125140

    申请日:2017-10-26

    Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil. Das Verfahren beinhaltet ein Einbringen eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer. Der Gehäusedeckel schließt einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht ist. In dem Gehäuse ist zumindest eine Öffnung ausgebildet. Zumindest ein Halbleiterbauteil ist in dem Hohlraum angeordnet. Ferner beinhaltet das Verfahren ein Erzeugen eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer sowie ein Erzeugen einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer. Das Verfahren beinhaltet zudem ein Aufbringen von Dichtungsmaterial auf die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht.

    Laminatpackung von Chip auf Träger und in Kavität

    公开(公告)号:DE102016107031A1

    公开(公告)日:2017-10-19

    申请号:DE102016107031

    申请日:2016-04-15

    Abstract: Eine Packung (100), umfassend einen Chipträger (102), hergestellt aus einem ersten Material, einen Körper (104), hergestellt aus einem zweiten Material, das sich vom ersten Material unterscheidet, und angeordnet auf dem Chipträger (102) zum Bilden einer Kavität (106), einen Halbleiterchip (108), mindestens teilweise in der Kavität (106) angeordnet, und ein Laminat (110), einkapselnd mindestens eines von mindestens einem Teil des Chipträgers (102), mindestens einem Teils des Körpers (104) und mindestens einem Teil des Halbleiterchips (108).

    Hohlraumgehäuse mit eingebetteter leitfähiger Schicht und verbesserter Abdichtung

    公开(公告)号:DE102017204118A1

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:DE102017204118

    申请日:2017-03-13

    Abstract: Eine Basisplatte mit einer ersten Seite mit einem erhöhten Abschnitt, einem ausgenommenen Abschnitt, der den erhöhten Abschnitt lateral umgibt, und eine vertikale Fläche, die sich von dem ausgenommenen Abschnitt zu dem erhöhten Abschnitt erstreckt, wird bereitgestellt. Mindestens ein Teil der vertikalen Fläche ist mit einer Metallschicht bedeckt. Eine Vergussmassenstruktur wird auf der ersten Seite ausgebildet, wobei die Metallschicht derart zwischen der ersten Seite und der Vergussmassenstruktur angeordnet ist, dass die Vergussmassenstruktur einen erhöhten Abschnitt, der einen ausgenommenen Abschnitt lateral umgibt, und gegenüberliegende Kantenflächen, die sich vertikal von dem ausgenommenen Abschnitt zum erhöhten Abschnitt erstrecken, enthält. Mindestens ein Teil der Basisplatte wird danach entfernt, so dass der ausgenommene Abschnitt der Vergussmassenstruktur von der Basisplatte unbedeckt ist, und derart, dass die Metallschicht auf mindestens einer unbedeckten Sektion der Vergussmassenstruktur verbleibt.

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