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    Anschlussstruktur eines Leistungshalbleiterbauelements
    91.
    发明专利
    Anschlussstruktur eines Leistungshalbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016122318A1

    公开(公告)日：2018-05-24

    申请号：DE102016122318

    申请日：2016-11-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  PELZER RAINER

    IPC: H01L23/482 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst: einen Halbleiterkörper (10), der derart ausgelegt ist, dass er einen Laststrom leitet; einen ersten Lastanschluss (11), der mit dem Halbleiterkörper (10) elektrisch verbunden und derart ausgelegt ist, dass er den Laststrom in den Halbleiterkörper (10) einkoppelt und/oder aus ihm auskoppelt, wobei der erste Lastanschluss (11) eine Metallisierung (111) umfasst, die eine Vorderseite (1111) und eine Rückseite (1112) aufweist, wobei die Rückseite (1112) mit einer Fläche (101) des Halbleiterkörpers (10) verbunden ist, und die Vorderseite (1111) derart ausgelegt ist, dass sie mit einer Drahtstruktur (15) verbunden ist, die mindestens einen Draht (151) aufweist, der zum Leiten von mindestens einem Teil des Laststroms ausgelegt ist. Die Vorderseite (1111) der Metallisierung weist eine seitliche Struktur auf, die zumindest durch mindestens eine lokale Erhöhung der Metallisierung (111) gebildet wird. Die mindestens eine lokale Erhöhung (112) weist eine Höhe (LEH) in Erstreckungsrichtung (Z), die durch den Abstand zwischen einer Basis (1122) und einer Oberseite (1121) der lokalen Erhöhung (112) definiert ist, und in einer ersten seitlichen Richtung (X), die zur Erstreckungsrichtung (Z) senkrecht ist, eine Basisbreite (LEW2) an der Basis (1122) und eine Oberseitenbreite (LEW1) an der Oberseite (1121) auf. Die Oberseitenbreite (LEW1) beträgt weniger als 90 % der Basisbreite (LEW2).

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER GRABENELEKTRODENANORDNUNG
    92.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER GRABENELEKTRODENANORDNUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014104108B4

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：DE102014104108

    申请日：2014-03-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren aufweist: Herstellen eines Grabens (140), der sich von einer ersten Oberfläche (101) eines Halbleiterkörpers (100) derart in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, dass der Graben (140) einen ersten Grabenabschnitt und wenigstens einen an den ersten Grabenabschnitt angrenzenden zweiten Grabenabschnitt aufweist und wobei der Graben (140) im ersten Grabenabschnitt weiter als in dem zweiten Grabenabschnitt ist; Herstellen einer ersten Elektrode (61), die durch eine erste Dielektrikumsschicht (62) von Halbleitergebieten des Halbleiterkörpers 100 dielektrisch isoliert ist, in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt; Herstellen einer Zwischenelektrodendielektrikumsschicht (63) auf der ersten Elektrode (61) in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt; und Herstellen einer zweiten Elektrode in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der Zwischenelektrodendielekrikumsschicht (63) und in dem ersten Grabenabschnitt derart, dass die zweite Elektrode (21) wenigstens in dem zweiten Grabenabschnitt durch eine zweite Dielektrikumsschicht von Halbleitergebieten des Halbleiterkörpers (100) dielektrisch isoliert ist.

    HALBLEITERBAUELEMENTE, LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    93.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENTE, LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE102016118543A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：DE102016118543

    申请日：2016-09-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  LUDWIG JACOB TILLMAN

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Driftregion einer Bauelementstruktur, die in einer Halbleiterschicht angeordnet ist. Die Driftregion umfasst zumindest einen ersten Driftregionabschnitt und zumindest einen zweiten Driftregionabschnitt. Ein Großteil von Dotierstoffen innerhalb des ersten Driftregionabschnitts ist eine erste Spezies von Dotierstoffen mit einer Diffusivität von weniger als einer Diffusivität von Phosphor innerhalb der Halbleiterschicht. Ferner ist ein Großteil von Dotierstoffen innerhalb des zweiten Driftregionabschnitts eine zweite Spezies von Dotierstoffen. Zusätzlich dazu umfasst das Halbleiterbauelement einen Graben, der sich von einer Oberfläche der Halbleiterschicht in die Halbleiterschicht erstreckt. Eine vertikale Distanz einer Grenze zwischen dem ersten Driftregionabschnitt und dem zweiten Driftregionabschnitt zu der Oberfläche der Halbleiterschicht ist größer als 0,5 Mal eine maximale Tiefe des Grabens und kleiner als 1,5 Mal die maximale Tiefe des Grabens.

    Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung
    95.
    发明专利
    Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102014114670A1

    公开(公告)日：2015-04-09

    申请号：DE102014114670

    申请日：2014-10-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BACHER ERWIN ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHWEINBOECK THOMAS ,  WITTBORN JESPER ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L23/544 ,  H01L21/266 ,  H01L27/28 ,  H01L29/06

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat. Das Halbleitersubstrat umfasst eine Vielzahl von ersten Dotierregionen einer ersten Dotierstruktur, die an einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist und eine Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur, die an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Die ersten Dotierregionen der Vielzahl von ersten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur umfassen Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen. Ferner umfassen die zweiten Dotierregionen der Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen. Zumindest eine Dotierregion der Vielzahl von ersten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur überlagert teilweise zumindest eine zweite Dotierregion der Vielzahl von zweiten Dotierregionen der ersten Dotierstruktur, was zu einer Überlagerungsregion, die an der Hauptoberfläche angeordnet ist, führt.

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
    96.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014114312A1

    公开(公告)日：2015-04-09

    申请号：DE102014114312

    申请日：2014-10-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BRANDL PETER

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen vertikalen IGFET (310) in einem ersten Gebiet (300) eines Halbleiterkörpers (200), wobei der vertikale IGFET (310) eine Driftzone (324) zwischen einer Bodyzone (320) und einer Drainzone (328) hat und die Driftzone (324) ein vertikales Dotierstoffprofil eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, das eine Überlagerung eines ersten Dotierstoffprofils (A), das mit zunehmendem Abstand von der Drainelektrode (328) abnimmt und das vertikale Dotierstoffprofil in einer ersten Zone nächst zu der Drainelektrode (328) dominiert, und eines zweiten Dotierstoffprofils (B), das ein verbreitertes Spitzendotierstoffprofil ist und das vertikale Dotierstoffprofil in einer zweiten Zone nächst zu der Bodyzone (320) dominiert, ist.

    Testverfahren und Testanordnung, Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Verarbeitung eines Halbleiterbauelements
    97.
    发明专利
    Testverfahren und Testanordnung, Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Verarbeitung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102013111154A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：DE102013111154

    申请日：2013-10-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRLER FRANZ ,  NELLE PETER ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L23/544

    Abstract: Ein Testverfahren (700) gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: Bereitstellen eines zu testenden Halbleiterbauelements, wobei das Halbleiterbauelement mindestens eine Bauelementzelle enthält, wobei die mindestens eine Bauelementzelle Folgendes enthält: mindestens einen Graben, mindestens eine erste Anschlusselektrodenregion und mindestens eine zweite Anschlusselektrodenregion, mindestens eine Gate-Elektrode, und mindestens eine zusätzliche Elektrode, die mindestens teilweise in dem mindestens einen Graben angeordnet ist, wobei ein elektrisches Potenzial der mindestens einen zusätzlichen Elektrode von elektrischen Potenzialen der mindestens einen ersten Anschlusselektrodenregion, der mindestens eine zweite Anschlusselektrodenregion und der mindestens eine Gate-Elektrode separat gesteuert werden kann (702); und Anlegen mindestens eines elektrischen Testpotenzials an mindestens die mindestens eine zusätzliche Elektrode, um Defekte in der mindestens einen Bauelementzelle zu detektieren (704).

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