公开(公告)号：CN102629543A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110303446.8

申请日：2011-10-09

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 浅井博文 ,  桥野义和

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31711

Abstract: 本发明提供离子注入方法和离子注入装置。该离子注入方法可以不受在基板面内形成的不均匀剂量分布的形状的限制，使作为不希望具有的剂量分布的过渡区域变小，并且可以缩短离子注入处理所需要的时间。该离子注入方法通过改变离子束(3)和基板(11)的相对位置关系，向基板(11)注入离子。而且，按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，该第一离子注入处理在基板(11)上形成均匀的剂量分布，该第二离子注入处理在基板(11)上形成不均匀的剂量分布，并且在进行第二离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸比在进行第一离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸小。

公开(公告)号：CN102468104A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110354511.X

申请日：2011-11-10

Applicant: FEI公司

Inventor： A.亨斯特拉

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/09

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/06 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/31713

Abstract: 本发明公开了带有集成静电能量过滤器的带电粒子源。本发明涉及带有集成能量过滤器的带电粒子过滤器。其中所用的大部分过滤器具有高度弯曲的光轴，且因此使用具有难以制造的形式的部件，根据本发明的该源使用在直光轴周围的电极。令人吃惊的是，本发明者发现，倘若电极（114,116,120,122）中的一些形成为120°/60°/120°/60°，很可能使带电粒子束106a偏转离轴线104相当远，示出在能量选择狭缝108处显著的能量扩散，而不引入不能矫正的彗差或像散。这些电极能通过胶合或钎焊陶瓷而附连到彼此，且然后可例如通过火花腐蚀而形成高度同心的孔。

公开(公告)号：CN1658331B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200510051944.2

申请日：2005-02-16

Applicant: FEI公司

Inventor： J·奇梅里克 ,  A·亨斯特拉

IPC: G21K1/00 ,  G21K1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/153 ,  H01J37/26

Abstract: 本发明揭示了一种能够进行能量选择的粒子源。能量选择是通过使带电粒子束(13)偏心通过透镜(6)。由于这种方式，在经透镜(6)所形成的像15内出现能量扩散。通过将像(15)投射到光阑(7)上，可仅允许能谱内有限部分的粒子通过。因此，通过的射束(16)具有减小的能够分布。通过增设偏转单元(10)，该粒子束(16)能够向光轴偏转。还可选择向光轴偏转通过透镜(6)中央的(例如具有较大射束电流的)射束(12)。

公开(公告)号：CN102301453A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005824.8

申请日：2010-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·S·贝福 ,  史费特那·瑞都凡诺史费特那 ,  具本雄 ,  威尔汉·P·普拉托 ,  法兰克·辛克莱 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  奎格·R·钱尼 ,  史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 ,  捷葛泰普·玫尔 ,  艾利克·R·科步 ,  肯尼夫·H·普许尔 ,  沙杜·佩特尔 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。

公开(公告)号：CN102208320A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110072190.4

申请日：2011-03-17

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 万志民 ,  约翰·D·波拉克 ,  唐·贝瑞安 ,  任克川

IPC: H01J37/317

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31711

Abstract: 一种具有可变孔隙的孔隙调整装置，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。

公开(公告)号：CN101383261B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200710162191.1

申请日：2007-12-21

Applicant: 采钰科技股份有限公司

Inventor： 郭养国 ,  邓国星

IPC: H01J37/28

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/045

Abstract: 本发明提供一种扫描式电子显微镜，包括：电子束源，产生初级电子束；聚焦透镜，聚焦该初级电子束；基板，其表面形成有具有孔隙的钻石膜，以供该初级电子束通过；以及扫描单元，以该初级电子束对样品进行二维扫描。本发明可解决基板空隙变形及微粒污染的问题，有效降低成本，并能有效增加电子束强度。

公开(公告)号：CN101233597B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200680028442.0

申请日：2006-06-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·范德波特 ,  黄永灿

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供了一种用于减轻在离子注入期间的污染的系统、方法以及装置。本发明提供了离子源、终点台以及设置在离子源与终点台之间的质量分析器，其中离子束由离子源形成且经由质量分析器而行进至终点台。离子束收集组件包括：粒子收集器、粒子吸引器以及与质量分析器连接的屏蔽。其中，可操作粒子吸引器的电位，以将污染粒子吸引并限制在粒子收集器中，并且其中可操作该屏蔽，以将粒子吸引器的电位与质量分析器中离子束的电位屏蔽。

公开(公告)号：CN101996839A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010510825.X

申请日：2010-07-26

Applicant: 卡尔蔡司NTS有限责任公司

Inventor： 德克·普雷克扎斯 ,  迈克尔·阿尔比兹

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/09 ,  H01J37/141

CPC classification number: H01J37/09 ,  H01J37/15 ,  H01J37/265 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/14 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及一种粒子束装置(1)，其具有光阑孔可调的第一光阑组件(8)。本发明还涉及一种用于粒子束装置(1)的光阑组件(8)。此外，本发明还涉及一种用于在粒子束装置(1)中调整束流的方法。粒子束装置(1)包括具有第一极靴(6a)和第二极靴(6b)的第一聚束透镜(6)。可以相对于第二光阑组件(9)相互独立地调整第一极靴(6a)与第二极靴(6b)两者。第二光阑组件(9)被设计为压力级光阑，其将具有第一压力的真空的第一区域与具有第二压力的真空的第二区域相互隔开。根据本发明的方法涉及调整该粒子束装置(1)中的束流。

公开(公告)号：CN1985344B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580017795.6

申请日：2005-05-13

Applicant: 纳米束有限公司

Inventor： 张涛

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/147 ,  H01J37/09 ,  H01J37/15

CPC classification number: G21K1/087 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/15 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/3175

Abstract: 用来屏蔽带电粒子束的设备。射束屏蔽单元(1)包括固定到支撑板(15)的第一和第二屏蔽板(2，3)。阻止器(4)与5第一屏蔽板(2)机械地连接和电连接。

公开(公告)号：CN101802964A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107478.7

申请日：2008-08-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·J·罗 ,  皮尔·R·卢比克 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  卡森·D·泰克雷特萨迪克

IPC: H01J37/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/16 ,  H01J37/248 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038 ,  H01J2237/2001

Abstract: 本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。