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公开(公告)号：KR100174881B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950024503
申请日：1995-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe
2 O
3 )등과 같은 마스크 패턴 재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되어 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고, 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다.
따라서, 단일의 포토레지스트층에 1번의 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한, 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광의 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990016809A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039495
申请日：1997-08-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세가공기술로 제작 가능한 압전 박막을 이용하여 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지도록 하는 마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
실리콘 미세가공기술을 이용해 정전기력 및 자기력으로 구동되는 종래의 진동형 마이크로 자이로스코프는 진동 방향과 수직한 방향으로 발생하는 코리올리 힘을 이용하여 각속도를 측정하게 되는데, 공기 감쇠의 효과를 줄여 감도를 높이기 위해서는 진공 패키징이 요구되며, 가진과 검출의 진동 모드를 가능한 정확히 조율해야 하는 문제점이 발생한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 센서의 구조가 실리콘, 압전 박막 및 금속의 적층형으로 구성되어 있어 반도체 제조 공정으로 구현이 가능하고, 종래의 정전 용량 검출법의 단점을 보완하기 위해, 원판 구동형이 아닌 직선적으로 전파되는 진행파를 이용한 압전 박판이 외부 회전 각속도에 의해 받게되는 코리올리 힘을 전기적 신호로 검출되도록 함으로써, 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루지게 되어 회로가 단순화되며 진공 패키징 및 주파수 조율이 필요 없는 저가의 고감도 각속도계를 제시한다.-
公开(公告)号：KR100160907B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950052662
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100160544B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019940033474
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 스텝퍼에 있어서 반도체 미세회로 패턴을 지닌 마스크와 패턴이 옮겨질 웨이퍼 사이를 정렬하는 정렬장치 및 그 방법에 관한 것으로 웨이퍼를 바로 노광위치에서 정렬을 수행하고 노광을 하며 또는 노광을 수행하는 동안에도 웨이퍼 정렬을 수행할 수 있으며 정렬광을 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법으로써 off-axis 정렬방식에서 웨이퍼 스테이지의 base-line 오차가 근본적으로 발생하지 않도록 하는 웨이퍼 스텝퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100160918B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950052682
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 랫칭형 자기력 구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판의 바닥면에 습식 식각에서 마스크로 사용하기 위한 열산화막과 질화막을 순차적으로 형성한 후, 구조체 형태로 건식 식각하는 제1단계와; 상기 제1단계의 수행 후, 비등방성 용액으로 십 ㎛ 정도로 습식 식각을 하고 상기 구조체 부분의 절연을 위해 산화막을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 마이크로 릴레이의 전극을 만들기 위해 얇은 금속층을 입힌 후, 전기도금으로 후막의 전극을 형성하고, 건식 식각으로 나머지 얇은 금속층을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계의 전기도금 방법으로 코일을 형성한 다음, 폴리이미드를 덮은 후 패턴을 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계의 수행 후, 상기 구조 위에 자기코아와 희생층을 각각 올린 후, 패턴을 형성하는 제5단계와; 상기 자기 코아의 절연과 저장고의 제작을 위해 폴리이미드를 올리고 상기 희생층 제거를 위한 구멍을 제작한 후, 자기 코아의 전극을 전기도금으로 제작하고 상기 희생층을 제거하여 틈을 만드는 제6단계와; 상기 제6단계의 수행 후, 실리콘 기판 뒷면의 질화막과 산화막을 건식 식각한 후 비등방성 습식 식각을 이용하여 수은 주입구를 제작하는 제7단계와; 상기 제7단계의 수행 후, 밀봉과 절연을 위해 폴리이미드를 올리고 코일을 제작한 후, 릴레이 구조체에 압력을 이용하여 수은을 주입한 다음 글라스를 실리콘 기판에 자외선 접착제로 밀봉하는 제8단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 MHz에서 반복 스위칭 동작과 함께 액체 접점으로 인해 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100160913B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950053673
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 표면 마이크로 머시닝을 이용한 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 100면 또는 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판에 절연을 위한 산화막 및 질화막을 순차적으로 올린 후, 수은 주입구 부분의 산화막과 질화막을 건식식각으로 제거하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 상부에 수 ㎛ 이상의 후막 산화막을 올린 후, 히터와 신호전극 등을 갖는 릴레이 구조체 형태로 후막 산화막을 건식식각하고 후막의 전해 및 무전해 도금으로 신호의 배선을 제작하는 제2단계와; 상기 제2단계의 수행 후, 산화막 희생층과 습식식각 선택비가 큰 폴리 실리콘을 증착하고, 그 위에 수은주입구 식각시 웨이퍼 전면의 보호 및 완벽한 구조체 밀폐를 위해 수 ㎛ 후막의 산화막을 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후, 수은 주입 구멍을 만들기 위해 웨이퍼 뒷면의 질화막, 산화막을 건식식각한 후 비등방성 용액으로 수백 ㎛ 이상을 습식식각하고, 희생층을 습식 용액으로 제거하여 수은 주입구를 형성하는 제4단계와; 상기 제4단계에서 형성된 수은 주입구를 이용하여 액체 접점인 수은을 주입하고 글라스를 이용하여 자외선 접착제로 본딩하여 웨이퍼 뒷면을 밀봉하는 제5단계를 포함하여 이루어지며, 고온의 아노딕 본딩을 사용하지 않아 배선 금속의 산화를 막을 수 있으므로 접점의 저 저항을 이룰 수 있고, 대량생산이 가능하여 저렴하고, 릴레이 어레이의 구성을 용이하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR100160912B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950053676
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H47/00
Abstract: 본 발명은 정전구동 마이크로 릴레이 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본원 발명은 기판(10)상의 소정영역에 일부분이 단속되어 종방향으로 형성된 하부 접촉전극(12)과, 상기 하부 접촉전극(12)의 양측에 각각 형성되어 있는 하부 구동전극(13,14)과, 상기 하부 접촉전극(12)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 아래로 굴곡진 제1오목부(17)가 형성되어 있고 상기 하부 구동전극(13,14)과 수직으로 대응하는 부분이 오목한 형상을 갖도록 각각 아래로 굴곡진 제2오목부(18,19)가 형성되어 있으며 하부 접촉전극(12)과 하부 구동전극(13,14)사이에 소정의 공간이 형성되도록 소정의 높이에 브릿지형상으로 형성되어 있는 브릿지 몸체(21)와, 상기 하부 접촉전극(12)과 대면하는 브릿지 몸체(21)의 제1오목부의 배면에 형성되어 있는 상부 접촉전극(20)� ��, 상기 브릿지 몸체(21)의 전면에 형성되어 있는 상부 구동전극(20)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100163745B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950036680
申请日：1995-10-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 제1기둥의 상부에 베이스영역을 형성하고, 이 베이스영역에 에미터 전극으로부터 불순물을 확산시켜 에미터영역을 형성하므로 베이스영역과 에미터영역의 접촉면이 넓으므로 전류 구동 능력이 크고, 또한, 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작다.
또한, 상기 바이폴라 트랜지스터는 저농도 콜렉터영역으로 이용되는 제1기둥 하부의 불순물 농도가 낮고 콜렉터영역의 길이가 길므로 항복 전압 및 어얼리 전압이 높게 된다.
따라서, 전류 구동 능력이 크고 베이스영역의 기생 저항 및 기생 캐패시턴스가 작으며, 또한, 항복 전압 및 어얼리 전압이 높으므로 고속 디지탈 집적회로 및 아날로그 집적회로에 사용할 수 있어 디지탈 집적회로와 아날로그 집적회로가 혼재된 디지탈 집적회로/아날로그 집적회로를 설계 및 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980050943A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069791
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 하나의 절연성 기판 위에 화소 어레이와 스캔 및 데이터 구동회로가 집적화되어 있는 전계 에미터 패널을 제공하여, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저가격으로 제조 가능하도록 하고자한다. 본 발명에서는 상기 화소 어레이의 전계방출소자를 절연성 기판 위에 형성된 실리콘 전계방출소자로 구성함으로써, 상기 스캔 구동 회로 및 데이터 구동 회로의 기본 회로로 사용되는 상보형 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 상기 화소 어레이가 형성되어 있는 기판에 쉽게 집적화 시킬 수 있다. 또한, 상기 화소 어레이의 각 화소에 하나의 고전압 박막 트랜지스터를 부착시키고, 디스플레이의 신호를 상기 고전압 박막 트랜지스터를 통해 인가함으로써 상기 스캔 및 데이터 구동 회로의 저전압화가 가능하고, 아울러 고전압이 아닌 통상의 구동 전압에서 고속으로 동작하는 상보형 다결정 박막 트랜지스터로 상기 스캔 및 데이터 구동 회로를 보다 쉽게 구현할 수 있다
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公开(公告)号：KR1019980050454A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069277
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
진동형 마이크로 자이로스코프
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 압저항체을 이용하여 휨(bending) 변형으로부터 감지(sensing) 방향의 진동 크기를 측정하고, 이를 이용해 감지 방향의 변형이 상대적으로 크게 생기도록 구조체를 설계하여 우수한 감도를 가지는 진동형 마이크로 자이로스코프를 제공하는데 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 상하부에 지지부가 형성되며, 상하방향으로 진동하는 외부구조물; 상기 외부구조물의 내부 중앙부에 구비되며, 가로방향으로 진동하여 외부로부터 평면에 수직한 축을 갖는 회전 각속도가 가해짐에 따라 회전속도에 비례하는 코리올리 힘을 수직방향으로 전달하는 진동질량; 상기 질량의 양측에 구비되며, 그에 가로방향 정전력을 제공하는 빗살전극; 및 상기 외부구조물의 상측 지지부 양단에 연결되며, 각기 다른 가진신호를 출력하여 진동을 발생시키도록 각각 전극이 구비된 제1 및 제2 앵커를 포함하는 진동형 마이크로 자이로스코프를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
가진축과 수직한 방향으로 회전 각속도에 비례하는 진동의 크기는 압저항체를 이용하여 측정하는 것임.
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