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    LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG MIT TRENCHGATESTRUKTUREN MIT ZU EINER HAUPTKRISTALLRICHTUNG GENEIGTEN LÄNGSACHSEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    101.
    发明专利
    LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG MIT TRENCHGATESTRUKTUREN MIT ZU EINER HAUPTKRISTALLRICHTUNG GENEIGTEN LÄNGSACHSEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102015103070B4

    公开(公告)日：2021-09-23

    申请号：DE102015103070

    申请日：2015-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUPP ROLAND ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD

    IPC: H01L29/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Hauptkristallrichtung (401) parallel zu einer horizontalen Ebene,Trenchgatestrukturen (150) mit einer Längserstreckung größer als eine Breite in der horizontalen Ebene, wobei Längsachsen (159) der Trenchgatestrukturen (150), zu der ersten Hauptkristallrichtung (401) um einen Neigungswinkel (φ) von wenigstens 2 Grad und höchstens 30 Grad in der horizontalen Ebene geneigt sind, undMesateilen (170) zwischen benachbarten Trenchgatestrukturen (150), wobei erste Seitenwandabschnitte (104a) von ersten Mesaseitenwänden (104) Hauptkristallebenen parallel zu der ersten Hauptkristallrichtung (401) sind und zweite Seitenwandabschnitte (104b), die zu den ersten Seitenwandabschnitten (104a) geneigt sind, die ersten Seitenwandabschnitte (104a) verbinden.

    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GRABENSTRUKTUR EINSCHLIESSLICH EINER GATEELEKTRODE UND EINER KONTAKTSTRUKTUR FUR EIN DIODENGEBIET
    102.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT GRABENSTRUKTUR EINSCHLIESSLICH EINER GATEELEKTRODE UND EINER KONTAKTSTRUKTUR FUR EIN DIODENGEBIET 未知

    公开(公告)号：DE102015103072B4

    公开(公告)日：2021-08-12

    申请号：DE102015103072

    申请日：2015-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/739

    Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:Grabenstrukturen (350), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) erstrecken, und jeweils eine Gatestruktur (150) und eine sich durch die Gatestruktur (150) erstreckende Kontaktstruktur (315) aufweisen;Transistormesas (170) zwischen den Grabenstrukturen (350), wobei jede Transistormesa (170) eine Bodyzone (115) aufweist, die einen ersten pn-Übergang (pn1) mit einer Driftstruktur (120) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit einer Sourcezone (110) ausbildet;Diodengebiete (116), die jeweils direkt an eine der Kontaktstrukturen (315) angrenzen wobeidie Driftstruktur (120) eine Driftzone (121) und Stromspreizzonen (122) aufweist, wobei die Stromspreizzonen (122) die ersten pn-Übergänge (pn1) bilden und eine mittlere Dotierstoffkonzentration in den Stromspreizzonen (122) wenigstens doppelt so groß ist wie eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121), und wobeidie Driftstruktur (120) eine Driftzone (121) und eine Avalanche-Steuerungszone (123) aufweist, eines der Diodengebiete (116) und die Avalanche-Steuerungszone (123) einen dritten pn-Übergang (pn3) bilden und eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Avalanche-Steuerungszone (123) wenigstens doppelt so hoch ist wie eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121).

    GRABENSTRUKTUREN ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    103.
    发明专利
    GRABENSTRUKTUREN ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102018130737A1

    公开(公告)日：2020-06-04

    申请号：DE102018130737

    申请日：2018-12-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUPP ROLAND ,  MAUDER ANTON ,  LEENDERTZ CASPAR

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

    Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) enthält einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (104), der ein Sourcegebiet (101) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Bodygebiet (105) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, Abschirmgebiete (112) des zweiten Leitfähigkeitstyps und Kompensationsgebiete (114) des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist. Grabenstrukturen (102) erstrecken sich von einer ersten Oberfläche (103) entlang einer vertikalen Richtung (y) in den Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (104). Jede der Grabenstrukturen (102) weist eine Hilfselektrode (106) an einem Boden (108) der Grabenstruktur (102) und eine Gateelektrode (110) zwischen der Hilfselektrode (106) und der ersten Oberfläche (103) auf. Die Hilfselektrode (106) ist von der Gateelektrode (110) elektrisch isoliert. An die Hilfselektrode (106) jeder der Grabenstrukturen (102) grenzt am Boden (108) der Grabenstruktur (102) zumindest eines der Abschirmgebiete (112) an. An jedes der Abschirmgebiete (112) grenzt am Boden des Abschirmgebiets (112) zumindest eines der Kompensationsgebiete (114) an.

    Siliziumcarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumcarbid-Halbleiterbauelements
    105.
    发明专利
    Siliziumcarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumcarbid-Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102018103836A1

    公开(公告)日：2019-08-22

    申请号：DE102018103836

    申请日：2018-02-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist einen mit Siliziumcarbid gebildeten Halbleiterkörper (100) mit einem Sourcegebiet (110), einem Stromverteilungsgebiet (137) und einem Bodygebiet (120) auf. Das Bodygebiet (120) ist entlang einer horizontalen ersten Richtung (191) zwischen dem Sourcegebiet (110) und dem Stromverteilungsgebiet (137) angeordnet und bildet einen ersten pn Übergang (pnl) mit dem Stromverteilungsgebiet (137) und einen zweiten pn Übergang (pn2) mit dem Sourcegebiet (110). Eine Gatestruktur (150) erstreckt sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) aus in das Bodygebiete (120). Zwischen dem Bodygebiet (120) und einer der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (102) des Halbleiterkörpers (100) ist eine Ladungskompensationsstruktur (180) ausgebildet.

    Waferverbund und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen
    106.
    发明专利
    Waferverbund und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen 未知

    公开(公告)号：DE102019102323A1

    公开(公告)日：2019-08-08

    申请号：DE102019102323

    申请日：2019-01-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  RUHL GÜNTHER ,  METZGER-BRUECKL GERHARD ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUPP ROLAND

    IPC: H01L21/322

    Abstract: Diese Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, bei dem ein Waferverbund (900) bereitgestellt wird. Der Waferverbund (900) weist ein Spendersubstrat (100), ein Hilfssubstrat (300) und eine zwischen dem Hilfssubstrat (300) und dem Spendersubstrat (100) angeordnete Separationsschicht (250) auf, wobei die Separationsschicht (250) eine Stützstruktur (252) und ein Opfermaterial (255) aufweist, das lateral zwischen Elementen der Stützstruktur (252) ausgebildet ist. Das Hilfssubstrat (300) wird von dem Spendersubstrat (100) getrennt, wobei das Trennen ein Entfernen des Opfermaterials (255) selektiv zur Stützstruktur (252) aufweist.

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