公开(公告)号：KR1020160136881A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：KR1020150071065

申请日：2015-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  김홍석 ,  김정환 ,  이상훈 ,  임헌형 ,  조용석 ,  김영대 ,  양한빛

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 반도체소자의제조에서, 기판상에, 금속막패턴을포함하고상기금속막패턴의적어도일부가노출되는구조물을형성하고, 상기금속막패턴의노출된표면에금속산화물이생성되면서, 상기구조물및 금속산화물의표면을덮는예비버퍼산화막을형성하고, 그리고상기금속산화막을금속으로환원시켜, 상기금속산화막을제거하면서상기예비버퍼산화막을버퍼산화막으로변환한다. 상기반도체소자는금속의아웃개싱이감소되어금속오염이감소되고저저항을가질수 있다.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底上形成结构，所述结构包括金属图案，所述金属图案的至少一部分被暴露; 形成预备的缓冲氧化物层以覆盖该结构，金属氧化物层形成在金属图案的暴露部分; 并且使金属氧化物层脱氧，使得预备缓冲氧化物层转变成缓冲氧化物层。

公开(公告)号：KR101640417B1

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：KR1020100006034

申请日：2010-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장형선 ,  권운성 ,  조태제 ,  강운병 ,  김정환

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/13

Abstract: 반도체패키지및 이의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체패키지는, 제1 면, 제2 면및 화소부를포함하는반도체칩과, 상기제1 면상에위치하는제1 접착패턴과, 상기제1 접착패턴과상기화소부사이에위치하고, 상기제1 면상에위치하는제2 접착패턴과, 상기제2 면상에위치하는외부접속단자를포함하되, 상기제2 접착패턴과상기외부접속단자가중첩되어위치한다.

公开(公告)号：KR1020160086717A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：KR1020150004459

申请日：2015-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정희석 ,  김수정 ,  조시연 ,  김정환

IPC: G06F3/01 ,  G06Q50/10

CPC classification number: G06F3/01 ,  G01C21/20 ,  G06F3/017 ,  G06F3/0304 ,  G06F3/0484 ,  G06F3/0487 ,  G06F2203/04803 ,  G06K9/00671 ,  G06Q50/10

Abstract: 모바일디바이스를이용한사용자입력방법및 모바일디바이스가제공된다. 모바일디바이스가, 상기모바일디바이스를구부리는사용자입력에따라기설정된서비스를제공하는방법은, 상기모바일디바이스가제1 임계치만큼구부려지는제1 사용자입력을수신하는단계; 상기제1 사용자입력이수신됨에따라, 상기모바일디바이스에포함된카메라를통하여실제공간의객체를촬영하는단계; 상기촬영된객체의객체이미지를상기모바일디바이스의화면상에디스플레이하는단계; 및상기모바일디바이스에설치된애플리케이션의서비스들중에서상기촬영된객체이미지와관련된서비스를제공하는단계; 를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种使用移动设备和移动设备的用户输入方法。 根据用户输入弯曲移动设备的提供预设服务的移动设备的方法包括以下步骤：接收第一用户输入以将移动设备弯曲成多达第一阈值; 当接收到第一用户输入时，通过包括在移动设备中的相机拍摄真实空间的对象; 在所述移动设备的屏幕上显示所拍摄的对象的对象图像; 以及在安装在所述移动设备中的应用的服务中提供与所捕获的对象图像相关的服务。

公开(公告)号：KR1020160074131A

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：KR1020140182994

申请日：2014-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환 ,  김민국 ,  양유신 ,  이상길 ,  전충삼

IPC: H01L21/66 ,  G06T11/00

CPC classification number: H01J37/222 ,  H01J37/28 ,  H01J37/285 ,  H01J37/31 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/2445 ,  H01J2237/2527 ,  H01J2237/2561 ,  H01L21/00 ,  G06T11/00 ,  H01L22/10

Abstract: 이미지생성방법에있어서, 시료의표면으로부터 2차원공간정보를갖는공간이미지를획득한다. 상기시료의표면을밀링하여상기밀링된표면으로부터물질정보를갖는물성이미지를획득한다. 상기공간이미지와상기물성이미지를합성하여 2차원공간적성분이미지를형성한다.

Abstract translation: 图像创建方法包括以下步骤：从样本的表面获得具有二维空间信息的空间图像; 研磨样品的表面以获得具有来自铣削表面的材料信息的材料属性图像; 以及通过添加空间图像和材料图像来形成二维空间元素图像。 根据本发明的实施例，可以获得具有高分辨率的三维空间元素图像。

公开(公告)号：KR1020160037628A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：KR1020140130461

申请日：2014-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정규동 ,  김정환 ,  이동길 ,  조태제 ,  최광철

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67115 ,  B32B38/10 ,  B32B41/00 ,  B32B43/006 ,  B32B2250/02 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/98 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917

Abstract: 웨이퍼서포팅시스템디본딩이니시에이터및 웨이퍼서포팅시스템디본딩방법이제공된다. 상기웨이퍼서포팅시스템디본딩이니시에이터는캐리어웨이퍼(carrier wafer)와, 디바이스웨이퍼(device wafer)와, 상기캐리어웨이퍼와상기디바이스웨이퍼를본딩(bonding)하는글루레이어(glue layer)를포함하는웨이퍼서포팅시스템(wafer supporting system, WSS)을상면에안착시켜회전시키는로테이션척(rotation chuck), 상기글루레이어의높이및 두께를검출하는디텍팅모듈및 상기글루레이어의높이및 두께를바탕으로상기글루레이어의측면에레이저를조사하여상기글루레이어에파단부를생성하는레이저모듈을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种用于晶片支撑系统（WSS）的脱粘引发剂和脱粘方法。 晶片支撑系统脱粘引发器包括：旋转卡盘，其上具有载体晶片的晶片支撑系统，器件晶片和胶层位于其上面以旋转，其中胶层被配置为将载体晶片 和器件晶片; 用于检测胶层的高度和厚度的检测模块; 以及激光模块，其通过基于胶层的高度和厚度将激光发射到胶层的侧表面，在胶层中形成断裂单元。 本发明的目的是提供晶片支撑系统的脱粘引发剂，并以高的脱粘效率降低。

公开(公告)号：KR1020150114102A

公开(公告)日：2015-10-12

申请号：KR1020140037894

申请日：2014-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환 ,  양한빛 ,  노진태 ,  유동철

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/11582

Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 기판상에교대로반복적층된절연막들과게이트전극들을포함하는적층구조체, 및적층구조체를관통하는수직채널구조체들이제공된다. 각수직채널구조체의하부에는기판으로연장되는제1 수직채널패턴이배치되고, 그측벽에는게이트산화막이형성된다. 수직채널구조체들사이의기판에리세스영역이형성된다. 리세스영역내에는버퍼산화막이형성되고, 버퍼산화막과접하며버퍼산화막의성장을억제하는산화억제층이리세스영역을감싸며기판에제공된다.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 提供了具有绝缘膜和栅极电极以及贯穿堆叠结构的垂直沟道结构的堆叠结构，其中绝缘膜和栅电极交替堆叠在衬底上。 在每个垂直沟道结构的下部布置有朝向衬底扩展的第一垂直沟道图案，并且在第一垂直沟道图案的侧壁上形成栅氧化膜。 在垂直通道结构之间的衬底上形成凹陷区域。 在凹部区域形成缓冲氧化膜。 在氧化抑制层包围凹部的基板上，设置抑制缓冲氧化膜与缓冲氧化膜接触的生成的氧化抑制层。

公开(公告)号：KR101370333B1

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：KR1020070015062

申请日：2007-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환

IPC: B41J2/135 ,  B41J2/145

CPC classification number: B41J2/155 ,  B41J2202/20

Abstract: 본 발명은 프린트 헤드 및 이를 포함하는 잉크젯 프린터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 프린트 헤드는 선형적으로 배열된 다수의 제1노즐을 가지는 제1노즐군과; 선형적으로 배열된 다수의 제2 및 제3노즐을 각각 가지고, 제1노즐군의 양측에 서로 상이한 제1 및 제2간격을 두고 상호 평행하게 배치되는 제2 및 제3노즐군을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 잉크 건조 특성을 향상시킬 수 있다.
노즐군, 간격, 잉크건조

公开(公告)号：KR1020120123987A

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：KR1020110041683

申请日：2011-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황지환 ,  지영근 ,  최광철 ,  김정환 ,  민태홍

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A semiconductor package and a manufacturing method thereof are provided to easily perpendicularly laminate semiconductor chips in which width is different by separating first semiconductor chips after mounting second semiconductor ships having small width on a substrate in which the first semiconductor chips are formed. CONSTITUTION: A first semiconductor chip(110) is mounted on a circuit board(10). A second semiconductor chip(120) is formed on the first semiconductor chip. A first under-fill(150) covers an interval between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, and a side of the first semiconductor chip. An interval between the first semiconductor chip and the circuit board is filled with a second under-fill(160). A first connection pattern(130) electrically connects the circuit board to the first semiconductor chip. A second connection pattern(140) electrically connects the first semiconductor chip to the second semiconductor chip.

Abstract translation: 目的：提供半导体封装及其制造方法，通过在形成有第一半导体芯片的基板上安装具有小宽度的第二半导体船舶之后，通过分离第一半导体芯片来容易地垂直地层叠宽度不同的半导体芯片。 构成：第一半导体芯片（110）安装在电路板（10）上。 第一半导体芯片（120）形成在第一半导体芯片上。 第一欠充填（150）覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的间隔以及第一半导体芯片的一侧。 在第一半导体芯片和电路板之间的间隔填充有第二填充物（160）。 第一连接图案（130）将电路板电连接到第一半导体芯片。 第二连接图案（140）将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片。

公开(公告)号：KR1020120077876A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100139992

申请日：2010-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강운병 ,  최광철 ,  김정환 ,  민태홍

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0066

Abstract: PURPOSE: A junction structure and method for heterogeneous substrates are provided to improve electrical characteristics by making electrically good connection of the heterogeneous substrates. CONSTITUTION: A first substrate(100) includes an electrode pad. A second substrate is bonded with the first substrate while a bonding layer is interposed. The second substrate comprises via holes(120, 130) exposing an electrode pad through the first substrate and the bonding layer. Connecting electrodes(520, 530) connect the electrode pad in the via hole. An insulating layer(400) electrically insulates a connection electrode from the second substrate. The first and second substrates have different thermal expansion coefficients. The bonding layer and the insulating layer include an organic material.

Abstract translation: 目的：提供用于异质衬底的接合结构和方法，以通过使异质衬底的电连接良好地改善电特性。 构成：第一衬底（100）包括电极焊盘。 第二基板与第一基板接合，同时插入接合层。 第二基板包括使电极焊盘穿过第一基板和接合层的通孔（120,130）。 连接电极（520,530）将通孔中的电极焊盘连接起来。 绝缘层（400）使连接电极与第二基板电绝缘。 第一和第二基板具有不同的热膨胀系数。 接合层和绝缘层包括有机材料。

公开(公告)号：KR1020120069322A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020100130827

申请日：2010-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 명종윤 ,  이혁재 ,  홍지선 ,  조태제 ,  강운병 ,  장형선 ,  김은미 ,  김정환 ,  민태홍

IPC: H01L21/782 ,  H01L27/30 ,  H04N5/378 ,  H04N5/3745 ,  H01L51/42 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L21/782 ,  H01L27/307 ,  H01L51/424 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device is provided to prevent a chip-crack of the semiconductor substrate by forming a groove in a scribe lane when a through hole is formed. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(11) includes chips and a scribe lane between the chips. A groove(45G) with a first depth is formed in the scribe lane. A through hole(45T) with a second depth is formed via the chips. The chips are separated along the groove. The second depth is deeper than the first depth.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的方法，用于通过在形成通孔时在划线中形成沟槽来防止半导体衬底的芯片裂纹。 构成：半导体衬底（11）包括芯片和芯片之间的划线。 在划线中形成具有第一深度的凹槽（45G）。 通过芯片形成具有第二深度的通孔（45T）。 芯片沿凹槽分开。 第二个深度比第一个深度更深。