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公开(公告)号：KR1020100059364A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080118110
申请日：2008-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element, a thermoelectric element module and a formation method of the thermoelectric element are provided to reduce costs and mass-produce the thermoelectric element by forming the thermoelectric element on a substrate plane with a lamination type. CONSTITUTION: A first semiconductor nanowire(110) of a first challenge type includes a first barrier region(112). A second semiconductor nanowire(120) of a second challenge type includes a second barrier region. A first electrode(130) is connected to one phase of the first semiconductor nanowire. A second electrode(140) is connected to one phase of the second semiconductor nanowire. A common electrode(150) is connected to the other terminal of the first semiconductor nanowire and the second semiconductor nanowire. A thermal conductivity of the first barrier region is greater than the thermal conductivity of the first semiconductor nanowire.
Abstract translation: 目的：提供热电元件，热电元件模块和热电元件的形成方法，以通过在层叠型基板平面上形成热电元件来降低成本并大量生产热电元件。 构成：第一种类型的第一半导体纳米线（110）包括第一阻挡区（112）。 第二挑战型的第二半导体纳米线（120）包括第二阻挡区域。 第一电极（130）连接到第一半导体纳米线的一相。 第二电极（140）连接到第二半导体纳米线的一相。 公共电极（150）连接到第一半导体纳米线和第二半导体纳米线的另一个端子。 第一阻挡区域的热导率大于第一半导体纳米线的热导率。
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公开(公告)号：KR100910059B1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：KR1020070094685
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F17C11/005 , B01J20/0203 , B01J20/06 , B82Y30/00 , C01B3/001 , C01B3/0021 , C01B3/0031 , C01B3/0057 , C01B3/0078 , C01B3/0084 , Y02E60/325 , Y02E60/327 , Y02E60/328 , Y10S502/526 , Y10S977/762 , Y10S977/811 , Y10T428/12493 , Y10T428/26
Abstract: 본 발명은 가스 저장을 위한 표면적을 충분히 확보하여 가스 저장 능력의 효율성을 개선시킬 수 있는 가스 저장 매체, 이를 구비한 가스 저장 장치 및 그 저장 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 이온가가 변화할 수 있는 물질이 서로 이격되어 다층의 층상(層狀) 구조를 이루고, 상기 물질은 화학적 결합에 참여하지 않는 여분의 전자를 포함하는 가스 저장 매체, 이를 구비한 가스 저장 장치 및 그 저장 방법을 제공한다.
가스 저장 장치, 나노선 결정질, 산화 바나듐, 수소-
公开(公告)号：KR100889564B1
公开(公告)日：2009-03-23
申请号：KR1020070066125
申请日：2007-07-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5438 , G01N27/4145
Abstract: 본 발명은 타겟분자(Taget molecule)와 프로브분자(probe molecules)간의 상호반응을 통하여 특정 바이오 물질을 검출할 수 있는 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 제1도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성된 제2도전형의 도핑층; 상기 도핑층의 양 끝단 상부에 형성된 전극 및 상기 도핑층에 고정된 프로브분자를 포함하는 바이오 센서를 제공한다.
바이오 센서, 접합 절연, 실리콘 나노선-
公开(公告)号：KR100779081B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060027358
申请日：2006-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01L1/20
Abstract: 본 발명은 전자 피부용 압력 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 소정 압력 이상이 가해지면 전도도가 증가하는 전도성 고무, 전도성 고무의 양쪽 측면에 형성되어 전도성 고무에 전류가 흐르는 것을 측정하는 전극, 및 전극의 일측면 상단부에 형성되어 전도성 고무에 가해지는 압력을 분산시키는 탄성 고무;로 구성되어, 압력의 정도를 측정할 수 있는 전자 피부용 압력 센서 및 이를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070061016A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060030954
申请日：2006-04-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04L9/0858
Abstract: An apparatus and a method for automatically transmitting/receiving compensation quantum cryptography at a high speed are provided to solve a problem of an existing system in which a transmission rate is limited due to Rayleigh scattering of an optical fiber by including a wavelength conversion unit in a quantum signal transmitter and an optical filter for removing an optical signal caused by the Rayleigh scattering in a quantum signal receiver. A wavelength conversion unit converts an optical pulse signal having the first wavelength into an optical pulse signal having the second wavelength(S410). An optical attenuator reduces strength of the wavelength-converted optical pulse signal such that the optical pulse signal has strength of a single photon(S420). Reduced phase of the optical pulse signal is shifted in an optical phase modulator(S430). A Faraday mirror rotates polarization of the phase-shifted optical pulse signal by 90 degrees to reflect it(S440). A polarization divider of a quantum cryptography receiver(Bob) receives the reflected optical pulse signal and divides it into vertical polarization components(S450). The optical phase modulator shifts the phase of a signal having the first polarization component among the polarization-divided optical pulse signal(S460). There occurs interference between the optical pulse signal phase-shifted by an optical coupler and a signal having the second polarization component among the polarization-divided optical pulse signal(S470). An optical filter allows the second wavelength optical pulse signal among the interference signals to pass therethrough(S480). A photon detector detects an output signal of the optical filter(S490).
Abstract translation: 提供了一种高速自动发送/接收补偿量子密码术的装置和方法，以解决由于光纤的瑞利散射而使透射率受到限制的现有系统的问题，包括波长转换单元 量子信号发射机和用于去除由量子信号接收机中的瑞利散射引起的光信号的滤光器。 波长转换单元将具有第一波长的光脉冲信号转换为具有第二波长的光脉冲信号（S410）。 光衰减器降低波长转换的光脉冲信号的强度，使得光脉冲信号具有单个光子的强度（S420）。 在光学相位调制器中移动光脉冲信号的相位减小（S430）。 法拉第镜将相移光脉冲信号的极化旋转90度以反映（S440）。 量子加密接收器（Bob）的偏振分束器接收反射的光脉冲信号并将其分成垂直偏振分量（S450）。 光相位调制器在偏振光分割的光脉冲信号中移位具有第一偏振分量的信号的相位（S460）。 通过光耦合器相移的光脉冲信号与偏振光分割光脉冲信号中具有第二偏振分量的信号之间存在干涉（S470）。 滤光器允许干涉信号中的第二波长光脉冲信号通过（S480）。 光子检测器检测滤光器的输出信号（S490）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100692598B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1019990041000
申请日：1999-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/00
CPC classification number: H01L51/5096
Abstract: 본 발명은 전도성 유기물을 발광층으로 이용하는 유기전기발광소자에서 양극과 발광층 사이에 제 1 절연층을 삽입하고, 발광층과 음극 사이에 제 2 절연층을 삽입한 이중 절연층을 가진 구조로서 전극과 절연층 및 절연층과 전하 주입층과의 접촉 향상을 통하여 발광 효율과 소자의 내구성을 증가시킨 유기전기발광소자의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판 위에 형성되어, 상기 기판 상에 정공을 주입하는 양극과, 상기 주입된 정공과 전자가 이동하여 재결합하면서 발광하는 유기물 발광층과, 상기 전자를 주입하는 음극이 순차적으로 형성된 유기전기발광소자로서, 상기 양극과 상기 유기물 발광층 사이에 형성되어, 상기 정공주입을 제어하고, 상기 음극으로부터 주입되는 전자의 흐름을 방지하는 제 1 절연층과, 상기 유기물 발광층과 상기 음극사이에 형성되어, 터널링 효과에 의한 상기 전자주입을 쉽게 하고, 상기 양극에서 주입되는 정공의 흐름을 방지하는 제 2 절연층으로 구성된다.
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公开(公告)号：KR1020060064992A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103695
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0024 , H01L51/0097 , H01L51/0512
Abstract: 본 발명은 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 게이트 전극, 유전층, 소오스/드레인 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 형성하는 단계와, 상기 소오스/드레인 전극 및 상기 유기 반도체의 전체 상부면에 소정의 접착제가 형성된 접합층을 부착시킨 후 상기 기판에서 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 분리시키는 단계와, 분리된 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 미리 마련된 플라스틱 기판 상에 전사시키는 단계를 포함함으로써, 온도에 영향을 받지 않고 증착할 수 있으므로 유전층의 종류에 제약을 받지 않을 뿐만 아니라 전사시키는 방법 중에서도 그 공정 자체가 매우 간단하며, 전사방법 자체가 외부 공기나 수분으로부터 유기물을 보호하는 보호층 역할까지 하여 그 특성을 오래 유지시킬 수 있는 효과가 있다.
유기 전계효과 트랜지스터(OFET), 전사효과, 소오스 전극, 드레인 전극, 유전층, 기판, 테이프-
公开(公告)号：KR100560431B1
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020030095391
申请日：2003-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/17
Abstract: 나노 미터 크기의 분자 스위치 소자를 제공한다. 본 발명은 전자가 흐를 수 있는 전자 채널을 구성하고, 카본 나노튜브, 반도체성 나노와이어, 금속성 나노와이어, 고분자 나노화이버 또는 전도성 유기분자로 이루어진 채널부와, 상기 채널부의 양단에 접촉된 전극과, 상기 채널부와 연결부를 통하여 연결되고, 상기 전극을 통해 전압을 인가하면 산화 상태 또는 전자 밀도가 달라져서 상기 채널부의 전기 전도도를 변화시킬 수 있게 전자 친화력(electron affinity)이 큰 전자 받게 분자로 구성된 조절부를 포함하여 이루어지고, 상기 연결부는 상기 채널부와 조절부를 물리적 결합 또는 화학적 결합으로 연결하는 나노 미터 크기의 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 고속 동작이 가능하고, 분자 소자 제작 공정을 활용할 경우 고집적화가 가능하다.
분자 스위치 소자, 전자 채널,-
公开(公告)号：KR1020050051744A
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：KR1020030085360
申请日：2003-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/00
Abstract: 본 발명은 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 전계 효과 트랜지스터가 제조된 제 1 기판과 유기 발광소자가 제조된 제 2 기판을 각각 다른 기판에서 제작한 후, 두 기판을 서로 결합하여 두 소자를 전기적으로 연결하는 전계 효과 트랜지스터와 결합된 유기 발광소자에 관한 것으로, 이를 통해 개구율을 획기적으로 높일 수 있고 공정도 단순해지며, 소자의 수명 향상도 기대할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100450757B1
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020020034641
申请日：2002-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a molecular electronic device is provided to improve the production efficiency by eliminating the problems caused by the defect of monolayer and the heat used in the electrode formation. CONSTITUTION: The method for fabricating a molecular electronic device comprises the steps of: (a) laminating a first electrode, an insulating layer(115b) and a second electrode(120) on a substrate(100), successively; (b) patterning the lateral sides of the first electrode, insulating layer and second electrode to expose the sections of the first and the second electrodes; and (c) forming an organic semi-conductor monolayer(140) on the exposed sections by a self-assembling method. Particularly, a protecting layer(125b) is optionally further laminated in the step (a) and the following steps are performed accordingly.
Abstract translation: 目的：提供一种制造分子电子器件的方法，以通过消除由单层缺陷和电极形成中使用的热量引起的问题来提高生产效率。 构成：制造分子电子器件的方法包括以下步骤：（a）在衬底（100）上依次层压第一电极，绝缘层（115b）和第二电极（120）; （b）图案化第一电极，绝缘层和第二电极的侧面以暴露第一和第二电极的部分; 和（c）通过自组装方法在暴露的部分上形成有机半导体单层（140）。 特别地，在步骤（a）中可选地进一步层压保护层（125b），并相应地执行以下步骤。
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