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公开(公告)号：KR1019990052171A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071620
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/30
Abstract: 본 발명은 정밀 광학계를 조립하는 데 있어 광학계를 구성하는 광학 부품들 중에서 광축을 일정한 각도로 꺾어주기 위하여 사용하는 반사경(folding mirror)의 정확한 각도를 조절하는 정밀 광학계 반사경의 각도 조절 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
종래의 방법은 반사경으로 광축을 일정한 각도로 꺾는 광학계에서의 반사경 각도와 위치 설정을 금속기구부를 기준으로 함으로써 기구부의 가공에 따른 오차와 가공된 기구부 측정에 따른 오차로 인하여 반사경의 정확한 각도 조절 및 설치에 많은 문제가 있었다.
본 발명에서는 광학계를 구성하는 광학 부품중 광축을 꺾어 주는 반사경(20)의 정확한 각도조절과 측정에 오토콜리메이터(41)(42)를 사용하여 반사경(20)의 각도를 정확하게 조절하고, 동시에 간섭계(80)로 광학 부품의 정점을 확인할 수 있도록 하는 간섭계(80)에 오토콜리메이터(41)를 부착하여 구성되며, 상기 반사경(20)의 기울기를 정확하게 조절하기 위하여 상기 반사경(20)의 유효경 외곽에 상기 오토콜리메이터(41)(42)와 수직이 되도록 프리즘(31)(32)의 일면을 부착하고 금속기구부(50)에 평행한 반사물체(61)(62)를 부착하여 광학부품에 대하여 반사경(20)의 각도를 정확히 갖도록 조절하도록 하며, 상기 반사경의 조절방법은 프리즘(31)(32)의 한 면을 광학계 반사경(20)의 유효반경 외곽에 부착시켜 오토콜리메이터(41)(42)와 수직되게 하고, 상기 프리즘(31)(32)의 � ��을 이용하여 반사경(20)의 각도를 조절하여 정확한 각도를 유지할 수 있도록 하고, 프리즘(31)(32)의 면에 오토콜리메이터(41)(42)로 빛을 비추면 프리즘(31)(32)의 면으로부터 되돌아온 빛이 오토콜리메이터(41)(42)에 맺히는 것을 이용하여 반사경(20)의 기울기를 조절함으로써 광축(10)과 반사경(20)이 정확히 원하는 각도가 되게 맞추어 광축(10)을 정확한 방향으로 바꿔줄 수 있도록 하며, 상기 오토콜리메이터와 반사경이 정확한 각도로 맞추어진 것을 이용하여 반사경(20)과 단 렌즈들이 부착되는 금속기구부(50)면이 정확한 각을 이루는지를 금속기구부(50)면 부분에 평행한 반사물체(61)(62)를 이용하여 금속기구부(50)면 부분이 오토콜리메이터(41)(42)와 수직이 되게 상기 오토콜리메이터를 미세 조정하여 맞춘 다음, 평행한 반사 물체(61)(62)를 제거하고, 이미 프� �즘(31)(32)이 부착되어 있는 반사경(20)의 프리즘(31)(32) 한 면에 오토콜리메이터(41)(42)를 비추고 반사되어 오는 빛을 오토콜리메이터(41)(42)로 관측함으로써 반사경(20)이 정확한 각도인가를 확인하여 조정된 반사경(20)과 평행한 반사물체(61)(62)를 이용하여 금속기구부(50)에 단렌즈군을 부착시켜 정확히 조절 조립하도록 함을 특징으로 하는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990050447A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069566
申请日：1997-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J17/48
Abstract: 본 발명은 저온 공정으로 저전압 동작이 안정적인 전계방출 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서는 절연성 기판상에 캐소드 전극을 형성하고, 이 캐소드 전극의 소정 영역에 원추형의 절연막을 형성한 후, 기판의 전면에 내열성이 크고 일함수가 낮은 전도성 박막의 증착 공정을 이용하여 원추형 전계방출 팁을 형성한다.
본 발명은 저전압 동작이 안정적인 전계방출 소자를 용이하게 제조 가능케 하고, 또한 전계방출 소자의 모든 제조공정을 600℃ 이하에서 수행할 수 있어 유리를 기판으로 사용할 수 있으므로, 저가격 및 대면적의 전계방출 소자를 반도체 공정으로 쉽게 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100194596B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950040295
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/085
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 저항 제조방법에 관한 것으로서, 저항체가 되는 다결정 실리콘층에 먼저 양의 온도계수를 갖는 공정을 하여 결정립을 성장시킨 후 이어서 양의 저항온도계수를 상쇄시키기 위해 음의 온도계수를 갖는 공정을 진행한 후, 패턴닝하여 저항체를 형성하고, 콘택 및 저항을 형성하여 저항체를 구성하였으므로, 특정 저항값에서 온도 변화에 따른 저항값 변화가 방지되고, 저항체내의 불순물 농도가 일정하여 저항온도계수가 작아지므로 고온과 저온 모두에서 동작되는 반도체 소자의 동작 신뢰성이 향상된다. 그리고 본 다결정실리콘 저항체의 제조공정은 다결정실리콘층의 결정립 성장을 위해 낮은 공정온도에서 불순물의 열확산이 가능하므로 서브바이크론급 이하의 반도체 소자 제조공정에도 응용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100160580B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950051463
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법에 관한 것으로서, 저압화학증착 방법에 의해 증착된 실리콘 기판 위의 실리콘 질화막 상부에 질화막 패턴식각용 마스킹 박막으로써 알루미늄박막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 알루미늄박막 상부에 포토레지스트 공정으로 식각패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화막의 식각시킬 소정부분의 상부의 알루미늄박막을 습식 또는 건식식각하여 제거하는 제2단계와; 경사진 질화막 식각단면을 얻기 위하여 상기 알루미늄박막을 식각 마스킹용 박막으로 하여 온도 50-70도에서 글리세린이 함유된 암모늄플루오라이드용액에 의해 질화막을 습식 식각하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후 질화막 식각용 마스킹 박막으로 사용한 잔유 알루미늄박막을 알루미늄 에칭용액으로 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지며, 암모늄 플루오라이드 용액내 글리세린 함유량과 식각 용액의 사용온도에 따라 질화막의 단면 경사각 조정과 식각율을 조정할 수 있는 공정상의 장점을 가지며, 질화막의 식각속도는 분당 수백에서 수천 옹그스트롬의 높은 식각율을 유지할 수 있고, 실리콘 기판은 거의 손상되지 않는 특성을 갖으며, 마이크로머신, 광 유도장치 등 실리콘 기판을 이용한 질화막패턴의 경사진 단면구조 구현시 매우 유용하다.
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公开(公告)号：KR1019980034536A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052619
申请日：1996-11-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 다결정 규소 소오스/드레인 전극을 가지는 모스 트랜지스터를 제조하기 위해 CMP 공정을 수행할 경우 넓은 소오스/드레인 영역에 dishing 현상이 발생되어 소오스/드레인 영역이 외부 전극과 단절되는 문제점을 해결하기 위해 여러개의 소오스/드레인 전극을 분할하고 그 전극 사이에 산화막 기둥을 형성함으로써 CMP 공정시 균일한 두께의 다결정규소를 얻을 수 있으며, dishing 현상의 발생을 억제할 수 있는 다중 소오스/드레인 전극을 갖는 모스 트랜지스터 제조 방법이 개시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980016375A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035934
申请日：1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스트 패턴(mask pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜, 그 마스트 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer)위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것으로서, X-선 마스크 구성 요소의 하나인 지지 링(support ring)의 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 지지 링의 기계적 강도(mechanical strength)를 향상시키고, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링 간의 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 최소화 하기 위해, 상기 지지 링의 단면 구조를 종래의 단순 사각형 형태로부터 다각형이나 삼각형, 원형 등의 새로운 형태로 변경하거나, 보강용 홈(trench) 또는 보강용 빔(beam)을 종래의 지지 링에 추가한 새로운 구조의 지지 링을 사용하는 X-선 마스크에 관한 것이다. 본 발명은 상기의 X-선 마스크는 물론 전자빔 셀 투사용 리소그래피(electron-beam cell projection lithography)용 마스크 및 이온 빔 리소그래피(ion-beam lithography)용 마스크에도 응용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015311A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034589
申请日：1996-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer) 할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지링 (support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지 링의 저항(resistance)능력을 향상시키기 위해 지지 링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.-
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公开(公告)号：KR1019970030791A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040295
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/085
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 저항 제조방법에 관한 것으로서, 저항체가 되는 다결정 실리콘층에 양의 온도계수를 갖는 공정과 음의 온도계수를 갖는 공정을 함께 진행한 후, 패턴닝하여 저항체를 형성하고, 콘택 및 저항을 형성하여 저항체를 구성하였으므로, 특정 저항값에서 온도 변화에 따른 저항값 변화가 방지되고, 저항체내의 불순물 농도가 일정하여 저항계수가 작아지므로 고온과 저온 모두에서 동작되는 반도체 소자의 동작 신뢰성이 향상된다.
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