公开(公告)号：KR1019980053427A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960072531

申请日：1996-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  김보우 ,  유형준

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 얼라인먼트 윈도우(alignment window) 부분의 멤브레인 위에 얼라인먼트 마크(alignment mark)를 형성하고, 얼라인먼트 윈도우 부분에서 얼라인먼트 마크 부분을 제외한 멤브레인 부분을 제거하여 관통공(through hole)들이 형성되게 하므로써, X-선 리소그래피(lithography) 공정 동안에 얼라인먼트 마크에서 발생되는 얼라인먼트 신호(alignment signal)의 콘트라스트(contrast)를 최대로 할 수 있도록 한 기술이다.

公开(公告)号：KR1019980050175A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960068954

申请日：1996-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  장원익 ,  이용일 ,  유형준

IPC: H01L29/84

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 표면 미세 가공 (surface micromachining) 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프 (micro gyroscope) 센서의 재료 및 제작방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
기존의 구조체 재료인 다결정 실리콘 (polysilicon) 에서 나타나는 응력을 해소하여 구조체가 변형되는 것을 방지하고, 또한 센서의 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로의 제작 과정에서 발생할 수 있는 열공정 (thermal process)의 호환성 문제, 금속배선의 어려움 및 진공 밀봉 (vacuum seal)의 복잡함을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
응력이 없는 구조체로서 기존의 다결정 실리콘 대신 SOI (Silicon On Insulator) 상부의 단결정 실리콘을 이용하고, 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로는 별도의 웨이퍼에 제작한 후 이를 구조체 위에 접착 (bonding) 함으로써 열공정(thermal process)의 호환성, 금속 배선 및 진공 밀봉 문제를 해결함.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS (micro eletro mechanical system)의 제작

公开(公告)号：KR1019980036299A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960054857

申请日：1996-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  콘시글리오 내죠날리 델리 리서치 이스티튜토 엘렉트로니카 델로스타토 솔리도 ,  위스콘신 대학 X-선 리소그래피 센터

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  정해빈 ,  유형준 ,  엔조디파브리지오 ,  마씨모젠틸리 ,  루카그렐라 ,  마르코바시오치 ,  루이지마스트노지아코모 ,  다니엘라페스치아롤리 ,  로마노마기오라 ,  프란세스코세리나

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 얼라인먼트 윈도우(alignment window)와 메인 칩 윈도우(main chip window)로 구성된 X-선 마스크에서, X-선 마스크와 웨이퍼를 정렬하기 위한 얼라인먼트 윈도우 부분에 형성되는 얼라인먼트 마크 패턴(alignment mark pattern)을 마스크 앞면 뿐만 아니라 마스크 뒷면에도 형성시켜 정렬 신호를 최적화하는 X-선 마스크 및 그 제조 방법이 기술된다.

公开(公告)号：KR1019980019927A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960038191

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 굴절능을 반사경에 집중시켜 넓은 대역폭의 광원을 사용할 수 있도록 구성한 광학계(optical system)에 관한 것이다.
광학계를 구성하는 렌즈의 수와 전체 렌즈들의 두께를 줄일수 있는 본 발명은 광원후단에 위치하며, 4장의 렌즈로 이루어진 제1렌즈군과, 제1렌즈군의 후단에 위치하며 4장의 렌즈로 이루어진 제2렌즈군과, 제2렌즈군 후단에 위치하며, 2개의 프리즘으로 이루어진 편광선속분할기와, 편광선속분할기 후단에 위치하는 파장평판 및 주 반사경과, 파장평판 하단에 위치되어 광이 조사되는 물체면과 대응하는 5장의 렌즈로 이루어진 제3렌즈군으로 구성된다.

公开(公告)号：KR100141340B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940019489

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진희 ,  유형준

IPC: H01L29/812

Abstract: 본 발명은 HEMT 소자제작에 있어서 사용되는 T-게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 전자빔에 의한 이중 노광을 사용할 경우 전자빔 리소그래피의 단점인 처리량에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MIBK : IPA = 1 : 1 현상액에서 60초 동안 PMMA현상을 한 후 섭씨 120도 열판에서 경화건조를 행하고 AZ5214E 레지스트(12)를 1.2um 도포한 후 연화건조(soft bake)를 120도에서 90초 동안 열판에서 행한 후, 250mW/㎠의 강도를 갖는 GCA I-라인 스텝퍼(11)로 0.2초 동안 노광한 후, 형상반전 건조를 위한 베이킹을 열판에서 2분 동안 수행한 후 강도 7.9mW/㎠를 갖는 밀착기(contact printer)에서 20초 동안 투광 노출을 행한 다음 MIF-255 : MIF-230 = 1 :1 의 현상액에서 65초 동안 수행한 후 게이트 금속막(5)을 1um 이하 원하는 두께 만큼 증착하고 리프트 � �프 공정에 의해서 T-게이트를 형성하는 방법을 제공함으로써 T-게이트 헤드 부위의 단면적이 크게 되어 게이트 저항과 잡음을 최대한 줄일 수 있는 HEMT소자 제작이 가능하다.

公开(公告)号：KR100138865B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940034382

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  백종태 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치 중에서 특히 선택적으로 열처리 공정을 수행할 수 있도록 한 열처리 장치에 관한 것이다.
종래의 열처리 장치는 시료의 부분적인 열처리가 불가능하여 전체를 열처리 함으로써 열처리가 필요치 않은 부분이 후속 열처리 단계에서 전기적, 물리적, 기하학적 변형이 발생하는 문제점들이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 열처리시 시료의 특정 영역의 선택은 물론 주입되는 불순물 중 특성 특성불순물의 선택과, 시료의 증착 박막중 특정 박막만을 선택적으로 열처리 할 수 있도록 열원에서 발산되는 빛을 집속하여 필터를 통과 시킨후 소정의 마스크를 거쳐 시료에 조사 되도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980014259A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033171

申请日：1996-08-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  유종선 ,  유형준

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 갯터링 공정을 반도체 장치 제조 과정중에 수행함으로써 컨택 홀 밑면의 반도체 기판 계면에 존재하는 무기물류, 유기물류, 금속류 등의 각종 오염물을 제거할 수 있으며, 또한 컨택 홀 영역의 반도체 기판 표면 및 계면의 결정 특성을 단결정 수준으로 복원시킬 수 있어 금속-반도체 기판간에 이루어지는 컨택의 저항 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100125295B1

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019930029353

申请日：1993-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박병선 ,  오용호 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: A structure and method of transform unresolution diffraction mask is provided to improve resolution of main mask and focusing depth. The mask comprises: an unite-type transform unresolution diffraction mask including a half-tone PSM(phase shift mask) pattern(2) made of Cr formed on a main mask of a quartz substrate(1) and an unresolution diffraction layer(3) formed on the surface of the half-tone PSM; and a separate-type transform unresolution diffraction mask including a Cr layer(2) for forming a half-tone PSM formed on the main mask of a quartz substrate(1) and an unresolution diffraction mask(3) separately form the half-tone PSM on the quartz substrate(1).

Abstract translation: 提供变换非分辨率衍射掩模的结构和方法，以提高主掩模的分辨率和聚焦深度。 该掩模包括：包含由在石英基板（1）的主掩模上形成的由Cr制成的半色调PSM（相移掩模）图案（2）和非分辨率衍射层（3）的单元型变换非分辨率衍射掩模， 形成在半色调PSM的表面上; 以及分别形成用于形成在石英基板（1）的主掩模上的半色调PSM的Cr层（2）和非分辨率衍射掩模（3）的单独型变换非分辨率衍射掩模，分别形成半色调PSM 在石英基板（1）上。

公开(公告)号：KR100119273B1

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：KR1019930026317

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: A fabrication method of X-ray mask is provided to reduce stress at the time of X-ray exposing using a guard ring. The method comprises the steps of: depositing an oxide layer(6) and a nitride layer(3) on a front and rear side of a silicon wafer(1), respectively; forming a guard ring(7) by etching the oxide layer(6) under CHF3/C2F6/He gas and the silicon wafer(1) under SF6 gas; depositing a silicon nitride(2) on the front side of the silicon wafer(1); defining an PMMA pattern(4) by E-bean exposure; and plating a gold metal(5) and lift-off the PMMA pattern(4). Thereby, it is possible to easily form a fine pattern without generating of stress by using the guard ring(7).

Abstract translation: 提供一种X射线掩模的制造方法，以减少使用保护环的X射线曝光时的应力。 该方法包括以下步骤：在硅晶片（1）的前表面和后侧分别淀积氧化物层（6）和氮化物层（3） 通过在SF6气体下在CHF 3 / C 2 F 6 / He气体和硅晶片（1）下蚀刻氧化物层（6）形成保护环（7） 在硅晶片（1）的正面上沉积氮化硅（2）; 通过E豆曝光定义PMMA图案（4）; 并镀金属金属（5）并剥离PMMA图案（4）。 由此，能够通过使用保护环（7）而容易地形成精细图案而不产生应力。

公开(公告)号：KR1019970052965A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950050525

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진구 ,  윤형진 ,  이응호 ,  정철환 ,  정병훈 ,  장원익 ,  유형준

IPC: H01L21/321

Abstract: 본 발명은 슬러리 공급장치가 내설된 화학적 기계적 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 웨이퍼의 화학적 기계적(chemical mechanical polishing) 연마공정시 웨이퍼의 일부가 연마장치의 플레이튼(platen) 외부로 노출되도록 하고, 웨이퍼의 하부에서 스터러(stirrer)에 의해 균일하게 혼합된 슬러리(slurry)를 웨이퍼의 전체면에 공급함으로써, 웨이퍼의 평탄화를 증진시킬 수 있는 슬러리 공급장치가 내설된 화학적 기계적 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.
본 발명의 화학적 기계적 연마장치는, 슬러리(6)를 충진하기 위한 슬러리 탱크(7) 내에, 웨이퍼(2)를 장착하기 위한 웨이퍼 캐리어(1)와, 상단에 복수개의 슬러리 공급구(4)가 형성된 연마 패드(3)가 장착되고, 웨이퍼(2)의 연마시 웨이퍼(2)의 일부가 플레이튼(8)의 외부로 노출되도록 상기한 웨이퍼 캐리어(1)와 비동축상으로 플레이튼 회전축(9) 상에 부설되며, 복수개의 슬러리 공급구(4)가 관통형성되어 상기한 웨이퍼 캐리어(1)와의 회전에 의해 웨이퍼(2)를 연마하는 플레이튼(8)이 포함되어 구성된다.