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公开(公告)号：KR101536029B1
公开(公告)日：2015-07-10
申请号：KR1020107019751
申请日：2009-04-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 특히, 블라인드마이크로비아 (BMV) 및트렌치에서매우균일한구리성막물을형성시키기위해, 구리의전해성막을위한수성산욕이제공되고, 상기욕은적어도 1 종의구리이온공급원, 적어도 1 종의산 이온공급원, 적어도 1 종의광택제화합물및 적어도 1 종의레벨러화합물을함유하고, 적어도 1 종의레벨러화합물은합성적으로생성된비기능화된펩티드및 합성적으로생성된기능화된펩티드및 합성적으로생성된기능화된아미노산을포함하는그룹으로부터선택된다.
Abstract translation: 水性酸浴至少包含铜离子源，至少一种酸离子源，至少一种增亮化合物和至少一种包含未官能化肽的水平化合物，或合成产生的和官能化的氨基酸和肽。 包括用于在工件上电解铜沉积工艺的独立权利要求，包括提供用于电解沉积铜和至少阳极的水性酸浴，所述阳极与所述工件和所述阳极接触所述含水酸浴，并产生 工件和阳极之间的电流流动，铜沉积在工件上。
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公开(公告)号：KR1020150043522A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020157008237
申请日：2013-09-16
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C25D17/06 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/004 , H05K3/007 , Y10T29/49117 , C25D17/08
Abstract: 제품 (5) 의처리를위한홀딩기기에관한것으로, 상기홀딩기기는제 1 홀딩부 (41) 및제 2 홀딩부 (42) 를포함한다. 제 1 홀딩부 (41) 는제품 (5) 의제 1 측면 (6) 과접촉을형성하기위해적어도하나의제 1 전기접촉요소 (13) 를포함한다. 제 2 홀딩부 (42) 는제품 (5) 의제 2 측면 (7) 과접촉을형성하기위해적어도하나의제 2 전기접촉요소 (14) 를포함하고, 제 2 측면은제 1 측면 (6) 과대향하게놓여있다. 제 1 홀딩부 (41) 와제 2 홀딩부 (42) 는, 제품 (5) 을홀딩하기위해탈착가능하게서로체결될수 있도록배열된다. 제품시일 (15, 16) 과하우징시일 (17) 은, 처리상태에서적어도하나의제 1 전기접촉요소 (13) 및적어도하나의제 2 전기접촉요소 (14) 로유체의침투를방지하도록실링배열체를제공한다.
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公开(公告)号：KR101513333B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020117010255
申请日：2009-10-26
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: G01N27/416 , G01N17/02 , G01N27/42
Abstract: 금속 코팅 뿐만 아니라 금속 증착용 전해질, 특히 반광택 니켈 및 광택 니켈과 같은 니켈의 전해 증착용 전해질의 품질을 빠르고 확실하게 판정하기 위해서, 금속 코팅을 검사하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 하기의 방법 단계를 포함한다:
a) 금속 코팅을 증착 전해질로부터 작업 전극 상에 증착하는 단계;
b) 작업 전극에 전해 접촉되는 대향 전극에 관해서 작업 전극의 양극 분극화를 통해 금속 코팅을 전해 용해하는 단계;
c) 금속 코팅의 용해 중 작업 전극에서 발생하는 전기 용해 전위를 시간에 걸쳐 기록하는 단계; 및
d) 상기 용해 전위의 시간 평균 값을 판정하는 단계. 증착 전해질의 분석 제어를 위해, 하기의 방법 단계를 포함하는 방법이 제공된다:
a) 금속 코팅을 증착 전해질로부터 작업 전극 상에 증착하는 단계;
b) 작업 전극에 전해 접촉되는 대향 전극에 관해서 작업 전극의 양극 분극화를 통해 금속 코팅을 전해 용해하는 단계;
c) 상기 금속 코팅의 용해중 작업 전극에서 발생하는 전기 용해 전위를 시간에 걸쳐 기록하는 단계;
d) 상기 용해 전위의 시간 평균값을 판정하는 단계;
e) 상기 용해 전위의 시간 평균 값과 기준 값 사이의 차이를 판정하는 단계; 및,
f) 상기 차이를, 상기 용해 전위를 판정하는 증착 전해질 성분의 농도와 기준 농도 사이의 차이에 할당하는 단계.-
公开(公告)号：KR1020150024326A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020147033899
申请日：2013-05-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C25B9/08 , C23C18/1617 , C23C18/52 , C23C18/54
Abstract: 이런 목적을 위해 사용된 도금 조성물이 분해에 대해 안정적이도록 보장하면서 신속한 무전해 도금을 달성하기 위해서, 상기 도금 조성물을 재생하기 위한 방법이 제공된다. 상기 도금 조성물은 기판 (10) 에 적어도 하나의 제 1 금속을 성막하기에 적합하고 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 에 의해 수용된다. 상기 도금 조성물은 이온 형태의 상기 적어도 하나의 제 1 금속 및 이온 형태의 적어도 하나의 제 2 금속을 함유한다. 상기 적어도 하나의 제 2 금속은 보다 높은 산화 상태 및 보다 낮은 산화 상태로 제공될 수도 있고, 그리고, 적어도 하나의 제 2 금속이 보다 낮은 산화 상태로 제공될 때, 이온 형태로 있는 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 금속 상태로 환원할 수 있다. 상기 방법은 하기 방법 단계들: (a) 작업 전극 (205) 및 대향 전극 (206) 을 가지는 재생 디바이스 (200) 를 제공하는 단계로서, 상기 작업 전극 (205) 은 작업 전극 격실 (202) 에 배치되고 상기 대향 전극 (206) 은 대향 전극 격실 (203) 에 배치되고, 상기 작업 전극 격실 (202) 과 상기 대향 전극 격실 (203) 은 이온 선택성 막 (204) 에 의해 서로 분리되고, 상기 대향 전극 격실 (203) 은 대향 전극 액체를 수용하는, 상기 재생 디바이스 (200) 를 제공하는 단계; (b) 상기 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 로부터 상기 도금 조성물의 적어도 일부를 제거하는 단계; (c) 상기 제거된 도금 조성물의 적어도 분획물을 상기 재생 디바이스 (200) 의 상기 작업 전극 (205) 과 접촉시키고 상기 작업 전극 (205) 을 캐소드로 극성화하여서, 보다 높은 산화 상태로 제공되는 상기 적어도 하나의 제 2 금속은 보다 낮은 산화 상태로 환원되고 상기 적어도 하나의 제 1 금속은 금속 상태로 작업 전극 (205) 에 성막되어, 상기 제거된 도금 조성물의 제 1 부분을 수득하는 단계; 그 후 (d) 상기 제거된 도금 조성물로부터 상기 제 1 부분을 제거한 후 상기 제거된 도금 조성물의 나머지를 금속 상태로 방법 단계 (c) 에서 성막된 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 가지는 상기 작업 전극 (205) 과 접촉시키고 상기 작업 전극 (205) 을 애노드로 극성화시켜서, 상기 금속 상태로 상기 작업 전극 (205) 에 성막된 상기 적어도 하나의 제 1 금속이 상기 제거된 도금 조성물의 상기 나머지로 용해되어 상기 이온 형태로 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 형성하여서, 상기 제거된 도금 조성물의 제 2 부분을 수득하는 단계; 그 후 (e) 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분을 상기 적어도 하나의 도금 디바이스 (100) 로 리턴시켜서 상기 이온 형태의 상기 적어도 하나의 제 1 금속 및 보다 낮은 산화 상태로 제공되는 상기 적어도 하나의 제 2 금속을 함유하는 상기 도금 조성물을 유발하여, 상기 도금 조성물이 상기 이온 형태인 상기 적어도 하나의 제 1 금속을 상기 금속 상태로 환원할 수 있는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140138286A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020147028815
申请日：2013-03-15
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 미데케헤르만
CPC classification number: C23C18/1603 , C23C18/1625 , C23C18/163 , C23C18/1641 , C23C18/166 , C23C18/22 , C23C18/24 , C23C18/52
Abstract: 본 발명은 물품의 전기 비전도성 플라스틱 표면을 금속화하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법 동안, 상기 물품을 고정하는 틀은 금속화에 대한 보호를 위해 처리에 적용된다. 이어서, 물품은 공지된 공정에 의해 금속화되고, 틀은 금속이 없는 채로 남아있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140119712A
公开(公告)日：2014-10-10
申请号：KR1020147021204
申请日：2013-01-31
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/165 , C23C18/1633 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/2086 , C23C18/24 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/54
Abstract: 본 발명은 플라스틱에의 도금 프로세스에서의 적용에 적합한 무전해 니켈 도금욕에 관한 것이다. 도금욕은 납 이온과 암모니아와 같은 유해 물질을 포함하지 않고, 55℃보다 높지 않은 도금 온도에서 플라스틱 기판에 니켈 인 합금의 침적을 가능하게 한다. 또한, 니켈 인 코팅에의 침지식 구리 도금 욕으로부터의 구리 침적이 활성화 단계를 필요로 하지 않고, 그 결과 프로세스 단계가 적어지고 폐수 생성이 적어진다.
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公开(公告)号：KR1020140041762A
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020147001368
申请日：2012-07-04
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 얀쎈보리스알렉산더 , 베라홀거 , 바이쓰브로트세바슈티안 , 샤프슈텔러브리타
IPC: C23C18/36
CPC classification number: C23C18/36
Abstract: 본 발명은 5 ~ 12 중량% 범위의 인 함량을 가진 니켈 인 합금을 성막하기 위한 수성 도금욕 조성물에 관한 것이다. 상기 수성 도금욕 조성물은 황 함유 유기 안정제를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140035478A
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020147000195
申请日：2012-06-29
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: B05D3/102 , B05D1/02 , B05D1/32 , C23C22/52 , C23F1/18 , H05K3/28 , H05K3/385 , Y10T428/265
Abstract: 본 발명은 구리 또는 구리 합금 표면에의 유기 레지스트 재료의 접착을 증가시키는 방법에 관한 것이다. 구리 또는 구리 합금 표면은 적어도 하나의 유기 산, 과산화물 화합물, 및 선택적으로는, 요소 (urea), 그의 유도체와 수용성 폴리머로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 수성 접착 촉진 용액과 접촉된다.
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公开(公告)号：KR1020140027200A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020137028936
申请日：2012-04-27
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본 발명은 공작물에 어두운 크롬층을 전기침착시키는 방법 및 이를 위한 도금 조에 관한 것이다. 3가 크롬 전기도금 조는 황 화합물을 포함하고, 어두운 크롬층의 전기침착 방법은 이러한 3가 크롬 전기도금 조를 사용한다. 어두운 크롬 침착물 및 어두운 크롬 침착물을 가지는 공작물은 장식 목적의 적용물에 적합하다.
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公开(公告)号：KR1020140021618A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020137028310
申请日：2012-04-25
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 담브로브스키니나 , 하우프우베 , 에베르트잉고 , 담브로브스키크리슈토프 , 벤첼레네
Abstract: 본 발명은, 구리의 전해 성막을 위한 수성 산성 욕으로서, 적어도 하나의 구리 이온 소스, 적어도 하나의 산, 적어도 하나의 광택제 화합물, 및 구리 성막을 위한 적어도 하나의 레벨링제를 포함하고, 상기 적어도 하나의 레벨링제는 루테늄 화합물인, 상기 수성 산성 욕에 관한 것이고, 특히, 인쇄 회로 기판, 칩 캐리어 및 반도체 웨이퍼 상의 블라인드 마이크로 비아, 스루홀 비아, 트렌치 및 유사한 구조들을 충전하기 위한 구리의 전해 성막 방법에 관한 것이다.
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