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公开(公告)号：KR101681753B1
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체의제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR101556089B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140174003
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L27/1203
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에고품위의반도체에피층을형성하는방법에관한것으로서, SOI(상부실리콘층/절연물/하부실리콘층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, SOI(001) 기판상에에피성장이필요한부위의패터닝공정을통한상부실리콘층을제거하는제1단계와, 상기상부실리콘층을제거하고그 상층에보호막을증착하는제2단계와, 에피성장이필요한부위의패터닝공정을통해하부실리콘층의일부영역이노출되는 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제3단계와, 상기 ART패턴하부에습식식각을통해하부실리콘층의 (111)면이노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을형성하는제4단계와, 상기절연물하측에상기하부실리콘층의 (111)면의노출이진행됨에따른절연물과하부실리콘층과의계면상에언더컷을형성하는제5단계및 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제6단계를포함하여이루어진것을특징으로하는 SOI(001) 기판상에반도체에피층성장방법을기술적요지로한다. 이에의해, SOI 기판상에실리콘(111)면이노출된화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 반도체소자를제공할수 있으며, 결함이없는(defect free) 에피층을더욱낮은두께에서얻을수 있어소자의제조가용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在SOI衬底上形成高品质的半导体外延层的方法，更具体地说，涉及在SOI（顶层硅层/绝缘材料/底部硅层）衬底上生长半导体外延层的方法 。 根据本发明实施例的用于在SOI衬底上生长半导体外延层的方法包括去除顶部硅层的第一步骤，沉积保护层的第二步骤，形成纵横比捕获的第三步骤（ ART）图案，形成箭头纵横比捕获（AART）图案的第四步骤，在底部硅层和绝缘材料的界面上形成底切的第五步骤，以及在半导体层上生长半导体层的第六步骤 AART图案区域的上侧和ART图案区域。
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公开(公告)号：KR1020130110387A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120032317
申请日：2012-03-29
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A device for evaluating the reliability of a light emitting diode is provided to reduce errors of characteristic data of the light emitting diode and to prevent the characteristic transformation of a light receiving module. CONSTITUTION: A chamber (200) heats or cools a light emitting diode for measuring a temperature characteristic of a light emitting diode. A measurement unit (300) is included in the outside of the chamber and measures an optical or electrical characteristic of the light emitting diode. A stage (400) moves the light emitting diode from the measurement unit to a chamber or from the chamber to the measurement unit. A power supply unit (500) supplies power to the light emitting diode. A data storage unit (600) stores optical or electrical data measured in the measurement unit. A control unit (700) controls the chamber, the measurement unit, the stage, or the power supply unit and stores the optical or electrical data in the data storage unit. [Reference numerals] (210,220) Heater or cooler; (230) Temperature measuring unit; (310) Light receiving transferring device; (320) Light receiving module; (330) Spectrometer; (400) Stage; (500) Power supply unit; (600) Storage unit; (700) Control unit
Abstract translation: 目的：提供一种用于评估发光二极管的可靠性的装置，以减少发光二极管的特性数据的误差，并防止光接收模块的特征变换。 构成：室（200）加热或冷却用于测量发光二极管的温度特性的发光二极管。 测量单元（300）包括在室的外部，并且测量发光二极管的光学或电学特性。 舞台（400）将发光二极管从测量单元移动到室或从腔室移动到测量单元。 电源单元（500）向发光二极管供电。 数据存储单元（600）存储在测量单元中测量的光或电数据。 控制单元（700）控制室，测量单元，平台或电源单元，并将光或电数据存储在数据存储单元中。 （参考编号）（210,220）加热器或冷却器; （230）温度测量单元; （310）光接收传送装置; （320）光接收模块; （330）光谱仪; （400）舞台; （500）电源单元; （600）存储单元; （700）控制单元
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公开(公告)号：KR101769749B1
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020150185329
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키고, 얼라인키를표시하는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기상측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지되, 상기제4단계는, 상기고분자기판에표시된얼라인키와상기제2스탬프의얼라인키를정렬한후 상기유동성재료상에상기제2스탬프를위치시켜상기유동성재료의수평방향으로가해지는상기제2스탬프의가압력을제어하는것을특징으로하는수평방향으로굴절률이제어된수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있고, 특히열간성형및 임프린트공정시 얼라인키를이용함으로써, 수평방향으로의굴절률이제어된양면패턴을제공할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한이점이있다.
Abstract translation: 制造双面图案化折射率的发明方法被控制在水平方向上，从而为在由图案精细结构的聚合物衬底上产生的图案的两侧，并对准inki（对准键）是热模压通过将形成的第一压模 到聚合物基材和雕刻微结构图案和反相摄取第一压模中的一个模式，所述第一压模中显示对齐inki的第一步骤中分离，聚合物衬底，所述第一图案被雕刻， 形成聚合物衬底上形成第一图案，所述第一液体涂覆到聚合物基材1的第二步骤中，形成在材料中的图案，形成底部表面，其中所述可流动的材料在所述第一图案和所述反相切口侧图案 第三步骤和细到所施加的流体jaeryosang结构图案和对准inki（对准键）通过将所述第二时间戳的时间戳第二到流动性jaeryosang侧压力机的精细结构图案被形成，通过进行固化处理 gwayeok 以及将第二印模与其中印有上部图案的流体材料分离以在聚合物基底上形成流体材料的双面图案的第五步骤， 第四步骤中，并随后被显示在聚合物基板对准的对准inki和对准的第二印模inki置于用于第二印模的流动性jaeryosang第二印模变成流体材料的水平方向 和用于产生在水平方向上的折射率的水平方向上的折射率的方法进行控制模式控制双方，其特征在于，用于控制所述压力，并因此通过作为技术基础制造的双面图案。 此完成本发明可以在同一时间通过时对准inki使用热成形和压印工艺形成通过简单的工艺成双面图案，特别是，能提供一个双面图案在控制的水平方向上的折射率，异质衬底或后 它可以很容易地转移到薄膜上，因此可以用于各种领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170072681A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种低暗电流雪崩光电二极管，其包括：放大层，其包括形成在所述放大层的中心处的倍增区和形成在所述倍增区周围的非多路复用区; 以及设置在放大层的上侧的光接收部分处的电极，其中电极被布置为包括倍增区域和非多路复用区域的一部分。
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公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101666400B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150077849A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166739
申请日：2013-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 본발명의일 측면에의하면, 경사진형태의비아홀을포함하는 PCB; 상기비아홀의바닥면에부착된광소자;및상기광소자와상기 PCB를연결하는와이어본딩; 을포함하는것을특징으로하는경사면의반사광을활용하는집광형광소자모듈을제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, PCB에구비된경사진형태의비아홀바닥에광소자를구비하고경사면에금속을도금함으로써, 광소자에빛이모아져서발전효율이높아지는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种使用斜率反射光的聚光光伏模块，包括：包括倾斜通孔的PCB; 安装在通孔槽的地板上的光学装置; 以及用于连接光学装置和PCB的引线接合。 根据本发明，光学装置设置在形成在PCB上的倾斜通孔的底板上，并且金属被镀在斜面上，使得光聚集在光学装置中并且产生效率增加。
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公开(公告)号：KR1020150073645A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B29C67/00
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不对称金属或金属氧化物纳米结构体的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基板或薄膜上形成压印层的第一工序; 用于在压印层上定位可变压印印模的第二步骤，以适于转换可变印记印模图案的压力和方向按压可变印记印模，并在其上进行固化处理以形成不对称图案层; 用于去除所述不对称图案层的残留膜以暴露所述衬底或所述薄膜的一部分的第三步骤; 第四步，用于在基板或薄膜的暴露部分上去除金属或金属氧化物; 以及用于去除所述不对称图案层以在所述基板或所述薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。 因此，可以制造大面积不对称金属或金属氧化物纳米结构。 此外，可以根据可变印记印模的压力或方向来调整图案的不对称程度，由此本发明可以用于各种领域。
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