公开(公告)号：KR1020110139322A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020117030107

申请日：2008-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 막 내의 Sr과 Ti의 비율(Sr/Ti)이 원자수비로 1.2 이상 3 이하가 되도록 하여 성막한 후, 0.001 % 이상 80 % 이하의 O
2 를 함유하는 분위기 내에서 500 ℃ 이상으로 어닐링한다. 또한, SrO막 성막 단계 또는/및 TiO막 성막 단계가 복수 회 연속해서 수행되는 시퀀스를 포함하여 SrO막 성막 단계 및 TiO막 성막 단계를 복수 회 수행한다. 또한, Sr을 흡착시킨 후, Sr을 산화시킬 때에, 산화제로서 O
3 및 H
2 O를 이용한다.

公开(公告)号：KR1020110128145A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020110046713

申请日：2011-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  아리가쥰지 ,  기무라노리후미 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a silicon film are provided to control property deterioration as an electrode of a Si film which is formed by eliminating a native oxide film which is formed in the bottom part of a groove before a first deposition process. CONSTITUTION: A method for forming a silicon film(54) is composed of a first deposition process, an etching process, and a second deposition process. The silicon film is layered in order to bury the groove of a processed body in the first deposition process. An opening of the groove widens by etching the silicon film which is layered by the first deposition process in the etching process. The groove is layered in order to bury the silicon film in the groove in which the opening widens in the second deposition process. The silicon film is formed in the groove of the processed body.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的方法和装置，以控制作为通过消除在第一沉积工艺之前形成在凹槽的底部中的自然氧化膜形成的Si膜的电极的性能劣化。 构成：形成硅膜（54）的方法由第一沉积工艺，蚀刻工艺和第二沉积工艺组成。 层叠硅膜以便在第一沉积工艺中埋入加工体的凹槽。 通过在蚀刻工艺中蚀刻通过第一沉积工艺层叠的硅膜来扩大凹槽的开口。 为了将硅膜埋入其中开口在第二沉积工艺中变宽的凹槽中，将该沟槽分层。 硅膜形成在加工体的槽中。

公开(公告)号：KR1020110119581A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：KR1020110039227

申请日：2011-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a thin film of an amorphous silicon layer is provided to improve the precision of surface roughness. CONSTITUTION: A seed layer(3) is formed on a base(2) by flowing aminosilane based gas on the heated base. Silane based gas without amino group is supplied to the seed layer. Silane group gas without amino group is pyrolyzed. An amorphous silicon layer(4) is formed on the seed layer. The thickness of the amorphous silicon layer is 50 nm to 100 nm.

Abstract translation: 目的：提供一种形成非晶硅层薄膜的方法和装置，以提高表面粗糙度的精度。 构成：通过在加热的基底上流动氨基硅烷基气体，在基底（2）上形成种子层（3）。 将无氨基的无硅烷基气体供给种子层。 没有氨基的硅烷基气体被热解。 在种子层上形成非晶硅层（4）。 非晶硅层的厚度为50nm〜100nm。

公开(公告)号：KR1020100115375A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020107021021

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 제 1 유기 금속 화합물 원료로서 증기압이 낮고 유기 배위자가 산화제로 분해되어 CO를 발생하기 쉬운 화합물을 이용하고, 제 2 유기 금속 화합물 원료로서 금속 알콜시드를 이용하고, 산화제로서 기체상태의 O
3 또는 O
2 를 이용하고, 이들을 처리용기내에 도입해서 기판상에 AxByOz형의 산화물막을 성막함에 있어서, 산화제를 도입하기 직전에는 반드시 상기 제 2 유기 금속 화합물 원료를 도입하도록 한다.

公开(公告)号：KR1020070102607A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020077020452

申请日：2006-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  가네코히로시 ,  이와타데루오 ,  다케야마다마키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: A method of substrate treatment by means of a substrate treating apparatus holding a treatment object substrate and including a treatment vessel having thereinside a first space wherein a first treating gas or second treating gas is fed on the treatment object substrate and a second space defined around the first space and communicating with the first space; first evacuation means for evacuating the first space; and second evacuation means for evacuating the second space, which method is characterized by including the first step of feeding the first treating gas to the first space; the second step of discharging the first treating gas from the first space; the third step of feeding the second treating gas to the first space; and the fourth step of discharging the second treating gas from the first space, while the pressure of the second space is controlled by a pressure regulation gas fed into the second space.

Abstract translation: 一种基板处理装置的方法，所述基板处理装置保持处理对象基板并且包括处理容器，所述处理容器具有第一空间，其中所述第一处理气体或第二处理气体被供给到所述处理对象基板上， 第一空间与第一空间通信; 用于撤离第一空间的第一撤离装置; 以及用于抽空第二空间的第二抽空装置，该方法的特征在于包括将第一处理气体供给到第一空间的第一步骤; 从第一空间排出第一处理气体的第二步骤; 将第二处理气体供给到第一空间的第三步骤; 以及从第一空间排出第二处理气体的第四步骤，同时第二空间的压力由供给到第二空间的压力调节气体控制。

公开(公告)号：KR1020040108745A

公开(公告)日：2004-12-24

申请号：KR1020047016739

申请日：2003-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  오시모겐타로 ,  마츠도마사히코

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45502 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/67017

Abstract: 본 발명에 의한 처리 장치는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 천장부에 설치되고, 상기 처리 용기의 내부측에 면하는 가스 분사면에 소정의 처리 가스를 상기 처리 용기내로 분출하는 복수의 가스 분사 구멍이 형성된 샤워 헤드 구조와, 상기 처리 용기내에 있어서 상기 샤워 헤드 구조에 대향하도록 배치된 탑재대를 구비한다. 상기 가스 분사면과 상기 탑재대 사이의 헤드 거리와 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가, 상기 헤드 거리를 가로축으로 하고 상기 가스 분출 속도를 세로축으로 한 평면 좌표계에 있어서, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 32 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 67 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 40 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 113 m/sec인 포인트를 사각형상으로 직선으로 연결하여 둘러싸이는 범위내로 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR101615968B1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：KR1020140072197

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101594933B1

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: (과제) 보이드나심의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그의형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 도프공정과, 제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피처리체의홈을매입하도록붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정에서성막된실리콘막을에칭한다. 도프공정에서는, 에칭공정에서에칭된실리콘막을붕소를포함하는불순물로도프한다. 제2 성막공정에서는, 도프공정에서도프된실리콘막을매입하도록, 붕소를포함하는불순물이도프된실리콘막을성막한다.

公开(公告)号：KR101536654B1

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：KR1020120064087

申请日：2012-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: (과제) 보이드나시임의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 도프공정과제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피(被)처리체의홈을매입하도록불순물로도프되어있지않은논 도프실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정으로성막된논 도프실리콘막을에칭한다. 도프공정에서는, 에칭공정으로에칭된논 도프실리콘막을불순물로도프한다. 제2 성막공정에서는, 도프공정으로도프된실리콘막을매입하도록, 불순물이도프된실리콘막을성막한다.

公开(公告)号：KR101498960B1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020110040550

申请日：2011-04-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: (과제) 비교적 저온에서도 매입 특성이 양호한 어모퍼스 상태의 불순물 함유의 실리콘막을 형성하는 것이 가능한 박막의 형성 방법을 제공한다.
(해결 수단) 진공 배기가 가능하게 이루어진 처리 용기(14) 내에서 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 불순물 함유의 실리콘막을 형성하는 박막의 형성 방법에 있어서, 처리 용기 내로 실리콘과 수소로 이루어지는 실란계 가스를 당해 실란계 가스가 피처리체의 표면에 흡착되는 상태로 공급하는 제1 가스 공급 공정과 처리 용기 내로 불순물 함유 가스를 공급하는 제2 가스 공급 공정을 교대로 반복하여 행함으로써 어모퍼스 상태로 불순물 함유의 실리콘막을 형성한다. 이에 따라, 비교적 저온에서도 매입 특성이 양호한 어모퍼스 상태의 불순물 함유의 실리콘막을 형성한다.