公开(公告)号：KR101774086B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：KR1020140076618

申请日：2014-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45557 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32816

Abstract: 진공용기내에서기판에대해박막을형성하는성막방법으로, 가스를플라즈마화하여얻어진, 상기박막의품질에관여하는활성종을기판에공급하는공정을포함하고, 기판에제1 막을성막하는제1 공정과, 가스를플라즈마화하여얻어진, 상기박막의품질에관여하는활성종을, 제어파라미터를조정함으로써, 단위막 두께당활성종의공급량이상기제1 공정에있어서의단위막 두께당활성종의제1 공급량보다도많아지도록기판에공급하는공정을포함하고, 상기제1 막상에당해제1 막과동일한종별의막인제2 막을성막하는제2 공정을구비하였다.

Abstract translation: 1。一种在真空容器中的基板上形成薄膜的方法，所述方法包括：将通过等离子体形成气体获得的与薄膜的质量有关的活性物种供应到基板， 通过调节控制参数，以便可以控制涉及通过将气体转化为等离子体而获得的薄膜质量的活性物种，从而每单位膜厚度的每单位膜厚度的活性物种的量 1提供给基板以大于第一膜的供应量;以及第二步骤，在第一膜上形成与第一膜相同种类的膜。

公开(公告)号：KR1020170092462A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：KR1020170013593

申请日：2017-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  무라타마사히로 ,  사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32

Abstract: 기판의표면에형성된오목부패턴내에 SiN막을매립하는성막방법이며, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 NH을포함하는제1 처리가스를플라즈마화해서공급하여, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 NH기를흡착시키는질화공정과, 해당 NH기가흡착된상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 N를포함하는제2 처리가스를플라즈마화해서공급하여, 상기 NH기의일부를 N기로변환하는흡착사이트제어공정과, 실리콘함유가스를상기 NH기및 상기 N기가흡착된상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에공급하여, 상기 NH기에선택적으로흡착시키는실리콘흡착공정을갖고, 상기질화공정, 상기흡착사이트제어공정및 상기실리콘흡착공정을주기적으로복수회반복한다.

Abstract translation: 包括以下步骤：通过等离子体将包含NH 3的第一处理气体提供给包括凹形图案的基板的表面，并提供凹形图案; 并且，将含有N的第2处理气体供给至包含凹部图案的基板的表面，该凹部图案中NH基被等离子体吸附而供给至基板的表面， 向含有NH基和其上吸附有N基的凹图案的基板表面供给含硅气体并选择性地将NH 3基吸附到NH基上的硅吸附步骤， 并且氮化处理，吸附位置控制处理和硅吸附处理周期性地重复多次。

公开(公告)号：KR101602016B1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：KR1020130078709

申请日：2013-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02233 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02565

Abstract: 진공용기내에서, 회전테이블의일면측에배치된기판을당해회전테이블에의해공전시켜, 서로다른처리가스를차례로공급하는사이클을복수회반복하여반응생성물의층을적층하여박막을얻는성막장치에있어서, 상기기판에실리콘을포함하는제1 처리가스를흡착시키기위해, 상기기판에대해제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 이제1 처리가스공급부에대해상기회전테이블의회전방향으로이격되어설치되고, 기판에흡착된제1 처리가스를산화시켜실리콘산화물을생성하기위해, 산소를활성화하여얻어진활성종을포함하는제2 처리가스를공급하기위한제2 처리가스공급부와, 상기회전테이블의주위방향에있어서상기제1 처리가스공급부와제2 처리가스공급부사이에설치되고, 제1 처리가스와제2 처리가스의혼합을피하기위한분리영역과, 상기회전테이블을가열함으로써당해회전테이블을통해기판을하방측으로부터가열하기위한주 가열기구와, 상기회전테이블상의기판의통과영역과대향하도록당해회전테이블의상방측에설치되고, 상기주 가열기구에의해가열된기판에, 기판의흡수파장영역의광을조사하여당해기판을복사열에의해오존가스가열분해되는온도이상의처리온도로직접가열하는가열램프로이루어지는보조가열기구를구비하고, 장치의성능상허용되는회전테이블의최고온도는오존가스가열분해되는온도보다도낮은온도이고, 상기처리온도에서, 상기제1 처리가스가기판에흡착되고, 흡착된제1 처리가스가제2 처리가스에의해산화되는것을특징으로하는성막장치를제공한다.

公开(公告)号：KR101596094B1

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：KR1020130082246

申请日：2013-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 성막방법은, 오목부가형성되는기판에대하여과산화수소를포함하는기체를공급하고, 당해기판에과산화수소를응결시키는스텝과, 상기과산화수소와반응가능한실리콘함유가스를상기과산화수소가응결된상기기판에대하여공급하는스텝을포함한다.

公开(公告)号：KR101575395B1

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：KR1020130005859

申请日：2013-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  구마가이다케시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0206

Abstract: 내부에, 절연물로형성되는동시에, 표면에기판적재부가설치된서셉터가회전가능하게설치되는진공용기로제1 가스를공급하는스텝과, 상기진공용기에대하여설치되는플라즈마발생원에대하여고주파를공급하고, 상기제1 가스로부터플라즈마를생성하는스텝과, 상기서셉터를회전하고, 상기기판적재부가노출된상태에서, 당해기판적재부를상기플라즈마에노출시키는스텝을포함하는, 파티클저감방법이다.

公开(公告)号：KR1020150131997A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020150067219

申请日：2015-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  나카츠보도시유키 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68764

Abstract: 소정의플라즈마처리영역내에처리가스를공급하여, 플라즈마발생영역에서상기처리가스를플라즈마화해서기판(W) 상에형성된막에플라즈마처리를실시하는플라즈마처리방법이다. 기판상에형성된막의플라즈마처리에의한면내처리량의분포가취득된다. 이어서, 취득한상기면내처리량의분포에기초하여, 상기플라즈마처리의처리량을증가시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로높아지거나, 또는상기플라즈마처리의처리량을감소시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로낮아지도록상기처리가스의유속이조정된다. 그리고, 유속이조정된상기처리가스를상기소정의플라즈마처리영역내에공급하여, 상기기판상에형성된막에상기플라즈마처리가실시된다.

Abstract translation: 等离子体处理方法技术领域本发明涉及一种等离子体处理方法，其通过将处理气体供给到等离子体处理区域中，将处理气体转化成等离子体产生区域中的等离子体，能够在形成于基板（W）上的膜上进行等离子体处理。 通过在基板上形成的膜的等离子体处理获得面内通过量的分布。 基于平面内吞吐量的分布，控制处理气体的速度，使得供给到等离子体处理的生产量增加的区域的处理气体的速度相对增加，或者等于 供给到等离子体处理的生产量降低的区域的处理气体相对减少。 具有受控速度的处理气体被提供给等离子体处理区域，因此，对形成在基板上的膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020150094533A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315

Abstract: 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 분리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제1 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 제1 거리인 상태에서 제1 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제2 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리인 상태에서 제2 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 상기 분리 가스를 공급하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的基板处理方法包括：向基板提供处理气体的过程; 将分离气体供给到基板的工序; 在第一等离子体产生装置和旋转台之间的距离是第一距离的同时向基板供应第一等离子体处理气体的过程; 在第二等离子体产生装置和旋转台之间的距离比第一距离短的第二距离的情况下，向基板供给第二等离子体处理气体的过程; 以及将分离气体供给到基板的工序。

公开(公告)号：KR101531084B1

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：KR1020130005499

申请日：2013-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  나카츠보도시유키 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/458 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591

Abstract: 성막장치는, 진공용기내에서서로반응하는복수종류의처리가스를순서대로공급하는사이클을복수회행하여박막을형성한다. 상기성막장치는, 상기진공용기내에설치되고, 기판을적재하는기판적재영역이그 상면에형성되는동시에, 이기판적재영역을공전시키기위한회전테이블과, 이회전테이블의주위방향으로서로이격된처리영역에대해서로다른처리가스를각각공급하기위한복수의처리가스공급부와, 각처리영역의분위기를분리하기위해, 각처리영역의사이에형성된분리영역에대해분리가스를공급하는분리가스공급부와, 상기진공용기내의분위기를진공배기하기위한배기구를구비한다. 상기처리가스공급부중 적어도하나의처리가스공급부는, 상기회전테이블의중앙부로부터주연부를향해신장되는동시에, 상기회전테이블을향해처리가스를토출하는가스토출구가그 길이방향을따라형성된가스노즐로서구성되고, 상기가스노즐에있어서의상기회전테이블의회전방향의상류측및 하류측에는, 당해가스노즐로부터토출된처리가스의희박화를억제하기위해분리가스가그 상면측을흐르도록, 당해가스노즐의길이방향을따라정류판이설치되고, 상기가스노즐및 상기정류판의상방측에는, 분리가스가통류하는통류공간이형성되고, 상기정류판에있어서의회전테이블의외주측의테두리부는, 상기정류판의하방측의처리가스가회전테이블의외측으로배출되는것을억제하기위해, 당해회전테이블의외주단부면과간극을두고대향하도록하방측으로굴곡된굴곡부로서구성되어있다.

公开(公告)号：KR1020130141397A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020130068486

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠준 ,  고시미즈치시오 ,  다치바나미츠히로 ,  가토히토시 ,  고바야시다케시 ,  미우라시게히로 ,  기무라다카후미

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention installs a plasma processing unit which is separated to the rotation direction of a rotation table for each processing gas nozzle. The present invention installs a bias electrode unit in a position which is touched to the plasma processing unit through a rotation table in order not to be touched to the rotation table. The present invention is provided to apply bias voltage from a voltage applying unit to the bias electrode unit, thereby applying a non-touch bias voltage to a wafer (W) on the rotation table. [Reference numerals] (120) Bias electrode unit;(AA) Plasma generation gas;(BB) O_2 gas;(CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 本发明安装一个等离子体处理单元，该等离子体处理单元与每个处理气体喷嘴的旋转台的旋转方向分开。 本发明通过旋转台将偏置电极单元安装在与等离子体处理单元接触的位置，以便不与旋转台接触。 本发明提供用于将偏置电压从电压施加单元施加到偏置电极单元，从而对旋转台上的晶片（W）施加非触摸偏置电压。 （附图标记）（120）偏置电极单元;（AA）等离子体产生气体;（BB）O_2气体;（CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR100662929B1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

Abstract translation: 本发明的热处理方法包括：装载步骤，将其表面上形成有微细不规则形状的硅膜加工到处理容器中的待处理物体;