公开(公告)号：KR1020050010021A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：KR1020047019644

申请日：2003-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  오힌 ,  다나카히데키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 본 발명에서는, 예를 들면 기준으로 하는 플라즈마 처리 장치(100A)와 이것과 동종의 플라즈마 처리 장치(100B)에 대해서 제 1 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 각각의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 각각 다변량 해석하여 각각의 다변량 해석 모델식을 작성한 후, 새로운 제 2 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 플라즈마 처리 장치(100A)의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 이용하여 그 다변량 해석 모델식을 작성하고, 이 새로운 제 2 설정 데이터의 플라즈마 처리 장치(100A)의 다변량 해석 모델식과 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 이용하여 새로운 제 2 설정 데이터에 대응하는 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 작성한다. 이에 의하면, 예를 들면 처리 장치마다 프로세스 특성에 차가 있는 경우이더라도, 하나의 처리 장치에 대해서 작성한 모델식을 동종의 다른 처리 장치에 그대로 적용할 수 있어, 처리 장치마다 여러 가지의 측정 데이터를 취해서 그 때마다 모델식을 작성하지 않더라도 완료된다. 이에 의해, 모델식 작성시의 수고와 시간을 경감할 수 있다.

公开(公告)号：KR100344967B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019950009309

申请日：1995-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  고시시아키라 ,  니시가와히로시 ,  다케나카히로토 ,  사카모토요시오 ,  다하라가즈히로 ,  고미노미쯔아키 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이죠

IPC: H01L21/306

Abstract: 플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.

公开(公告)号：KR100628392B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：KR1020047019644

申请日：2003-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  오힌 ,  다나카히데키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 본 발명에서는, 예를 들면 기준으로 하는 플라즈마 처리 장치(100A)와 이것과 동종의 플라즈마 처리 장치(100B)에 대해서 제 1 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 각각의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 각각 다변량 해석하여 각각의 다변량 해석 모델식을 작성한 후, 새로운 제 2 설정 데이터에 의해 동작했을 때에 플라즈마 처리 장치(100A)의 복수의 센서로부터 검출되는 검출 데이터를 이용하여 그 다변량 해석 모델식을 작성하고, 이 새로운 제 2 설정 데이터의 플라즈마 처리 장치(100A)의 다변량 해석 모델식과 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 이용하여 새로운 제 2 설정 데이터에 대응하는 플라즈마 처리 장치(100B)의 다변량 해석 모델식을 작성한다. 이에 의하면, 예를 들면 처리 장치마다 프로세스 특성에 차가 있는 경우이더라도, 하나의 처리 장치에 대해서 작성한 모델식을 동종의 다른 처리 장치에 그대로 적용할 수 있어, 처리 장치마다 여러 가지의 측정 데이터를 취해서 그 때마다 모델식을 작성하지 않더라도 완료된다. 이에 의해, 모델식 작성시의 수고와 시간을 경감할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020027561A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020027002155

申请日：2000-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은, 보다 미세화에 대응 가능한 고밀도 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리에 있어서, 전극 표면에서 전계분포의 불균일을 작게 하는 것이 가능하고, 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 것이 가능한 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법을 제공한다.
챔버내에 서로 대향하도록 설치된 제1 및 제2전극(21,5)을 배치하고, 급전면인 제1전극(21)의 상기 제2전극(5)에 대향하는 면과 반대측의 면으로부터 미소 이격해서 급전판(52)을 배치하고, 급전판(52)에서 제1전극(21)의 급전면의 중심에 대응하는 위치로부터 직경방향으로 벗어난 위치에 급전봉(51)을 접속하며, 급전판(52)을 회전시켜서 급전봉(51)의 급전위치를 상기 제1전극의 급전면상에서 회전시킨다. 이와 같이 해서 급전해서, 제1 및 제2전극(21,5) 사이에 고주파 전계를 형성하는 것에 의해 플라즈마를 형성하고, 기판(W)에 플라즈마 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR1019950034496A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950009309

申请日：1995-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  고시시아키라 ,  니시가와히로시 ,  다케나카히로토 ,  사카모토요시오 ,  다하라가즈히로 ,  고미노미쯔아키 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이죠

IPC: H01L21/306

Abstract: 플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.

公开(公告)号：KR1019950030257A

公开(公告)日：1995-11-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065