公开(公告)号：KR100743275B1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：KR1020050054031

申请日：2005-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈아키타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 처리 챔버 내 뿐만 아니라, 반송 시스템에 있어서의 부식도 확실히 방지할 수 있는 플라즈마 처리 방법 및 후처리 방법을 제공한다. 챔버 내의 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실실행하는 플라즈마 처리 방법은 적어도 할로겐 원소를 포함하는 가스를 플라즈마화하여 생성한 제 1 플라즈마에 의해 피처리체를 처리하는 제 1 플라즈마 처리와, 제 1 플라즈마 처리 후, 상기 챔버 내에 산소를 포함하는 가스를 공급하여, 제 2 플라즈마를 생성시켜 상기 챔버 및 피처리체를 처리하는 제 2 플라즈마 처리와, 제 2 플라즈마 처리 후의 피처리체를 적어도 질소 및 수소를 포함하는 가스를 플라즈마화하여 생성한 제 3 플라즈마에 의해 처리하는 제 3 플라즈마 처리를 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020060046505A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050054031

申请日：2005-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈아키타카

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32862

Abstract: 처리 챔버 내 뿐만 아니라, 반송 시스템에 있어서의 부식도 확실히 방지할 수 있는 플라즈마 처리 방법 및 후처리 방법을 제공한다. 챔버 내의 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실실행하는 플라즈마 처리 방법은 적어도 할로겐 원소를 포함하는 가스를 플라즈마화하여 생성한 제 1 플라즈마에 의해 피처리체를 처리하는 제 1 플라즈마 처리와, 제 1 플라즈마 처리 후, 상기 챔버 내에 산소를 포함하는 가스를 공급하여, 제 2 플라즈마를 생성시켜 상기 챔버 및 피처리체를 처리하는 제 2 플라즈마 처리와, 제 2 플라즈마 처리 후의 피처리체를 적어도 질소 및 수소를 포함하는 가스를 플라즈마화하여 생성한 제 3 플라즈마에 의해 처리하는 제 3 플라즈마 처리를 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020040007351A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020030047603

申请日：2003-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  이와타마나부 ,  고시미즈치시오 ,  히구치후미히코 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타아사오 ,  이와마노부히로 ,  히가시우라츠토무 ,  장동셍 ,  나카야미치코 ,  무라카미노리카즈

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a method for correcting a variable impedance device are provided to perform a plasma process on a target substrate by using plasma in a semiconductor processing system. CONSTITUTION: An airtight process chamber(4) is used for accommodating a target substrate. A gas supply system supplies a process gas into the process chamber. An exhaust system exhausts an interior of the process chamber and sets the interior of the process chamber to a vacuum state. A first and a second electrode(6,18) are arranged in the process chamber to oppose each other. An RF field for turning the process gas into plasma by excitation is formed between the first and second electrodes. An RF power supply(14,28) is connected to the first or second electrode through a matching circuit and which supplies RF power. The matching circuit serves to automatically perform input impedance matching relative to the RF power. An impedance setting section(30) is connected, through an interconnection, to a predetermined member to be electrically coupled with the plasma in the plasma process, and which sets a backward-direction impedance as an impedance against an RF component input from the plasma to the predetermined member. The impedance setting section is capable of changing a value of the backward-direction impedance. A controller(32) is used for supplying a control signal concerning a preset value of the backward-direction impedance to the impedance setting section.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和校正可变阻抗装置的方法，以通过在半导体处理系统中使用等离子体来在目标基板上执行等离子体处理。 构成：密封处理室（4）用于容纳目标衬底。 气体供应系统将处理气体供应到处理室中。 排气系统排出处理室的内部并将处理室的内部设置为真空状态。 第一和第二电极（6,18）布置在处理室中以彼此相对。 在第一和第二电极之间形成用于通过激发将工艺气体转化成等离子体的RF场。 RF电源（14,28）通过匹配电路连接到第一或第二电极，并提供RF功率。 匹配电路用于自动执行相对于RF功率的输入阻抗匹配。 阻抗设定部（30）通过互连连接到等离子体处理中与等离子体电耦合的预定部件，并且将反向阻抗设定为针对从等离子体输入的RF分量的阻抗， 预定成员。 阻抗设定部能够改变反向阻抗的值。 控制器（32）用于向阻抗设定部分提供关于反向阻抗的预设值的控制信号。

公开(公告)号：KR102244356B1

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：KR1020187026810

申请日：2017-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마이무네유키 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105

Abstract: 본발명의과제는웨이퍼의표면에형성된 SiO2 막을하층에도달하기전의도중단계까지에칭할때, 러프니스를개선하는것이다. 해결수단으로서, 웨이퍼(W)의표면에형성된 SiO2 막(1)을하층에도달하기전의도중단계까지에칭할때 SiO2 막(1)의표면에산소라디칼(102)을조사하여친수화한후, NH3 가스와 HF 가스에의해, 상기 SiO2 막(1)을에칭하고있다. 그때문에 SiO2 막(1)의표면에 NH3 가스와 HF 가스를균일하게흡착시킬수 있다. 따라서 SiO2 막(1)의표면이균일하게에칭되어, SiO2 막(1)을하층에도달하기전의도중단계까지에칭했을때에도표면의거침(러프니스)을개선할수 있다.

公开(公告)号：KR102127175B1

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：KR1020130125252

申请日：2013-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  쿠시비키마사토 ,  소네타카시 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR102015697B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020170026944

申请日：2017-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시게키 ,  오가와히로유키 ,  나이토하지메 ,  시미즈아키타카 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR1020150041190A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：KR1020157008419

申请日：2013-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이치 ,  시미즈아키타카 ,  야마시타후미코

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  C21D8/12 ,  C21D8/1277 ,  H01J2237/334 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L21/3065

Abstract: 제 1 자성층및 제 2 자성층에의해절연층을개재하여적층된금속적층막을포함하는다층막재료를에칭하는에칭처리방법으로서, 처리용기내로제 1 가스를공급하여플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마에의해상기금속적층막을에칭하는에칭공정을포함하고, 상기제 1 가스는 PF가스를함유하는가스인것을특징으로하는에칭처리방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020140116811A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：KR1020140032642

申请日：2014-03-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 마츠야마쇼이치로 ,  시미즈아키타카 ,  노가미스스무 ,  이토키요히토 ,  오히와토쿠히사 ,  야하시카츠노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334

Abstract: Provided are a plasma etching apparatus and a plasma etching method which can prevent the generation of charge-up damage and local deviation of etching rate. The present invention relates to a plasma etching method for etching the silicon layer of a substrate to be processed by using a plasma etching apparatus. The pressure of the process chamber is 13.3 Pa or higher. The first high frequency wave power of a first frequency and the second high frequency wave power of a second frequency which is 1 MHz or lower and is lower than the first high frequency wave are applied to a lower electrode.

Abstract translation: 提供了可以防止产生电荷损失和蚀刻速率的局部偏差的等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。 本发明涉及一种通过使用等离子体蚀刻装置来蚀刻待处理衬底的硅层的等离子体蚀刻方法。 处理室的压力为13.3Pa以上。 将第一频率的第一高频波功率和第一频率为1MHz以下且低于第一高频波的第二频率的第二高频波功率施加到下电极。

公开(公告)号：KR1020120112242A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033295

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  이나이겐스케 ,  시미즈아키타카 ,  야스다겐타 ,  요시노유 ,  아이다도시히로 ,  세노오다케히코

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67011

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning apparatus and a vacuum processing system are provided to favorably clean an unnecessary site of a peripheral part of a substrate in a state that a contamination of the substrate is controlled. CONSTITUTION: A vacuum transfer chamber(2) maintains the inside thereof in a vacuum atmosphere using a vacuum pump. The vacuum transfer chamber comprises a load lock chamber(15) and a transfer device(22). The first vacuum chamber(31) forms a processing atmosphere for an etching device(3). The second vacuum chamber(41) forms the processing atmosphere for a substrate cleaning apparatus(4). The second vacuum chamber includes an electrostatic chuck for adsorbing a wafer(W) in a horizontal state. [Reference numerals] (9) Control unit

Abstract translation: 目的：提供基板清洗装置和真空处理系统，以便在控制基板的污染的状态下有利地清洁基板的周边部分的不必要部位。 构成：真空传送室（2）使用真空泵将其内部保持在真空气氛中。 真空传送室包括负载锁定室（15）和传送装置（22）。 第一真空室（31）形成蚀刻装置（3）的处理气氛。 第二真空室（41）形成用于基板清洗装置（4）的处理气氛。 第二真空室包括用于以水平状态吸附晶片（W）的静电卡盘。 （附图标记）（9）控制单元

公开(公告)号：KR1020100013284A

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：KR1020090069933

申请日：2009-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토스스무 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/67242 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A substrate processing control method and a storage medium are provided to improve the accuracy of reference spectrum data by displaying the superposition of reflected light as the sum of a plurality of spectrums. CONSTITUTION: A process chamber(11) is formed with a conductive material. A bottom electrode(12) is arranged on the bottom within the process chamber. A shower head(13) is arranged on the chamber while being separated from the bottom electrode. A high frequency power(16) is connected to the bottom electrode through a matching device(15). A gas induction pipe(18) is connected to a buffer room(17) inside the shower head. An exhausting unit(14) decompresses the process chamber to a predetermined degree of vacuum.

Abstract translation: 目的：提供基板处理控制方法和存储介质，通过显示反射光的叠加作为多个光谱的和来提高参考光谱数据的精度。 构成：处理室（11）形成有导电材料。 底部电极（12）布置在处理室内的底部。 淋浴头（13）布置在腔室上，同时与底部电极分离。 高频功率（16）通过匹配装置（15）连接到底部电极。 气体导入管（18）连接到淋浴喷头内的缓冲室（17）。 排气单元（14）将处理室减压至预定的真空度。