公开(公告)号：KR101431865B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020100064433

申请日：2010-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다마사히로 ,  오오코우치아츠시 ,  야마모토다로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은 레지스트 패턴을 가늘게 할 수 있는 기술에 기여하는 현상 장치로서, 모듈 수(현상 장치의 수)를 삭감하는 것을 목적으로 한다.
배치대 위의 기판에 대하여 예컨대 공통의 노즐로부터 상온 현상액과 레지스트 패턴의 표층부를 개질하기 위한 고온 현상액을 전환하여 공급할 수 있도록 한다. 상온 현상액용의 공급로와 고온 현상액용의 공급로를 전환하여 양쪽 현상액을 순차 토출하도록 하여도 좋지만, 상온 온도 조절용 공급로와 고온 온도 조절용 공급로를 합류시켜, 전자의 공급로로부터 상온 현상액을 공급한 후, 양쪽 공급로의 유량비를 조정하고, 그 혼합액을 고온 현상액으로서 공급하여도 좋다. 또한 고온 현상액의 공급 시간은 현상액의 온도를 안정화시키기 위해 상온 현상액의 공급 시간보다 길게, 또한 현상액의 소비량 삭감을 위해 고온 현상액의 공급 유량을 상온 현상액의 공급 유량보다 적게 한다.

公开(公告)号：KR100993234B1

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：KR1020070070112

申请日：2007-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다로 ,  고스기히토시 ,  야마다요시아키 ,  사이가야스히토

IPC: H01L21/08

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70991 ,  Y10S438/908

Abstract: 고굴절율 액체 순환 시스템(9)은 액침 노광부(30)에서 이용된 고굴절율 액체를 회수하는 제1 회수부(4a)와, 제1 회수부(4a)에 의해 회수된 고굴절율 액체를 세정액으로서 이용하도록 후세정 유닛(POCLN)에 공급하는 제1 공급부(4b)와, 후세정 유닛(POCLN)에서 이용된 고굴절율 액체를 회수하는 제2 회수부(4c)와, 제2 회수부(4c)에 의해 회수된 고굴절율 액체를 액침 노광부(30)에 공급하는 제2 공급부(4d)를 구비하고, 고굴절율 액체를 액침 노광부(30)와 후세정 유닛(POCLN) 사이에서 순환시킨다.

Abstract translation: 用于高折射率液体的循环系统包括：第一收集部分，被配置为收集在浸没曝光部分中使用的高折射率液体; 第一供给部，其构造成将收集在第一收集部中的高折射率液体供给到作为清洗液的清洗部; 第二收集部，其构造成收集在所述清洗部中使用的高折射率液体; 以及第二供给部，被配置为将在第二收集部中收集的高折射率液体供给到浸没曝光部，其中高折射率液体在浸没曝光部和清洁部之间循环。

公开(公告)号：KR1020080008237A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：KR1020070070112

申请日：2007-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다로 ,  고스기히토시 ,  야마다요시아키 ,  사이가야스히토

IPC: H01L21/08

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70991 ,  Y10S438/908

Abstract: A high index liquid circulating system in a pattern forming apparatus is provided to reduce the amount of a high refractive index liquid and a cleaning liquid by simplifying a structure thereof. A first collection unit is formed to collect a high refractive index liquid used in an immersion light exposure unit(30). A first supply unit is formed to supply the high refractive index liquid of the first collection unit to a cleaning unit as a cleaning liquid. A second collection unit is formed to collect the high refractive index liquid used in the cleaning unit. A second supply unit is formed to supply the high refractive index liquid collected in the second collection unit to the immersion light exposure unit. In the circulating process of the high refractive index liquid between the immersion light exposure unit and the cleaning unit, the high refractive index liquid is collected from the immersion light exposure unit to the first collection unit. The first supply unit supplies the high refractive index liquid to the cleaning unit. The second collection unit collects the high refractive index liquid from the cleaning unit. The second supply unit supplies the high refractive index liquid to the immersion light exposure unit.

Abstract translation: 提供了图案形成装置中的高折射率液体循环系统，以通过简化其结构来减少高折射率液体和清洁液体的量。 形成第一收集单元以收集在浸没曝光单元（30）中使用的高折射率液体。 第一供给单元被形成为将第一收集单元的高折射率液体作为清洁液体提供给清洁单元。 形成第二收集单元以收集在清洁单元中使用的高折射率液体。 第二供给单元被形成为将收集在第二收集单元中的高折射率液体供给到浸没曝光单元。 在浸渍曝光单元和清洁单元之间的高折射率液体的循环过程中，将高折射率液体从浸没曝光单元收集到第一收集单元。 第一供应单元将高折射率液体供应到清洁单元。 第二收集单元从清洁单元收集高折射率液体。 第二供应单元将高折射率液体供应到浸没曝光单元。

公开(公告)号：KR101892796B1

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：KR1020157015401

申请日：2013-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다마사히로 ,  구보아키히로 ,  야마모토다로 ,  야다겐지 ,  오오코오치아츠시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B5/00 ,  B08B5/02 ,  B08B5/023 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: 기판액 처리장치는, 웨이퍼를보유지지하여회전하는척(13)과, 웨이퍼의이면을향해퍼지가스를분사하는이면퍼지노즐(15)과, 퍼지가스를웨이퍼의이면에분사하는주연퍼지노즐(16)을구비하고있다. 이면퍼지노즐은, 평면에서볼 때기판의중심측으로부터주연측으로연장되는슬릿형상의개구부(15a)를갖고, 이슬릿형상의개구부와척에의해보유지지된기판사이의연직방향거리는, 상기개구부의기판중심측의단부에근접함에따라서넓어져있다. 주연퍼지노즐은, 기판의이면중, 이면퍼지노즐의슬릿형상의개구부의기판주연측의단부보다도외측이며, 또한기판의주연의단부면보다도내측에있는영역을향해, 퍼지가스를기판의중심부를향해분사한다.

公开(公告)号：KR101835904B1

公开(公告)日：2018-03-07

申请号：KR1020130109787

申请日：2013-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다키구치야스시 ,  야마모토다로 ,  이케다요시노리 ,  요시무라고키 ,  오카모토요시키 ,  후쿠다마사히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3092 ,  H01L21/67017

Abstract: 본발명의과제는포지티브형현상액에의한현상처리와네거티브형현상액에의한현상처리의양쪽을행할수 있는현상처리장치에있어서, 탑재하는모듈수를감소시킴으로써, 장치의소형화를가능하게하는것이다. 스핀척(40)과, 웨이퍼(W)에대해포지티브형레지스트용현상액을공급하는포지티브형현상액공급노즐과, 웨이퍼(W)에대해네거티브형레지스트용현상액을공급하는네거티브형현상액공급노즐과, 가동컵(45)을갖고, 가동컵을상승시킴으로써내주유로(48b)에포지티브형또는네거티브형레지스트용의한쪽의비산된현상액을도입시키고, 가동컵을하강시킴으로써외주유로(48a)에포지티브형또는네거티브형레지스트용의다른쪽의비산된현상액을도입시킨다. 내주유로에도입된현상액은한쪽의드레인배출구(49b)로부터배출되고, 외주유로에도입된현상액은다른쪽의드레인배출구(49a)로부터배출된다.

Abstract translation: 由本发明的显影过程和显影剂的目的，显影装置，可以同时执行与由负显影溶液的处理的正型显影液，减少模块的数量将被安装，以使装置的小型化。 用于将抗蚀剂的正显影剂供应到晶片W的正显影剂供应喷嘴;用于将晶片W的负显影剂供应到晶片W的负显影剂供应喷嘴; 具有杯（45），通过提高可动杯内，并引入侧向散射开发用于在流路中的正或负性抗蚀剂溶液（48B），通过降低可动杯正或负的外周流路（48A） 介绍了另一种用于抗蚀剂的散射显影剂。 被引入到内圆周流动路径中的显影剂从排出口49b中的一个排出，并且引入到外圆周流动路径中的显影剂从另一排出口49a排出。

公开(公告)号：KR1020150093699A

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：KR1020157015401

申请日：2013-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다마사히로 ,  구보아키히로 ,  야마모토다로 ,  야다겐지 ,  오오코오치아츠시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B5/00 ,  B08B5/02 ,  B08B5/023 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: 기판 액 처리 장치는, 웨이퍼를 보유 지지하여 회전하는 척(13)과, 웨이퍼의 이면을 향해 퍼지 가스를 분사하는 이면 퍼지 노즐(15)과, 퍼지 가스를 웨이퍼의 이면에 분사하는 주연 퍼지 노즐(16)을 구비하고 있다. 이면 퍼지 노즐은, 평면에서 볼 때 기판의 중심측으로부터 주연측으로 연장되는 슬릿 형상의 개구부(15a)를 갖고, 이 슬릿 형상의 개구부와 척에 의해 보유 지지된 기판 사이의 연직 방향 거리는, 상기 개구부의 기판 중심측의 단부에 근접함에 따라서 넓어져 있다. 주연 퍼지 노즐은, 기판의 이면 중, 이면 퍼지 노즐의 슬릿 형상의 개구부의 기판 주연측의 단부보다도 외측이며, 또한 기판의 주연의 단부면보다도 내측에 있는 영역을 향해, 퍼지 가스를 기판의 중심부를 향해 분사한다.

公开(公告)号：KR101529741B1

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：KR1020100020826

申请日：2010-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아리마히로시 ,  요시다유이치 ,  야마모토다로 ,  요시하라고우스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: 본발명은현상액을기판에균일성높게공급하여수율의저하를억제할수 있는현상장치를제공하는것을목적으로한다. 표면에레지스트가도포되고, 노광된후의기판을수평으로유지하는기판유지부와, 상기기판에대한현상액의습윤성을높이기위한표면처리액을무화시키는표면처리액무화수단과, 무화된상기표면처리액을상기기판에분무하는제1 분무노즐과, 상기표면처리액이분무된기판에현상액을토출하여현상을행하기위한현상액토출노즐을구비하도록현상장치를구성한다. 무화된표면처리액은액상상태의표면처리액에비하여기판에대한표면장력이낮으므로, 기판상에서응집되는것이억제되어, 용이하게기판전체에공급할수 있어기판의습윤성을높일수 있다. 그결과로, 현상액을균일성높게기판에공급할수 있어수율의저하를억제할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150011764A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：KR1020140088256

申请日：2014-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다키구치야스시 ,  야마모토다로 ,  교우다히데하루 ,  무타고시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명은 기판인 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 기판 세정 장치의 소형화를 도모하고, 기판 세정 처리의 세정력을 높이는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)를 흡착 패드(2)에 유지하여 수평 방향으로 이동하고 있을 때, 웨이퍼(W)의 이면측의 중앙 영역을 세정하고, 웨이퍼(W)가 스핀 척(3)에 유지되어 있을 때, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리 영역을 세정하는 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 설치한다. 이와 같이 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 설치하고 있기 때문에, 세정 부재가 단독인 경우에 비해서 세정력을 높게 할 수 있다. 또한 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는 공통의 선회축(52)에 의해 각각 수평 방향으로 선회하도록 구성되어 있지만, 웨이퍼(W) 이면의 중앙 영역을 세정할 때에는 선회축(52)은 웨이퍼(W)에 중첩되어 위치하도록 배치된다. 선회축(52)은 웨이퍼(W)의 이동 영역을 이용하여 설치되기 때문에, 장치의 소형화가 도모된다.

Abstract translation: 本发明的目的是使用于清洁晶片背面（W）的基板清洁装置最小化，并提高基板清洗工艺的去污力。 提供了当晶片（W）被吸收垫（2）保持并水平移动时，用于清洁晶片（W）的后表面中的中心区域的第一和第二清洁构件（6A，6B） 当晶片（W）被旋转卡盘（3）保持时，晶片（W）的后表面中的周边区域。 由于第一和第二清洁构件（6A，6B）如所述设置，因此与仅使用一个清洁构件相比，可以提高洗涤性。 此外，第一和第二清洁部件（6A，6B）被构造成由公共转动轴（52）水平转动。 然而，当清洁晶片（W）的后表面中的中心区域时，转动轴（52）被定位成与晶片（W）重叠。 由于通过使用晶片（W）的移动区域来定位转动轴（52），所以可以减小装置的尺寸。

公开(公告)号：KR1020140035281A

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：KR1020130109787

申请日：2013-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다키구치야스시 ,  야마모토다로 ,  이케다요시노리 ,  요시무라고키 ,  오카모토요시키 ,  후쿠다마사히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3092 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/0274

Abstract: The project of the present invention is to reduce the number of modules by miniaturizing a development processing device capable of performing development processing by both positive and negative developers. The device includes a spin chuck (40), a positive developer supply nozzle supplying a developer for a positive resist for a wafer (W), a negative developer supply nozzle supplying a developer for a negative resist for the wafer (W), and an operating cup (45). One of the developers for the positive or negative resist is inserted into an inner path (48b) by raising the operating cup up and one of the developers for the positive or negative resist is inserted into an outer path (48a) by taking the operating cup down. The developer inserted into the inner path is discharged from a drain outlet (49b) and the developer inserted into the outer path is discharged from the other drain outlet (49a).

Abstract translation: 本发明的项目是通过正面和负面的开发者能够进行开发处理的开发处理装置的小型化来减少模块的数量。 该装置包括旋转卡盘（40），向晶片（W）提供正性抗蚀剂的显影剂的正显影剂供应喷嘴，为晶片（W）供给负性抗蚀剂的显影剂的负极显影剂供应喷嘴，以及 操作杯（45）。 将正或负抗蚀剂的显影剂中的一个通过将操作杯向上升起而插入到内部路径（48b）中，并且通过将操作杯（48a）插入到正面或负面抗蚀剂中的一个显影剂被插入外部路径（48a） 下。 插入到内部路径中的显影剂从排出口49b排出，并且插入到外部路径中的显影剂从另一个排出口49a排出。

公开(公告)号：KR101026023B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020050076034

申请日：2005-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다로 ,  오오코우치아츠시 ,  다케구치히로후미 ,  요시하라고우스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3028

Abstract: 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 회전시키면서 현상액을 공급하는 데 있어서, 기판상의 현상액의 액류를 제어하여 면내 균일성이 높은 패턴을 기판상에 형성한다. 기판유지부인 스핀척(2)에 수평으로 유지된 기판 예컨대 웨이퍼(W)를 연직축을 중심으로 정회전시킴과 동시에, 이 기판의 표면과 대향하여 설치된 해당 기판의 주연으로부터 중앙부측으로 연장하는 띠형상의 토출구(41)를 갖는 현상액노즐(4)을 기판의 외측으로부터 중앙부를 향해 이동시키면서 현상액을 그 표면에 공급한다. 그리고, 기판의 표면에 현상액이 공급된 뒤, 해당 기판을 역회전시키도록 구성한다. 이 경우, 정회전으로부터 역회전으로 하는 것에 의해 기판상의 현상액의 액흐름의 패턴이 변하기 때문에, 기판상의 패턴의 세부에까지 현상액이 두루 미치기 쉽게 된다. 그 결과, 현상 후에 면내 균일성이 높은 패턴을 얻을 수 있다.