公开(公告)号：KR1020100066571A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020107009011

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treatment apparatus (2) for performing prescribed heat treatment to a subject to be treated is provided with a treatment container (4) air in which can be exhausted; a placing table arranged in the treatment container (4), for placing on an upper plane the subject to be treated; a plurality of thermoelectric conversion elements (22) arranged on an upper part of the placing table; a light transmitting window (8) for covering a ceiling portion of the treatment container airtight; and a gas introducing means (12) for introducing a required gas into the treatment container (4). A heating means (46), which is composed of a plurality of heating light sources (52) including a semiconductor light emitting element (58) for emitting heating light to the subject to be treated, is provided above the light transmitting window (8). Thus, heating efficiency is improved and temperature can be increased and reduced at a higher speed for the subject to be treated.

Abstract translation: 对待处理对象进行规定的热处理的热处理装置（2）具有处理容器（4）能够排出的空气; 布置在处理容器（4）中的放置台，用于在上平面上放置待处理的对象; 布置在所述放置台的上部的多个热电转换元件（22） 用于覆盖处理容器的顶部的气密的透光窗（8）; 和用于将所需气体引入处理容器（4）的气体导入装置（12）。 由多个加热光源（52）组成的加热装置（46）设置在透光窗（8）的上方，该加热光源包括用于向被处理物体发出加热光的半导体发光元件（58） 。 因此，提高加热效率并且可以以更高的速度提高和降低待处理对象的温度。

公开(公告)号：KR100907968B1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：KR1020080073220

申请日：2008-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: There is disclosed a shower head structure, disposed on a ceiling portion of a process chamber for subjecting a material to be treated to a film forming process, for supplying a predetermined gas, the structure comprising a head main body formed in a cup shape having a bottom with a plurality of gas injection holes opened therein, and formed integrally with a joining flange portion to be attached to the ceiling portion of the process chamber on an opening side of the cup shape, and a head heating portion, disposed on the bottom of the head main body, for adjusting the head main body at a desired temperature, so that the film forming process for enhancing reproducibility under a low temperature is performed and a reactive byproduct is removed under a high temperature.

Abstract translation: 本发明公开了一种喷淋头结构，其设置在处理室的顶部上，用于对待处理材料进行成膜处理，用于供给预定的气体，该结构包括：形成为杯状的头部主体，该头部主体具有 底部具有多个在其中开口的气体喷射孔，并且与在杯形的开口侧上附接到处理室的顶部的接合凸缘部一体地形成;以及头部加热部，其设置在底部上 头主体，用于将头主体调整在期望的温度，从而执行用于在低温下提高再现性的成膜过程，并且在高温下去除反应副产物。

公开(公告)号：KR1020080047415A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020087006943

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treatment apparatus (2) for performing prescribed heat treatment to a subject (W) to be treated is provided with a treatment container (4) air in which can be exhausted; a placing table (18) arranged in the treatment container (4), for placing on an upper plane the subject to be treated; a plurality of thermoelectric conversion elements (22) arranged on an upper part of the placing table (18); a light transmitting window (8) for covering a ceiling portion of the treatment container airtight; and a gas introducing means (12) for introducing a required gas into the treatment container (4). A heating means (46), which is composed of a plurality of heating light sources (52) including a semiconductor light emitting element (58) for emitting heating light to the subject to be treated, is provided above the light transmitting window (8). Thus, heating efficiency is improved and temperature can be increased and reduced at a higher speed for the subject to be treated.

Abstract translation: 对待处理对象（W）进行规定的热处理的热处理装置（2）具有处理容器（4）能够排出的空气; 布置在处理容器（4）中的放置台（18），用于在上平面上放置待处理的对象; 布置在所述放置台（18）的上部的多个热电转换元件（22）。 用于覆盖处理容器的顶部的气密的透光窗（8）; 和用于将所需气体引入处理容器（4）的气体导入装置（12）。 由多个加热光源（52）组成的加热装置（46）设置在透光窗（8）的上方，该加热光源包括用于向被处理物体发出加热光的半导体发光元件（58） 。 因此，提高加热效率并且可以以更高的速度提高和降低待处理对象的温度。

公开(公告)号：KR100705170B1

公开(公告)日：2007-04-06

申请号：KR1020007010168

申请日：2000-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  요네다마사타케

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명의 막 형성 장치는 대상물이 처리되는 처리실을 형성하는 용기와, 처리실내에 설치되어 대상물이 탑재되는 탑재대와, 탑재대에 설치되어 탑재대에 탑재되는 대상물을 가열하기 위한 제 1 가열 장치와, 용기에 설치되어 탑재대상에 탑재된 대상물에 고융점 금속막층을 형성하기 위한 처리 가스를 처리실내에 공급하는 제 1 가스 공급부와, 대상물의 주연부를 가압하여 대상물을 탑재대상에 유지하는 이동 가능한 클램프와, 클램프와 별도로 형성되어 클램프를 간접적으로 가열하기 위한 제 2 가열 장치와, 클램프가 대상물을 가압하는 위치로 이동되었을 때에 적어도 클램프와 제 2 가열 장치 사이에 형성되는 가스 유로와, 가스 유로에 백사이드 가스를 흘려보내는 제 2 가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101580707B1

公开(公告)日：2015-12-28

申请号：KR1020110109178

申请日：2011-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키아유타 ,  사와다이쿠오 ,  신도나오키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은처리액에의해처리한후, 기판을린스처리할때에, 처리액이기판에잔류하는것을방지할수 있어, 처리시간을단축할수 있는액 처리방법및 액처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판을처리액에의해처리하는본 발명의액 처리장치(10)는, 기판을유지하는기판유지부(30, 40)와, 기판유지부(30, 40)에유지되어있는기판에처리액을공급하는처리액공급부(70)와, 기판에린스액을공급하는린스액공급부(80)와, 기판만이흡수하는파장영역의광을발광하고, 발광한광을기판에조사하는발광소자(112)를갖는다.

公开(公告)号：KR1020130000340A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020120066003

申请日：2012-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노히사시 ,  우에무라료우이치 ,  요시하라고우스케 ,  가사이시게루 ,  다노우치게이지 ,  무라마츠마코토 ,  이와시타미츠아키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B3/0033 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3247

Abstract: PURPOSE: A heating treatment apparatus and a heat treating method are provided to rapidly heat a substrate by using a light emitting diode as a heating source. CONSTITUTION: A substrate(W) is horizontally supported. The substrate is heated by a heating source using a light emitting diode. Radiation light having the light emitting diode is irradiated on a substrate material. An arrangement plate(2) faces the heating source while the light emitting diode is in off state. A cooling part cools the substrate by using the arrangement plate. [Reference numerals] (a) Incoming; (A3,A2,A1) Cooling water OFF; (b) Transmitting; (BB) Cooling water ON; (c) Heating; (C1,C2,C3,C4) Elevating pin; (d) Cooling; (D1,D2) Arrangement plate; (E1,E2,E3,E4) LED module; (FF) Cooling water

Abstract translation: 目的：提供一种加热处理装置和热处理方法，通过使用发光二极管作为加热源来快速加热基板。 构成：水平支撑衬底（W）。 基板通过使用发光二极管的加热源加热。 具有发光二极管的放射线照射在基板材料上。 当发光二极管处于关闭状态时，布置板（2）面向加热源。 冷却部使用排列板冷却基板。 （附图标记）（a）传入; （A3，A2，A1）冷却水关闭; （b）传送; （BB）冷却水打开; （c）加热; （C1，C2，C3，C4）升降销; （d）冷却; （D1，D2）排列板; （E1，E2，E3，E4）LED模块; （FF）冷却水

公开(公告)号：KR1020110022740A

公开(公告)日：2011-03-07

申请号：KR1020117003539

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 열의 영향에 의한 발광량의 저하에 기인하는 광에너지 효율이 낮다고 하는 문제가 발생하지 않고 안정된 성능을 유지할 수 있는 어닐 장치를 제공 한다.
웨이퍼(W)가 수용되는 처리실(1)과, 웨이퍼(W)의 면에 면하도록 마련되어, 웨이퍼(W)에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED(33)를 가지는 가열원(17a, 17b)과, 가열원(17a, 17b)에 대응해서 마련되어, 발광 소자(33)로부터의 광을 투과하는 광투과 부재(18a, 18b)와, 광투과 부재(18a, 18b)의 처리실(1)과 반대측을 지지하고, 가열원(17a, 17b)에 직접 접촉하도록 마련된 고열전도성 재료로 이루어지는 냉각 부재(4a, 4b)와, 냉각 부재(4a, 4b)를 냉각 매체로 냉각하는 냉각 기구를 가진다.

公开(公告)号：KR100919331B1

公开(公告)日：2009-09-25

申请号：KR1020080073222

申请日：2008-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 성막 처리를 실시하기 위한 처리 챔버의 천정부에 설치되어 소정 가스를 공급하는 샤워 헤드 구조체로서, 복수의 가스 분사 구멍이 개구된 저부를 갖는 컵 형상으로 형성되고, 그 컵 형상의 개구측에 상기 천정부로의 장착용 접합 플랜지부가 일체적으로 형성된 헤드 본체와, 상기 헤드 본체의 저부 근방에 설치되어, 상기 헤드 본체를 원하는 온도로 조정하는 헤드 가열부를 구비하고, 저온하에서의 재현성을 향상시킨 성막 처리와 고온하에서의 반응 부생성물의 제거를 실행하는 샤워 헤드 구조체이다.

公开(公告)号：KR100910068B1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020067021277

申请日：2005-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네다마사타케 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 본 발명은, 내부를 진공 배기가 가능하도록 한 처리 용기와, 상기 처리 용기내로 소정의 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 처리 용기내에 마련된 지지대와, 상기 지지대 상에 마련된 피처리체를 지지하기 위한 링 형상의 지지부와, 상기 지지부의 내측의 상기 지지대의 상면에 마련된 복수의 열전변환소자와, 상기 지지부로 지지되는 피처리체의 하면과 상기 지지대의 상면과 상기 지지부와의 사이에서 형성되는 소자 수용 공간내를 진공배기하는 소자 수용 공간 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR1020090045314A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020097004654

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.