公开(公告)号：KR1020140085407A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020140072197

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved and progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like can be handled. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and applying aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，可以进一步提高表面粗糙度的精度，并且可以处理接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将基于氨基硅烷的气体施加到加热的基板（2）上而在基板（2）的表面上形成种子层（3）。 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的籽晶层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。

公开(公告)号：KR101368768B1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 성막 방법은, 진공 보지(保持; holding) 가능한 처리 용기 내에 수납된 피(被)처리체의 온도를 150∼550℃로 하여, 제1 공급 공정 및 제2 공급 공정을 교대로 포함하는 사이클을 복수회 반복하여, 상기 피처리체 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 제1 공급 공정에서는 압력을 66.65∼666.5Pa로 설정한 상기 처리 용기 내로 Si 소스로서의 모노클로로실란 가스를 공급한다. 상기 제2 공급 공정에서는 질화 가스로서의 질소 함유 가스를 상기 처리 용기 내로 공급한다.

公开(公告)号：KR1020120047806A

公开(公告)日：2012-05-14

申请号：KR1020110110885

申请日：2011-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  고모리카츠히코 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to easily form a silicon film on a seed layer by supplying silane gas which does not include an amino group within a process chamber and to improve throughput. CONSTITUTION: A process chamber(101) accepts a processed body. An insulating layer having an aperture is formed in the process chamber. An inactive gas supply source(115) supplies the inactive gas. A silane gas supply source(121) supplies silane gas which does not include an amino group. An amino-silane group gas source(122) supplies amino-silane group gas. A seed layer is formed on the surface of the insulating layer having the aperture and the surface of the bottom of the aperture by supplying the amino-silane group gas to the inner side of the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过在处理室内供给不含氨基的硅烷气体，提高生产能力，在籽晶层上容易地形成硅膜。 构成：处理室（101）接受处理体。 在处理室中形成具有孔的绝缘层。 非活性气体供应源（115）供应惰性气体。 硅烷气体供给源（121）供给不包含氨基的硅烷气体。 氨基硅烷基气体源（122）供应氨基硅烷基气体。 通过将氨基硅烷基气体供给到处理室的内侧，在具有孔径和孔底部表面的绝缘层的表面上形成晶种层。

公开(公告)号：KR100998020B1

公开(公告)日：2010-12-03

申请号：KR1020080051186

申请日：2008-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카사카야스시 ,  후키아게노리아키 ,  카토요시히로 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L21/823814

Abstract: 측벽 스페이서를 제거한 반도체 장치에, 원하는 특성을 재현성 좋고 안정되게 줄 수 있고, 제조 공정의 관리도 용이화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
게이트 전극(7)의 측면 상에 측벽 스페이서(10)를 형성하고, 활성 영역(3) 내에 제 2 도전형의 한 쌍의 소스 및 드레인 영역(14)을 형성하여, 반도체층(1) 상, 소자 분리 영역(4) 상, 측벽 스페이서(10) 상 및 게이트 전극(7) 상을 금속막(18)으로 덮고, 금속막(18)을, 반도체층(1) 및 게이트 전극(7)에 반응시켜, 소스 및 드레인 영역(14) 및 게이트 전극(7)을 부분적으로 저저항화하고, 소자 분리 영역(4), 게이트 전극의 저저항화된 부분(19) 및 소스 및 드레인 영역(14)의 저저항화된 부분(19)을 에칭하기 어려우며, 금속막(18)의 미반응 부분 및 측벽 스페이서(10)를 에칭하기 쉬운 에쳔트를 이용하여, 금속막(18)의 미반응 부분 및 측벽 스페이서(10)를 일괄적으로 제거한다.

Abstract translation: 一种半导体器件，去除所述侧壁间隔件，并且可以是良好的和可重复的稳定所期望的特性，以用于制造可在制造过程中所管理的半导体器件的方法是容易的。

公开(公告)号：KR1020090051186A

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：KR1020097004487

申请日：2008-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카지마시게루 ,  하세베카즈히데 ,  초우파오화 ,  이와시타미츠아키 ,  니이노레이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31608 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273

Abstract: 여기에 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 레지스트막을 포함하는 다층막을 형성하는 공정과, 레지스트막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여, 소정의 패턴을 갖는 패턴화 레지스트막을 형성하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판에 교대로 공급하여, 패턴화 레지스트막 및 제 1 막의 위에, 제 1 막과 다른 산화 실리콘막을 형성하는 공정과, 패턴화 레지스트막의 측벽에 측벽 스페이서가 형성되도록 산화 실리콘막을 에칭하는 공정과, 패턴화 레지스트막을 제거하는 공정과, 측벽 스페이서를 마스크로서 이용하여, 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR100289136B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019930015628

申请日：1993-08-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  다카하시노부아끼 ,  스케가와케이지

IPC: H01L21/26

Abstract: 프로세스 튜브 등의 처리용기 내에서 열처리용 보우트에 수납된 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 로우드하고, 이 처리용기의 정상부로부터 아래를 향해 수증기를 공급하여 피처리체를 열처리하는 열처리장치에 있어서, 처리용기의 정상부와 열처리용 보우트의 상단면의 사이에 수증기의 통과를 허용하는 가령 30개의 유통구멍을 가지는 가스분산판을 설치하고, 또한 가스분산판의 아래방항에 열처리공간을 구획 형성한다. 그리고 이들 유통구멍은, 주로 열처리용 보우트에 유지된 피처리체의 외부둘레와 처리용기의 내측 사이의 공간부에, 그 둘레방향으로 균등하게 분산해서 배설한다. 이와 같은 구성에 의해 열처리장치의 세로방향으로 수평방향에서 등간격으로 수납한 다수의 피처리체에 대하여 처리용기 내에서 처리용 가스(수증기)를 단시간 내에 가스치환하여 피처리체 전체에 걸쳐 신속하게 처리용 가스를 퍼지게 하여 수납된 모든 피처리체를 단시간에, 그리고 균일하게 열처리할 수 있다.

公开(公告)号：KR100280690B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019940008333

申请日：1994-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데

IPC: H01L21/3205

Abstract: 반응용기내의 웨이퍼 보우트에 복수매의 실리콘웨이퍼를 대향하는 면의 간격이 실질적으로 일정하게 되도록 배치하고, 감압된 반응용기내에 막형성용 가스와 도펀트를 포함하는 도우프용 가스를 공급하여 실리콘웨이퍼의 표면에 도펀트를 포함하는 박막을 형성하는 도우프트 박막의 막형성방법에 있어서, 실리콘웨이퍼의 반응온도를 480 내지 550℃의 범위, 바람직하게는 500℃로 설정한다. 이것에 의하여, 면사이 막두께의 균일성이 도모됨과 함께, 막중의 인농도 및 어닐후의 시이트 저항이 균일하게 되고, 균일한 성능의 피처리체를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101534637B1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：KR1020140072193

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

Abstract translation: 本发明提供能够进一步提高表面粗糙度的精度，并且能够应对待开发的接触孔和线路的小型化的非晶硅膜形成方法。 （2）通过加热基体（2）并使氨基硅烷基气体流入加热基体（2）中来形成基体（2）的表面层（3）的步骤， 将不含氨基的硅烷系气体供给至一个基材2的表面的种子层3，使不含氨基的硅烷系气体热分解，在种子层3上形成非晶硅膜 以及步骤。

公开(公告)号：KR101534634B1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：KR1020140072192

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101477159B1

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020110046713

申请日：2011-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  아리가쥰지 ,  기무라노리후미 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: (과제) 보이드의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그의형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피(被)처리체의홈을매입하도록실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정으로성막된실리콘막을에칭하여상기홈의개구부를넓힌다. 제2 성막공정에서는, 에칭공정으로개구부가넓혀진홈에실리콘막을매입하도록성막한다. 이에따라, 표면에홈이형성된피처리체의홈에실리콘막을형성한다.