公开(公告)号：KR1019980029374A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960048629

申请日：1996-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율 ,  박춘근 ,  고영범

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 화학식 3의 고분자 및 광산발생제를 포함하는 화학증폭형 레지스트를 제공한다.
[화학식 3]

여기에서, R1은 수소 또는 메틸기이고, R2는 C7∼C16의 지방족 고리기이고, R3는 t-부틸기 또는 테트라히이드로퓨라닐기이고, 이고,

公开(公告)号：KR102235611B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140072349

申请日：2014-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김동원 ,  김주영 ,  김태훈 ,  김혜지 ,  박수민 ,  이형래

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 패턴형성방법및 집적회로소자의제조방법을제공한다. 패턴형성방법에서, 피식각막의제1 영역을노출시키는제1 개구가형성된포토레지스트패턴을형성한다. 제1 개구를한정하는포토레지스트패턴의측벽에캡핑층을형성한다. 캡핑층으로부터의산을포토레지스트패턴의내부로확산시켜제1 개구주위에불용성영역을형성한다. 포토레지스트패턴중 불용성영역을사이에두고제1 개구와이격된가용성영역을제거하여피식각막의제2 영역을노출시키는제2 개구를형성한다. 불용성영역을식각마스크로이용하여피식각막을식각한다.

公开(公告)号：KR1020170076112A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020150185961

申请日：2015-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  부산대학교 산학협력단

Inventor： 양승윤 ,  이승현 ,  박경실 ,  강율 ,  김이슬 ,  최윤석

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L51/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3081 ,  H01L51/0048

Abstract: 하드마스크조성물, 탄소나노튜브막구조체, 패턴형성방법및 반도체장치제조방법을제공한다. 반도체장치제조방법은반도체기판상에, 하드마스크조성물을이용하여하드마스크층을형성하고, 상기하드마스크층을패터닝하여하드마스크패턴을형성하고, 상기하드마스크패턴을통해, 상기반도체기판을식각하여반도체패턴을형성하는것을포함하고, 상기하드마스크조성물은제1 길이를가지는복수개의제1 탄소나노튜브, 상기제1 길이의 3배이상인제2 길이를가지는복수개의제2 탄소나노튜브및 상기복수개의제1 및제2 탄소나노튜브가분산되는분산용매를포함하고, 상기복수개의제1 탄소나노튜브의총 질량은상기복수개의제2 탄소나노튜브총 질량의 1 내지 2.5배이다.

Abstract translation: 硬掩模组合物，碳纳米管膜结构，图案形成方法和半导体器件制造方法。 使用半导体衬底的半导体器件的制造方法，硬掩模组合物，以形成硬掩模层，该硬掩模层的图案化，以形成硬掩模图案，并通过所述硬掩模图案，蚀刻半导体衬底， 并且其中，所述硬掩模组合物包含多个第一碳纳米管，所述多个在西班牙所述第一长度的第二长度具有三倍或多个碳纳米管中的第二和所述多个具有第一长度，以形成半导体图案 第一mitje 2包括将被分散在分散溶剂和碳纳米管，第一所述多个碳纳米管的总重量是所述多个第二碳纳米管的总质量为1〜2.5倍。

公开(公告)号：KR1020140059022A

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：KR1020120125596

申请日：2012-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  후지필름 가부시키가이샤

Inventor： 이형래 ,  카토케이타 ,  나카무라아츠시 ,  강율 ,  홍석구 ,  김재호 ,  이동준 ,  이시영

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided. The method for fabricating a semiconductor device includes the steps of providing a substrate having a first region and a second region, and gate electrodes which are formed on the first and the second region of the substrate; exposing the first region of the substrate and covering the second region; forming a mask layer with a negative side profile in the boundary of the first region and the second region of the substrate; forming a sigma trench in the first region of the substrate by etching the first region of the substrate using the mask layer and the gate electrodes as masks; and forming an epitaxial layer in the sigma trench.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括提供具有第一区域和第二区域的衬底以及形成在衬底的第一和第二区域上的栅电极的步骤; 暴露所述衬底的所述第一区域并覆盖所述第二区域; 在所述基板的所述第一区域和所述第二区域的边界中形成具有负侧轮廓的掩模层; 通过使用掩模层和栅电极作为掩模蚀刻衬底的第一区域，在衬底的第一区域中形成σ沟槽; 并在西格玛沟槽中形成外延层。

公开(公告)号：KR1020130017664A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110080235

申请日：2011-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양주형 ,  강율 ,  이형래 ,  신규식 ,  김재호 ,  이동준

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76801

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal pattern and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to prevent a photoresist pattern from being damaged in a metal layer etching process by forming a thin film capping layer on the surface of the photoresist pattern formed on the metal layer. CONSTITUTION: A metal layer is formed on a substrate(10). A photoresist pattern(30) is formed on the metal layer. A capping layer(50) is formed by coating the photoresist pattern with overcoating compositions including polymer materials and solvents. The remaining overcoating compositions are removed. The metal layer is etched by using the capping layer and the photoresist pattern as an etch mask.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属图案的方法和半导体器件的制造方法，以在金属层蚀刻工艺中防止光致抗蚀剂图案被损坏，该方法是在形成在该金属层上的光致抗蚀剂图案的表面上形成薄膜覆盖层 金属层。 构成：在基板（10）上形成金属层。 在金属层上形成光刻胶图案（30）。 通过用包含聚合物材料和溶剂的外涂组合物涂覆光致抗蚀剂图案来形成覆盖层（50）。 除去剩余的外涂组合物。 通过使用覆盖层和光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻金属层。

公开(公告)号：KR1020110011368A

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：KR1020090068978

申请日：2009-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문성호 ,  강율 ,  김형희 ,  오석환 ,  한소라 ,  최성운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  G03F7/423 ,  G03F7/70475

Abstract: PURPOSE: A method for forming fine patterns in a semiconductor device is provided to improve the density of the patterns by forming the patterns using acid diffusion regions and solubility differences between materials. CONSTITUTION: A layer to be etched(112) is formed on a substrate(110). A plurality of pre-first mask patterns is formed on the layer to be etched. An acid solution layer covering the pre-first mask patterns is formed on the substrate. The upper side and the lateral side of the pre-first mask patterns are converted into an acid diffusion region(122). A plurality of first mask patterns(114a) is formed based on the acid diffusion region.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在半导体器件中形成精细图案的方法，以通过使用酸扩散区形成图案和材料之间的溶解度差来改善图案的密度。 构成：在基板（110）上形成被蚀刻层（112）。 在待蚀刻的层上形成多个预先掩模图案。 在基板上形成覆盖前置前掩模图案的酸溶液层。 预先将掩模图案的上侧和外侧转换成酸扩散区（122）。 基于酸扩散区形成多个第一掩模图案（114a）。

公开(公告)号：KR1020090032847A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：KR1020070098405

申请日：2007-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김학원 ,  김연주 ,  최성운 ,  김현우 ,  나혜섭 ,  김경택

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/039

Abstract: A photoacid generator and a chemically amplified resist composition comprising a photoacid generator are provided to facilitate the manufacture, to ensure excellent stability to the light; and improve exposure sensitivity due to high acid-forming efficiency. A photoacid generator is indicated as one equation between the chemical formula 1 and chemical formula 2. In the chemical formula 1 and chemical formula 2, R1, R2 and R3 are C1~ C10 alkyl group; X is C3~ C20 alicyclic hydrocarbon radical forming a ring with S^+ of the chemical formula 2; R4 is alkyl group of C1~C20, cycloalkyl group of C1~C20, alicyclic hydrocarbon group of C1~C20, aromatic hydrocarbon group of C1~C20, hydroxyl group, cyano group, nitro group or halogen; and n is 0 or 1.

Abstract translation: 提供光酸产生剂和包含光致酸发生剂的化学放大抗蚀剂组合物以便于制造，以确保对光的优异的稳定性; 并且由于高的酸形成效率而提高了曝光灵敏度。 化学式1和化学式2之间的一个方程式表示光酸产生剂。在化学式1和化学式2中，R1，R2和R3为C1〜C10烷基; X是C3〜C20脂环族烃基，与化学式2的S ^ +形成环; R4为C1〜C20的烷基，C1〜C20的环烷基，C1〜C20的脂环族烃基，C1〜C20的芳族烃基，羟基，氰基，硝基或卤素; n为0或1。

公开(公告)号：KR1020070037098A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：KR1020050092329

申请日：2005-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  강율 ,  우상균 ,  오석환 ,  여기성 ,  이지영

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  G03F7/42

Abstract: 반도체 장치의 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 복수개의 제 1 마스크 패턴을 형성하고, 각각의 제 1 마스크 패턴의 측벽에 제 2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제 2 마스크 패턴들 사이를 채우는 제 3 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하고, 상기 제 1 및 제 3 마스크 패턴들을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 제거한다. 본 발명에 따르면, 이중 노광에서 발생하는 1차 노광 및 2차 노광 사이의 오정렬이 발생하지 않고 일정한 피치로 반복되는 미세 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 포토레지스트의 트리밍 및 화학 흡착의 두께 조절을 통하여 사진 공정으로 정의할 수 없는 선폭 및 피치의 규칙적인 패턴을 형성할 수 있다.
포토레지스트, 이중노광, 화학흡착

公开(公告)号：KR1020060058914A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：KR1020040097946

申请日：2004-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  강율 ,  류만형 ,  이시용 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  G03F7/40

Abstract: 사면체 중심 원자를 구성하는 sp
3 탄소를 주골격으로 하는 폴리머로 구성되는 하드 마스크용 폴리머막 및 그 제조 방법과 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 폴리머막은 기판상에 사면체 중심 원자를 구성하는 sp
3 탄소를 주골격으로 하는 폴리머막을 형성한 후, 상기 폴리머막을 200 ∼ 300℃의 온도로 큐어링하여 얻어진다. sp
3 탄소를 주골격으로 하는 폴리머는 CH
n X
3
(4-n) 의 환원성 커플링 반응, 또는 CH
n X
3
(4-n) 및 R
1 X
4 의 환원성 커플링 반응에 의하여 얻어질 수 있다. R
1 은 C
n H
(2n+1) 또는 C
6 H
m R
2
(5-m) 의 일반식을 갖는 지방족, 지환식, 또는 방향족 기이고, R
2 는 할로겐화물(halide), 히드록시, 니트릴, 또는 카르복실기이고, X
3 및 X
4 는 각각 F, Cl, Br 또는 I이다.
하드 마스크, 장파장, 흡광, 사면체 탄소, 건식 식각

公开(公告)号：KR100278659B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980046237

申请日：1998-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율 ,  ㅐㅔ쳬 ,  문주태

IPC: H01L21/027

Abstract: 작은 임계 치수의 개구부를 정의하는 포토레지스트 패턴의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 따르면, 중합체의 골격에 산에 의해 화학 반응을 일으키는 말론산디에스테르 그룹이 결합된 중합체 A와 중합체의 유리 전이 온도 이하에서 열분해 되어 분자간 상호 작용을 증가시키는 그룹이 결합된 중합체 B로 구성된 중합체 혼합물 또는 중합체의 유리 전이 온도 이하에서 열분해되는 그룹이 결합된 중합체 B와 산에 의해 화학 반응을 일으키는 (메타)아크릴산 에스테르를 모노머로 포함하는 중합체 C로 구성된 중합체 혼합물을 주요 구성 성분으로 하는 포토레지스트 조성물을 사용하여 개구부를 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 다음에 포토레지스트 패턴을 열처리에 의해 플로우시켜 개구부의 크기를 축소시킨다. 콘트라스트가 크고 플로우율 조절이 용이한 중합체 혼합물로 구성된 포토레지스트 조성물을 사용하기 때문에 작은 임계 치수의 개구부를 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.