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    보호막 부착 복합 기판 및 반도체 디바이스의 제조 방법
    11.
    发明公开
    보호막 부착 복합 기판 및 반도체 디바이스의 제조 방법 无效
    具有保护膜的复合基板及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020130141465A

    公开(公告)日：2013-12-26

    申请号：KR1020137007075

    申请日：2012-02-13

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 사토잇세이 ,  요시다히로아키 ,  야마모토요시유키 ,  하치고아키히로 ,  마츠바라히데키

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/76254

    Abstract: 본 보호막 부착 복합 기판(2Q)은, 지지 기판(10)과, 지지 기판(10) 상에 배치된 산화물막(20)과, 산화물막(20) 상에 배치된 반도체층(30a)과, 산화물막(20) 중 지지 기판(10) 및 반도체층(30a) 중 어느 것으로도 덮여 있지 않은 부분(20s, 20t)을 덮음으로써 산화물막(20)을 보호하는 보호막(40)을 포함한다. 본 반도체 디바이스의 제조 방법은, 보호막 부착 복합 기판(2Q)을 준비하는 공정과, 보호막 부착 복합 기판(2Q)의 반도체층(30a) 상에, 반도체 디바이스로서의 기능을 발현시키는 적어도 1층의 기능 반도체층을 에피택셜 성장시키는 공정을 포함한다. 이에 따라, 고품질의 기능 반도체층을 에피택셜 성장시킬 수 있는 유효 영역이 큰 보호막 부착 복합 기판, 및 이러한 보호막 부착 복합 기판을 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.

    파장 변환 소자의 제조 방법 및 파장 변환 소자
    14.
    发明公开
    파장 변환 소자의 제조 방법 및 파장 변환 소자 有权
    波长转换器制造方法和波长转换器

    公开(公告)号：KR1020100018465A

    公开(公告)日：2010-02-17

    申请号：KR1020090071298

    申请日：2009-08-03

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

    IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02

    CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

    Abstract: PURPOSE: A wavelength converter and a manufacturing method thereof are provided to reduce loss the loss of a transmittance at the interface of a first and a second crystallization by controlling a reflection at the interface of the first and the second crystallization. CONSTITUTION: An wavelength conversion element(10a) comprises an optical waveguide(13). The optical waveguide radiates an outgoing light(102) to the other terminal(13b) by changing the wavelength of an incident light(101) of one side terminal(13a). The wavelength conversion element comprises a first crystallization(11) and a second crystallization(12). The first and the second crystallizations have the polarization inversion structure periodically inverting according to the optical waveguide. The polarization inversion structure satisfies a quasi-phase matching condition for an incident light.

    Abstract translation: 目的：提供一种波长转换器及其制造方法，以通过控制在第一和第二结晶的界面处的反射来减少在第一和第二结晶界面处的透射损失。 构成：波长转换元件（10a）包括光波导（13）。 光波导通过改变一侧端子（13a）的入射光（101）的波长而将出射光（102）辐射到另一端子（13b）。 波长转换元件包括第一结晶（11）和第二结晶（12）。 第一和第二结晶具有根据光波导周期性地反转的偏振反转结构。 偏振反转结构满足入射光的准相位匹配条件。

    박막을 갖는 다이아몬드 단결정의 제조 방법 및 박막을 갖는 다이아몬드 단결정
    15.
    发明公开
    박막을 갖는 다이아몬드 단결정의 제조 방법 및 박막을 갖는 다이아몬드 단결정 无效
    用薄膜生产钻石单晶的方法和具有薄膜的金刚石单晶

    公开(公告)号：KR1020080090508A

    公开(公告)日：2008-10-08

    申请号：KR1020087019971

    申请日：2007-12-26

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 우에다아키히코 ,  메구로기이치 ,  야마모토요시유키 ,  니시바야시요시키 ,  이마이다카히로

    IPC: H01L21/205 ,  C30B29/04

    CPC classification number: C30B29/04 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02634

    Abstract: A process in which a low-resistivity phosphorus-doped epitaxial diamond thin film having a resistivity at 300 K of 300 7cm or lower is grown on the main plane of a {111} single crystal substrate under such conditions that a raw-material gas has a phosphorus atom/carbon atom ratio of 3% or higher, characterized in that the main plane has an off angle of 0.50° or larger. Also provided is a diamond single crystal having a low-resistivity phosphorus-doped epitaxial diamond thin film, characterized in that the surface of the thin film has an off angle of 0.50° or larger with the {111} plane and that the low-resistivity phosphorus-doped epitaxial diamond thin film has a resistivity at 300 K of 300 7cm or lower.

    Abstract translation: 在{111}单晶衬底的主平面上生长具有300K的电阻率为300×7cm以下的低电阻率磷掺杂外延金刚石薄膜的工艺，其原料气体具有 磷原子/碳原子数比为3％以上，其特征在于主面的偏角为0.50°以上。 还提供了具有低电阻率磷掺杂外延金刚石薄膜的金刚石单晶，其特征在于，薄膜的表面与{111}面具有0.50°或更大的偏离角，并且低电阻率 磷掺杂的外延金刚石薄膜在300K的电阻率为300±7cm以下。

    질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정
    18.
    发明公开
    질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정 无效
    用于生产氮化物半导体晶体的装置，用于生产氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体

    公开(公告)号：KR1020110122090A

    公开(公告)日：2011-11-09

    申请号：KR1020117001411

    申请日：2010-01-20

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 사토잇세이 ,  미야나가미치마사 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

    IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  H01L21/02

    CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403

    Abstract: 본 발명은, 내구성을 가지며, 또한 도가니의 외부로부터 불순물이 혼입되는 것을 억제한 질화물 반도체 결정을 제조하기 위한 질화물 반도체 결정의 제조 장치, 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 및 질화물 반도체 결정을 제공한다. 질화물 반도체 결정의 제조 장치(100)는 도가니(101)와, 가열부(125)와, 피복부(110)를 구비한다. 도가니(101)에는 원료(17)가 내부에 배치된다. 가열부(125)는 도가니(101)의 외주에 배치되며, 도가니(101)의 내부를 가열한다. 피복부(110)는 도가니(101)와 가열부(125) 사이에 배치된다. 피복부(110)는, 도가니(101)에 대향하는 측에 형성되며 원료(17)보다 융점이 높은 금속으로 이루어지는 제1층(111)과, 제1층(111)의 외주측에 형성되며 제1층(111)을 구성하는 금속의 탄화물로 이루어지는 제2층(112)을 포함한다.

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