公开(公告)号：KR100559115B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040055051

申请日：2004-07-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  최병용

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 전계 효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 및 실리콘 게르마늄 에피텍시(epitaxy) 기술을 적용한 SOI 기판을 이용하여 'T'자형의 게이트 형상을 갖는 소자를 제조함으로써, 종래 'T'자형 게이트 소자의 특성을 그대로 가지면서, 채널은 에피텍시로 얇게 길러진 SOI의 실리콘 에피층을 사용하여 극미세 전계 효과 트랜지스터로 바람직한 완전 공핍형(Fully Depleted Type)의 동작을 만들어 주며, 소스/드레인은 에피텍시로 두껍게 길러진 실리콘 게르마늄 에피층을 이용함으로써 소스/드레인의 시리즈 저항을 줄이고, 나아가 전계 효과 트랜지스터의 채널이 형성될 영역을 형성하기 위한 공정을 개선 함으로써 채널 영역의 실리콘층 두께를 균일성(uniformity)과 재현성(reproducibility) 있게 구현하는 방법을 제공하고 있다.
전계, 효과, 트랜지스터, 측벽, 게르마늄, 에피텍시, SOI

公开(公告)号：KR100533820B1

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：KR1020030035440

申请日：2003-06-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  이천안

IPC: G09G3/30

Abstract: 본 발명은 단일 실리콘 기판에 구동회로와 픽셀어레이가 함께 구현되는 마이크로 디스플레이의 픽셀어레이 열을 구동하기 위한 방법 및 구동회로에 관한 것으로서, 종래의 평판 디스플레이 구동회로에서 열 구동회로에 각 열마다 래치와 디지털-아날로그 변환기(Digital-to-Analog Converter, 이하 DAC라 함)가 있어서 구동회로 면적이 커졌던 문제점을 개선하기 위한 것이다. 본 발명에 의한, 열 구동방법은 각 열에 있던 래치를 모두 없애서 외부에서 들어오는 데이터들이 차례로 DAC를 거쳐 바로 각 열을 구동하도록 하고, 시프트 레지스터 출력신호를 두 개 이상으로 블록화 하여 특정 블록에 해당하는 출력신호 사이에서만 이에 해당하는 DAC가 순차적으로 작동되도록 함으로써, 종래 기술에 비해, 열 구동회로가 차지하는 면적을 크게 줄일 수 있고 불필요한 전력 소모를 방지하여 저전력 구동도 가능하게 되었다. 이와 함께 상기 발명을 실시하는데 직접 사용되는 DAC 동작 제어회로와 열 구동회로도 각각 제공된다.

公开(公告)号：KR100517126B1

公开(公告)日：2005-10-18

申请号：KR1020030025110

申请日：2003-04-21

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  우동수

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 공정상 양자점 크기를 조절할 수 있는 단전자 트랜지스터와 단전자 트랜지스터의 기능을 보완하기 위한 이중게이트 MOSFET을 동일한 공정을 통하여 같은 SOI 기판에 동시에 집적할 수 있는 단전자 트랜지스터 및 이중게이트 MOSFET과 그 각각의 제조방법에 관한 것이다.
발명에 의한, 단전자 트랜지스터는 기판 지지대의 상부에 적층된 절연체와; 상기 절연체의 상부에 단결정 실리콘으로 서로 이격되어 형성된 소스와 드레인 영역과; 상기 소스와 드레인을 서로 연결하며 단결정 실리콘으로 형성된 얇은 채널과; 상기 채널을 형성하기 위한 제 1 절연막과; 상기 채널의 양 측벽 중 대부분을 투과장벽으로 만들면서 소스와 드레인 영역을 전기적으로 분리하는 제 1 게이트 절연막과; 상기 제 1 게이트 절연막 상부에 적층되어 형성된 제 1 게이트와; 상기 채널의 양 측벽 중 제 1 게이트가 형성되지 않은 나머지 부분으로 양자점을 만드는 제 2 게이트 절연막과; 상기 제 2 게이트 절연막과 제 1 절연막 상부로 소스와 드레인 영역 사이에 적층된 제 2 게이트로 구성된 단전자 트랜지스터로서, 종래 기술에 비해, 실리콘 채널 아래 부분에서의 제 1 게이트에 의한 터널링 장벽의 약화를 막으면서 제 1 게이트 물질의 두께와 과도 식각 정도에 따라 양자점 크기를 조절할 수 있다. 이와 함께 단전자 트랜지스터의 신호 증폭을 키우기 위한 FinFET 형태의 이중게이트 MOSFET을 동일한 공정을 통하여 같은 SOI 기판에 동시에 집적할 수 있는 단전자 트랜지스터 및 이중게이트 MOSFET의 구조와 그 각각의 제조방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR100401416B1

公开(公告)日：2003-10-17

申请号：KR1020010009078

申请日：2001-02-22

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  최영진

IPC: H01L29/78

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a method for fabricating the same are provided to use a shallow electronic layer excited by a field effect as a source/drain region. CONSTITUTION: A gate insulating layer(2) is formed on a semiconductor substrate(1) by growing an oxide layer. A side gate material layer is formed by depositing and doping a polysilicon on the gate insulating layer(2). The side gate material layer is patterned. A source/drain diffusion layer(4) is formed by implanting ions into the semiconductor substrate(1). A silicon nitride layer(5) is deposited on the patterned side gate material layer. A silicon oxide layer is formed on the side gate material layer and the silicon nitride layer(5). A silicon oxide layer sidewall(6) is formed by etching the silicon oxide layer. A couple of side gate(3) is formed by etching a side gate material layer. A main gate(7) is formed by depositing and doping the polysilicon.

Abstract translation: 目的：提供一种场效应晶体管及其制造方法，以使用由场效应激发的浅电子层作为源极/漏极区域。 构成：通过生长氧化物层在半导体衬底（1）上形成栅极绝缘层（2）。 通过在栅极绝缘层（2）上沉积和掺杂多晶硅来形成侧栅极材料层。 侧栅材料层被图案化。 通过将离子注入到半导体衬底（1）中形成源极/漏极扩散层（4）。 氮化硅层（5）沉积在图案化的侧栅极材料层上。 在侧栅极材料层和氮化硅层（5）上形成氧化硅层。 通过刻蚀氧化硅层形成氧化硅层侧壁（6）。 通过蚀刻侧栅极材料层形成一对侧栅极（3）。 主栅极（7）通过沉积和掺杂多晶硅形成。

公开(公告)号：KR100966265B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020080014125

申请日：2008-02-15

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  조성재

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C8/14 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833

Abstract: 본 발명은 수직채널을 갖는 2개의 셀을 하나의 컨트롤 게이트(워드 라인)로 독립적으로 동작시키기 위하여 컨트롤 게이트 아래에 차단 게이트 라인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것으로, 종래 수직채널 구조보다 소요 면적을 현저히 줄일 수 있어 고집적화에 유리하고, 프로그램 동작시 공유하는 차단 게이트를 OFF시킴으로써 셀프 부스팅 효과로 반대편 셀에 프로그램되는 것을 막을 수 있고, 리드 동작시 공유하는 워드 라인(컨트롤 게이트)으로 전기적 차폐가 가능하여 반대편 셀의 저장 상태에 따른 영향을 극소화시킬 수 있는 효과 등이 있으며, 통상의 CMOS 공정으로도 제조 가능한 장점이 있다.
수직 채널, 차단 게이트, 낸드 플래시 메모리

公开(公告)号：KR100966264B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020080005253

申请日：2008-01-17

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이정업

IPC: H01L29/06

Abstract: 본 발명은 수직 채널 양단에 형성된 사이드 게이트(측벽 게이트)에 의하여 전기적으로 터널링 장벽을 유도하여 수직 채널 가운데 양자점을 형성할 수 있게 됨으로써, 수직 채널 구조를 갖는 MOSFET과 공정의 호환성을 높여 동시 집적이 가능하게 되었고, 제 1 게이트 절연막을 산화공정이나 측벽공정에 의하여 두껍게 형성하고, 컨트롤 게이트의 단면적을 산화공정으로 얼마든지 줄일 수 있게 됨에 따라, 상온에서도 단전자 트랜지스터의 동작 특성이 나올 수 있게 한 효과가 있다.
수직 채널, 양자점, 단전자 트랜지스터, SET

公开(公告)号：KR1020090079348A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：KR1020080005253

申请日：2008-01-17

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이정업

IPC: H01L29/06

Abstract: A single electron transistor having a vertical quantum dot and a manufacturing method thereof are provided to integrate simultaneously a MOSFET of a vertical channel structure by forming a quantum dot at a vertical channel. A single electron transistor having a vertical quantum dot includes a silicon layer(10), a first gate insulating layer(22), a control gate(56), a second gate insulating layer(70), and a first and second sidewall gates(82). The silicon layer of constant width and height is patterned in a longitudinal direction on an upper part of a buried oxide layer(2) of a SOI substrate. The first gate insulating layer is formed on a vertical side of the silicon layer. The control gate is formed at both sides of the first gate insulating layer on the buried oxide layer. The control gate is adjacent to the silicon layer. The second gate insulating layer is formed to surround three surfaces of the control gate. The first and second sidewall gates come in contact with the second insulating layer at both sides of the first gate insulating layer. The first and second sidewall gates are formed on the buried oxide layer at both sides of the control gate.

Abstract translation: 提供具有垂直量子点的单电子晶体管及其制造方法，以通过在垂直沟道处形成量子点来同时集成垂直沟道结构的MOSFET。 具有垂直量子点的单电子晶体管包括硅层（10），第一栅极绝缘层（22），控制栅极（56），第二栅极绝缘层（70）和第一和第二侧壁栅极 82）。 在SOI衬底的掩埋氧化物层（2）的上部上沿长度方向将恒定宽度和高度的硅层图案化。 第一栅极绝缘层形成在硅层的垂直侧上。 控制栅极形成在掩埋氧化物层上的第一栅极绝缘层的两侧。 控制栅极与硅层相邻。 第二栅极绝缘层形成为围绕控制栅极的三个表面。 第一和第二侧壁门在第一栅极绝缘层的两侧与第二绝缘层接触。 第一和第二侧壁浇口形成在控制栅极两侧的掩埋氧化物层上。

公开(公告)号：KR100889361B1

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：KR1020060100947

申请日：2006-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 채수두 ,  김정우 ,  박찬진 ,  한정희 ,  박병국 ,  박일한

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 전자 주입 효율이 증가하고, 고집적도에 유리한 메모리 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다. 메모리 소자는 바닥부, 및 바닥부로부터 수직하게 돌출되어 있는 수직부를 포함하되, 수직부는 경계단을 중심으로 상부에 위치하는 제1 수직부, 및 하부에 위치하며, 제1 수직부보다 폭이 크고, 제1 수직부의 외측으로 돌출되어 있는 제2 수직부를 포함하는 반도체 기판, 제1 수직부의 외측 및 경계단의 상부에 위치하는 전하 트랩층, 및 바닥부의 상부 및 제2 수직부와 전하 트랩층의 외측에 위치하는 컨트롤 게이트 전극을 포함한다.
플래쉬 메모리 소자, 수직부, 전자 주입 효율, 자기 정렬

公开(公告)号：KR100866261B1

公开(公告)日：2008-10-31

申请号：KR1020070064262

申请日：2007-06-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  박세환 ,  박일한

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/11521

Abstract: A flash memory array using the same device and a method of fabricating the same are provided to solve the interference of stored bit and improve the degree of integration by using a vertical structure to fabricate a charge storage region and a region having a gate insulating layer in self-alignment. A flash memory device with a split gate over a recessed channel comprises a source/drain region(12a) on a semiconductor substrate; a recessed channel region between the source and the drain; a separation gate(50a) between the channel region and a first insulating layer; a second isolating layer formed on the separation gate; a third insulating layer formed on the both channel region, not contacted with the separation gate; a charge storage region(70a) formed on the third insulating layer; a forth insulating layer formed on the source and drain region; a program gate formed on the fourth and second insulating layer, between the charge storage region and the fifth insulating layer.

Abstract translation: 提供使用相同装置的闪存阵列及其制造方法，以解决存储的位的干扰并通过使用垂直结构来提高积分的程度来制造电荷存储区域和具有栅极绝缘层的区域 自对准。 在凹陷通道上具有分割栅极的闪速存储器件包括半导体衬底上的源极/漏极区域（12a）; 在源极和漏极之间的凹陷沟道区域; 在所述沟道区域和第一绝缘层之间的分离栅极（50a）; 形成在分离门上的第二隔离层; 形成在所述两通道区域上的不与所述分离栅接触的第三绝缘层; 形成在所述第三绝缘层上的电荷存储区域（70a） 形成在源区和漏区上的第四绝缘层; 形成在第四绝缘层和第二绝缘层之间的程序栅极，在电荷存储区域和第五绝缘层之间。

公开(公告)号：KR100842923B1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：KR1020070022550

申请日：2007-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 고형수 ,  박병국 ,  홍승범 ,  박철민 ,  최우영 ,  김종필 ,  송재영 ,  김상완

IPC: G11B9/14 ,  G11B9/02

CPC classification number: H01L29/7834 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/66636

Abstract: A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe and an information storage device using the same are provided to reduce a process variable in device performance and to increase reliability of mass production by anisotropic-wet-etching a silicon substrate using side-walls. A method of manufacturing an enhancement semiconductor probe comprises the steps of: forming a first etching mask pattern(110a) on a silicon substrate(100c) to form a tip part of the probe in a first direction and forming side-wall areas at two sides of the first etching mask pattern; anisotropic-etching the silicon substrate to form two inclined surfaces of the probe; forming source and drain areas(160,170,180,190) on the silicon substrate by injecting dopants, using the side-wall area as masks, and removing the side-wall areas; removing the first etching mask pattern; forming a second etching mask pattern to form a tip part of the probe in a second direction; forming space layers at two sides of the second etching mask pattern; and etching the silicon substrate by photographing and etching processes and removing the space layers.

Abstract translation: 提供一种制造增强半导体探针的方法和使用其的信息存储装置，以减少器件性能中的工艺变量，并且通过使用侧壁对硅衬底进行各向异性湿蚀刻来提高批量生产的可靠性。 一种制造增强型半导体探针的方法包括以下步骤：在硅衬底（100c）上形成第一蚀刻掩模图案（110a），以在第一方向上形成探针的尖端部分，并在两侧形成侧壁区域 的第一蚀刻掩模图案; 各向异性蚀刻硅衬底以形成探针的两个倾斜表面; 通过注入掺杂剂在硅衬底上形成源极和漏极区域（160,170,180,190），使用侧壁区域作为掩模，并去除侧壁区域; 去除第一蚀刻掩模图案; 形成第二蚀刻掩模图案以在第二方向上形成探针的末端部分; 在第二蚀刻掩模图案的两侧形成空间层; 并通过拍摄和蚀刻工艺蚀刻硅衬底并去除空间层。