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公开(公告)号：KR1020090060635A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127521
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A bio sensor which detects bio material through interaction between target molecule and probe molecule is provided to minimize the sensitivity to the difference of pH concentration and salt concentration and improve detection accuracy. A bio sensor comprises: a photo diode which contains a P-type doping layer(440), N-type doping layer(450) and non-doping area; an electrode which is formed at the both ends of P-type doping layer and N-type doping layer; and a probe molecule(P) which is fixed at the upper side of non-doping area. A method for manufacturing the bio sensor comprises: a step of forming photo diode containing the P-type doping layer, N-type doping layer and non-doping area; a step of forming electrode at the both ends of the P-type doping layer and N-type doping layer; a step of fixing the probe molecule at the upper side of the non-doping area; and a step of injecting target molecule into a sample.
Abstract translation: 提供通过靶分子和探针分子之间的相互作用检测生物材料的生物传感器，以最小化对pH浓度和盐浓度的差异的敏感性，并提高检测精度。 生物传感器包括：光电二极管，其包含P型掺杂层（440），N型掺杂层（450）和非掺杂区域; 在P型掺杂层和N型掺杂层的两端形成的电极; 以及固定在非掺杂区域的上侧的探针分子（P）。 一种用于制造生物传感器的方法，包括：形成含有P型掺杂层，N型掺杂层和非掺杂区的光电二极管的步骤; 在P型掺杂层和N型掺杂层的两端形成电极的步骤; 将探针分子固定在非掺杂区域的上侧的步骤; 以及将靶分子注入样品的步骤。
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公开(公告)号：KR100898752B1
公开(公告)日：2009-05-25
申请号：KR1020070094687
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자의 고집적화에 따른 누설전류(leakage current)의 발생을 억제하여 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 고집적 반도체 메모리 소자는 기판에 형성되고, 채널영역과 쇼트키접합(schottky junction)을 형성하는 소스 및 드레인 전극 및 상기 채널영역의 기판 상부에 형성되고, 복수개의 실리콘나노점으로 구성된 플로팅게이트를 포함하고 있으며, 이를 통하여 반도체 메모리 소자의 고집적화에 따른 누설전류의 발생을 억제시켜 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 반도체 메모리 소자를 제공하는 효과가 있다.
플래시메모리, 쇼트기 접합, 금속 실리사이드-
公开(公告)号：KR100508548B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020030023969
申请日：2003-04-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
CPC classification number: H01L21/28114 , H01L21/28123 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/66643 , H01L29/7839 , H01L29/78654
Abstract: 쇼트키 장벽 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 쇼트키 장벽 트랜지스터 제조방법에서는 기판 상에 게이트 절연막, 게이트와, 게이트 측벽의 스페이서를 형성한 다음, 선택적 실리콘 성장(selective silicon growth)을 적용하여 게이트 상부에 다결정 실리콘층을 성장시키고 기판 상에는 단결정 실리콘층을 성장시킨다. 다결정 실리콘층과 단결정 실리콘층 위로 금속을 증착한 후, 다결정 실리콘층, 단결정 실리콘층과 금속을 반응시켜 자기정렬적으로 실리사이드를 형성한다. 이러한 방법에 의하면, 실리사이드 반응 후 미반응된 금속을 제거하는 선택적 습식각 공정을 거치지 않고도 쇼트키 장벽 트랜지스터를 제조할 수 있다. 그리고, 스페이서를 형성할 때에 발생한 식각 데미지는 단결정 실리콘층을 성장시키는 동안 완화시켜 줄 수 있어 소자의 전기적 특성이 개선된다.
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公开(公告)号：KR1020040022603A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：KR1020020054210
申请日：2002-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/338
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L29/66848
Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to prevent unnecessary induction of impurities and formation of an oxide layer by interconnecting two chambers and by performing a cleaning process, a metal layer formation process and a subsequent process by an in-situ. CONSTITUTION: The first substrate holder(112) is installed in the lower portion of the first chamber(100) to mount a specimen. A halogen lamp(110) is installed in the upper portion to irradiate lamp light. A substrate door is formed in a side surface of the first chamber to load/unload the specimen. The second substrate holder(202) whose temperature can be controlled is installed in the lower portion of the second chamber(200) to mount the specimen. An intermediate layer is installed in the center part of the second chamber so that the upper and lower portions of the second chamber is divided to perform a process. An elevation unit(208) is attached to the second substrate holder to vertically transfer the second substrate holder with respect to the intermediate layer. A metal deposition unit is installed in the upper portion of the second chamber. A pump unit is connected to the first and second chambers to control the respective pressures of the first and second chambers. A gas injection unit controls the quantity of gas and injects the gas, connected to the first and second chambers. A connection path includes a gate valve, capable of reciprocating between the first and second chambers without introduction of exterior air.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的装置，以通过互连两个室并且通过原位执行清洁处理，金属层形成工艺和随后的工艺来防止杂质的不必要的感应和氧化物层的形成。 构成：第一衬底保持器（112）安装在第一腔室（100）的下部以安装试样。 在上部安装卤素灯（110）以照射灯光。 基板门形成在第一室的侧面，以装载/卸载试样。 温度可以控制的第二衬底保持器（202）安装在第二室（200）的下部以安装样本。 中间层安装在第二室的中心部分，使得第二室的上部和下部被分割以进行处理。 升高单元（208）附接到第二基板保持器，以相对于中间层垂直地传送第二基板保持器。 金属沉积单元安装在第二室的上部。 泵单元连接到第一和第二室以控制第一和第二室的相应压力。 气体喷射单元控制气体的量并喷射连接到第一和第二腔室的气体。 连接路径包括能够在不引入外部空气的情况下在第一和第二室之间往复运动的闸阀。
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公开(公告)号：KR101584289B1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020090094309
申请日：2009-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명에따른전력관리장치는배터리를이용하여신재생에너지원으로부터생성된전력을안정적인전력으로제공할수 있다. 특히, 본발명에따른전력관리장치는배터리에서출력되는전류의양을제어하여과전류및 과방전이발생되지않도록할 수있으며, 이에따라신재생에너지원으로부터생성된전력을효율적으로활용및 관리할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150093279A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020140013705
申请日：2014-02-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/04
Abstract: 본 발명은 열전 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 열전 소자는, 기판과, 상기 기판의 일 측 상으로 연결되고 타 측 상으로 오픈된 제 1 빗 모양을 갖는 제 1 전극과, 상기 기판의 상기 타 측 상으로 연결되고 상기 일 측 상으로 오픈된 제 2 빗 모양을 갖고, 상기 제 1 전극 내에 삽입되는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에서 배치되고, 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 교번하여 배치되는 제 1 및 제 2 열전 매질 층들을 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种热电装置及其制造方法。 热电装置包括：基板; 第一电极，其连接到所述基板的一侧，并且具有在另一侧上打开的第一梳形形状; 与基板的另一侧连接的第二电极具有在一侧开口并插入第一电极的第二梳形， 以及布置在第一电极和第二电极之间并沿远离基板的方向交替布置的第一和第二热电介质层。
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公开(公告)号：KR1020130061943A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：KR1020110128273
申请日：2011-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device is provided to reduce thermal conductivity by using a nanowire having a rough surface. CONSTITUTION: A first leg(13) is formed between a first end part and a second end part. The first leg connects the first end part to the second end part. A second leg(16) faces the first leg. The second leg is formed between the first end part and the second end part. The second leg connects the first end part to the second end part.
Abstract translation: 目的：提供一种热电装置，通过使用具有粗糙表面的纳米线来降低热导率。 构成：在第一端部和第二端部之间形成第一腿部（13）。 第一腿将第一端部连接到第二端部。 第二条腿（16）面向第一条腿。 第二支腿形成在第一端部和第二端部之间。 第二腿将第一端部连接到第二端部。
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公开(公告)号：KR1020110073199A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100052234
申请日：2010-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/96 , H03K19/0175 , G06F3/044 , H03K17/955
CPC classification number: H03K17/962 , G06F3/044 , H03K17/955 , H03K19/0175
Abstract: PURPOSE: An interface circuit for a static capacitive touch-sensitive sensor is provided to simultaneously obtain the high sensitivity and the analog digital conversion characteristic by arranging a complementary metal oxide semiconductor oscillator, a logic gate, and a D-flipflop in the circuit. CONSTITUTION: An oscillator part(110) outputs a first signal(QS') with a cycle in proportion to the change of the static capacitance of a touch-sensitive panel. A down counterpart(120) includes a plurality of serially connected first D-flipflops. Each clear input terminal of a first D-flipflop receives an enable signal. A latch part(130) includes a plurality of second D-flipflops corresponding to the first D-flipflops. The data input terminal of the second D-filpflops receive a second signal(Q1 to QN) outputted from the first D-flipflops.
Abstract translation: 目的：提供一种用于静态电容式触敏传感器的接口电路，通过在电路中布置互补金属氧化物半导体振荡器，逻辑门和D触发器来同时获得高灵敏度和模拟数字转换特性。 构成：振荡器部分（110）以与触摸敏感面板的静态电容的变化成比例的周期输出第一信号（QS'）。 下降部件（120）包括多个串联连接的第一D触发器。 第一D触发器的每个清零输入端接收使能信号。 闩锁部分（130）包括对应于第一D触发器的多个第二D触发器。 第二D-filplop的数据输入端接收从第一D触发器输出的第二信号（Q1至QN）。
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公开(公告)号：KR1020110066348A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090122964
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02J7/35 , G05F1/67 , Y02E10/566 , Y02E10/58
Abstract: PURPOSE: A device and method for extracting the maximum power of a solar battery are provided to extract the maximum power without respect to the conditions of the solar battery. CONSTITUTION: A device for extracting the maximum power of a solar battery comprises a maximum power extracting system solar battery(110), a maximum power extracting unit(120), a DC-DC converting unit(130), and a battery(140). If the amount of currents increases when the device is set to extract maximum power, a voltage decreases. Therefore, the strength of power decreases. The DC-DC converting unit switches a transistor according to the ratio of on-time to the cycle of a pulse width modulation signal.
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池的最大功率的装置和方法，以提取太阳能电池的最大功率。 构成：用于提取太阳能电池的最大功率的装置包括最大功率提取系统太阳能电池（110），最大功率提取单元（120），DC-DC转换单元（130）和电池（140） 。 当设备设置为提取最大功率时，如果电流量增加，则电压降低。 因此，力量的力量下降。 DC-DC转换单元根据导通时间与脉冲宽度调制信号的周期的比率来切换晶体管。
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公开(公告)号：KR1020110037058A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020090094309
申请日：2009-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02J7/00 , H02H7/18 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004
Abstract: PURPOSE: A power managing apparatus is provided to prevent the generation of the extreme current and the extreme discharge by controlling the amount of the current outputted by a battery. CONSTITUTION: A battery(110) stores the power inputted from the outside. An extreme current prevention part(130) controls the amount of the current outputted form the battery in order to prevent the extreme current applied to the output terminal. An extreme discharge prevention part(150) controls the amount of the current outputted from the battery according to the charging state of the battery.
Abstract translation: 目的：通过控制电池输出的电流量，设置电源管理装置，以防止产生极端电流和极端放电。 构成：电池（110）存储从外部输入的电力。 极限电流防止部分（130）控制从电池输出的电流量，以防止施加到输出端子的极端电流。 极端放电防止部（150）根据电池的充电状态来控制从电池输出的电流量。
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