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公开(公告)号：WO2019225976A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/KR2019/006180
申请日：2019-05-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/455 , C09C3/06 , C09C1/44 , C09D11/037 , A61K8/19 , A61K8/26 , A61Q19/00
Abstract: 절연성, 분산성 및 저항성이 향상된 안료 입자, 이의 제조방법, 안료 입자를 포함하는 유기 잉크, 컬러 필터, 화장품 조성물, 블랙 매트릭스 등에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에서 제공되는 안료 입자는 알루미늄 산화물로 형성되는 코팅층이 존재함으로써 절연성이 우수할 뿐만 아니라, 상기 코팅층 위가 유기 아연화합물, 상기 화학식 1, 또는 화학식 2로 표시되는 화합물로 개질 됨에 따라 분산성과 저항성까지 우수한 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2014178684A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003957
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F15/0046 , C23C16/18 , C23C16/40
Abstract: 본 발명은 화학식 1로 표시되는 루테늄 전구체에 관한 것으로, 상기 루테늄 전구체는 열적 안정성과 휘발성이 향상되고, 박막 증착 시 산소를 사용하지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 루테늄 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌前体，钌前体具有改善的热稳定性和挥发性，并且在沉积薄膜时不必使用氧，因此能够形成高分子量 优质钌薄膜。
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13.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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公开(公告)号：WO2012157894A3
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/KR2012/003687
申请日：2012-05-10
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020116770A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/KR2019/013698
申请日：2019-10-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017082541A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/KR2016/011359
申请日：2016-10-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02 , C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00 , C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 개선된 신규한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체를 이용하여 낮은 온도에서 우수한 성장 속도로, 쉽게 양질의 금속 산화물 박막을 제조하는 방법 및 이를 통해 제조된 박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 这
本发明涉及具有热稳定性和挥发性改进前体，使用金属前体来制备高的生长速度，在低温下容易质量金属氧化物薄膜的方法的新的金属 而由此产生的薄膜。
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公开(公告)号：WO2015056944A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/KR2014/009606
申请日：2014-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/5813 , C07F11/005 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물 또는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드 또는 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及钼化合物或钨化合物。 该化合物是热稳定的和高挥发性的，因此可以通过使用该化合物获得包含硫族化钼或硫属钨的高质量薄膜。
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公开(公告)号：WO2014178686A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003959
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/305 , H01G9/2022 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法，包括以下步骤：a）将衬底装载到沉积室中; b）通过原子层沉积法在基板上吸收由化学式1表示的镍前体; c）除去吸附在基材上的镍前体除去副产物; d）将硫源引入沉积室，并使硫源与吸收在衬底上的镍前体进行交换反应，以在衬底上形成硫化镍薄膜; 和e）除去除了硫化镍薄膜之外的副产物。 在利用本发明的原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法制造硫化镍薄膜的情况下，可以形成均匀的金属层，其厚度可以容易地调整 并且相对降低在基板上形成金属层的温度。
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公开(公告)号：WO2011028011A2
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/KR2010/005898
申请日：2010-09-01
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2002/72 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막형 화합물 태양전지의 광 흡수층 물질인 CI(G)S(CuIn x Ga 1-x Se 2 0＜x≤1)의 나노입자를 저온 하에서 수계 반응하여 제조하는 방법에 관한 것이다. 자세하게는 적어도 구리 화합물과, 카르복시산 유도체 또는 고분자전해질을 수계용매하에서 반응하여 착물을 형성하고, 제조된 용액에 인듐 화합물 및 셀레늄화합물에서 하나 이상 선택된 이종원소 화합물을 투입하여 저온 하에서 CI(G)S 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 저온 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明是CI（G）的薄膜型化合物太阳能电池S的光吸收材料（的CuIn <子> X GA <子> 1-x 硒<子> 2 <0>
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