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    산화그래핀 제조방법
    12.
    发明申请
    산화그래핀 제조방법 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019198985A3

    公开(公告)日：2019-10-17

    申请号：PCT/KR2019/004056

    申请日：2019-04-05

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  윤여흥

    IPC: C01B32/198 ,  C01B32/23 ,  C09D11/52

    Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.

    그래핀 저온 전사방법
    13.
    发明申请
    그래핀 저온 전사방법 审中-公开
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号：WO2017065530A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：PCT/KR2016/011504

    申请日：2016-10-13

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

    IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

    CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

    Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。

    나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법과 이를 이용한 전기 소자 및 그 제조방법
    14.
    发明申请
    나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법과 이를 이용한 전기 소자 및 그 제조방법 审中-公开
    使用纳米仪抛光的一个方向对准纳米尺寸材料的方法，使用该方法的电气装置和用于制造上述电气装置的方法

    公开(公告)号：WO2014077624A1

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：PCT/KR2013/010410

    申请日：2013-11-15

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 최원진 ,  이정오 ,  안기석 ,  양철수 ,  박세린 ,  박동원

    IPC: B82B3/00 ,  H01L21/336

    CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/0673

    Abstract: 본 발명은 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이 를 이용한 소자의 제조방법에 대한 것으로서, 기판의 표면 층에 나노미터 수준의 폭과 깊이를 갖는 스크래치들을 일방향으로 형성하고 상기 스크래치들에 나노 물질 을 정렬하여 우수한 전기적, 기계적 또는 광학적 특성을 갖는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이를 이용한 전기 소자의 제조방법에 대 한 것이다. 본 발명은, 폴리싱 장치를 사용해서 기판에 일 방향으로 정렬된 0.1~20nm의 폭을 갖는 스크래치들을 형성하는 단계(단계 1); 및, 상기 스크래치들이 형성된 기 판에 나노 물질을 도입하여 정렬하는 단계(단계 2)를 포함하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열방법을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法以及使用上述方法制造器件的方法。 本发明涉及一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其中在一个方向上在基底的表面层上形成具有纳米级宽度和深度的划痕，并且纳米尺寸材料 在划痕中排列，以获得优异的电气，机械或光学特性。 本发明还涉及使用上述方法制造电子装置的方法。 本发明提供一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其包括：使用抛光装置在基板中在一个方向上形成宽度为0.1至20nm的划痕的步骤（步骤1） ; 以及在衬底中引入和对准纳米尺寸材料与其中形成的划痕的步骤（步骤2）。

    아연주석산화물 박막의 제조방법
    18.
    发明申请
    아연주석산화물 박막의 제조방법 审中-公开
    制备氧化锌薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2013118937A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：PCT/KR2012/002054

    申请日：2012-03-22

    Applicant: 한국화학연구원 ,  이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

    Inventor： 이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

    IPC: H01L21/365

    CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869

    Abstract: 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）形成使用锌和锡前体的氧化锌锡薄膜的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）的方法， 元素使用该方法。 根据本发明的制造锌锡氧化物薄膜的方法能够在低温下控制和加工锡锌组合物。 根据本发明的方法，可以制造具有均匀厚度的薄膜，即使在具有三维结构的基底上。 这样制造的氧化锡具有高的场效应迁移率，并且可以用作TFT通道的材料。

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