公开(公告)号：KR101344856B1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020120013032

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명은아연및 주석전구체를사용하여화학기상증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)으로아연주석산화물박막을형성하는방법및 이를이용한 TFT(thin film transistors) 소자제조방법에관한것으로, 본발명에따른아연주석산화물박막의제조방법은주석과아연의조성제어가가능하며, 낮은온도에서공정이가능하며, 삼차원구조의기재상에서도두께가균일한박막을제조할수 있고제조된주석산화물은높은전계효과이동도(field effect mobility)를가지고있어 TFTs의채널재료로적용할수 있다.

公开(公告)号：KR101336805B1

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：KR1020110059903

申请日：2011-06-21

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  정석종 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  심장보

IPC: C30B7/10 ,  B01J3/00

CPC classification number: Y02P20/544

Abstract: 본 발명은 단결정을 성장하는 압력용기에 있어서, 내열 합금으로 제조되는 압력용기본체, 상기 압력용기본체의 내부에 삽입되는 라이너 및 상기 압력용기본체의 하부로 관통 삽입되어 상기 라이너의 하부를 지지하는 하부지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 압력용기.

公开(公告)号：KR101335019B1

公开(公告)日：2013-12-02

申请号：KR1020120026274

申请日：2012-03-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  전동주 ,  임종선 ,  정석종 ,  이창완

IPC: H01L21/205

Abstract: 안티몬 박막의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 안티몬 박막의 제조 방법은 진공 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 안티몬 전구체 물질을 준비하는 단계; 상기 안티몬 전구체 물질로 소스가스를 준비하는 단계; 수소 가스를 포함하는 반응가스를 준비하는 단계; 퍼지가스를 준비하는 단계; 금속 전구체 물질로 금속 전구체 가스를 준비하는 단계; 및 상기 진공챔버 내에 상기 소스가스, 반응가스, 퍼지가스 및 상기 금속 전구체 가스를 순차적으로 공급하는 1사이클의 공정을 실시하여 상기 기판 상에 안티몬-금속의 단원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 안티몬 전구체 물질은 다음 화학식 1로 표시되는 안티몬 아미노알콕사이드인 것을 특징으로 하는 안티몬 박막의 제조 방법: [화학식 1] Sb[OA-NR
1 R
2 ]
3 상기 식 중, A는 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C
2 내지 C
5 의 알킬렌이고; R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.

公开(公告)号：KR1020130090151A

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：KR1020120011260

申请日：2012-02-03

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  정석종 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  심장보

IPC: C30B29/38 ,  C01B21/00 ,  C30B7/00

CPC classification number: Y02P20/544 ,  C30B29/38 ,  C01B21/00 ,  C30B7/10

Abstract: PURPOSE: A method for growing a III group nitride single crystal in supercritical ammonia by adding an inert gas is provided to improve purity and quality by preventing impurities from being inputted to the III group nitride single crystal. CONSTITUTION: A III group nitride seed crystal is inputted to a pressure container (10). A mineralizing agent is inputted to the pressure container. The pressure container is sealed (12). An inert gas and a solvent with nitrogen are inputted to the pressure container (14). A III group nitride single crystal is grown by heating the pressure container (18). [Reference numerals] (10) III group containing material, a III group nitride seed crystal, and mineralizing agent are inputted to a pressure container; (12) Pressure container is sealed; (14) Inert gas and a solvent with nitrogen are inputted; (16) Pressure container is heated; (18) III group nitride crystal is grown

Abstract translation: 目的：提供通过添加惰性气体在超临界氨中生长III族氮化物单晶的方法，以通过防止杂质输入到III族氮化物单晶中来提高纯度和质量。 构成：将III族氮化物晶种输入到压力容器（10）。 将矿化剂输入到压力容器。 将压力容器密封（12）。 将惰性气体和具有氮气的溶剂输入到压力容器（14）。 通过加压压力容器（18）生长III族氮化物单晶。 （10）含III族的材料，III族氮化物晶种和矿化剂输入到压力容器中; （12）压力容器密封; （14）输入惰性气体和具有氮气的溶剂; （16）加压压力容器; （18）III族氮化物晶体生长

公开(公告)号：KR101283993B1

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020120135577

申请日：2012-11-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  정석종 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  강성구

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/14

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양전지 전극 형성에 이용 가능한 비접촉 인쇄 공정용 전도성 잉크 조성물을 이용한 태양전지 전면 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 특히 전면 전극을 형성하는 단계에 있어서 사용되는 전도성 잉크는 금속 나노 입자, 나노 사이즈의 유리 프릿 (glass frit) 및 유기 비히클을 포함한다. 본 발명은 기판에 물리적 손상을 주지 않는 비접촉 인쇄공정에 적용 가능하며, 추가적인 마스크 패터닝 공정 없이 양질의 태양전지 전면 전극을 형성 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101174670B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110045313

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  안기석 ,  박보근 ,  이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  신용숙 ,  정석종

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a patterned graphene applied to a graphene based device is provided to manufacture a single-multilayered graphene with a desirable pattern by using a patterned metal catalyst layer. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A mask is fixed to the substrate. A patterned metal catalyst layer is formed on the substrate. A graphene layer is grown on the metal catalyst layer. The grown graphene layer is transferred to the insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造施加到基于石墨烯的器件的图案化石墨烯的方法，以通过使用图案化的金属催化剂层制造具有所需图案的单层多层石墨烯。 构成：制备底物。 掩模固定在基板上。 在基板上形成图案化的金属催化剂层。 在金属催化剂层上生长石墨烯层。 生长的石墨烯层被转移到绝缘层。

公开(公告)号：KR101124226B1

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110013259

申请日：2011-02-15

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  최하나 ,  정택모 ,  정석종 ,  류병환 ,  김창균

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0216

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CIS thin film is provided to mass-produce a CuInSe2 photoactive layer with a solution process. CONSTITUTION: A CuInSe2 nano particle is made by using copper amino alkoxide, indium amino alkoxide and selenium powder. A coating layer is formed by coating a molybdenum film of a glass substrate with coating solutions including CuInSe2 nano particles. A CuInSe2 thin film is formed by thermally processing the glass substrate with the coating layer between 300 and 600 degrees centigrade.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造CIS薄膜的方法，以大量生产具有溶液工艺的CuInSe 2光敏层。 构成：使用铜氨基醇盐，铟氨基醇盐和硒粉制成CuInSe2纳米颗粒。 通过用包括CuInSe 2纳米颗粒的涂布溶液涂覆玻璃基板的钼膜来形成涂层。 CuInSe 2薄膜是通过在300〜600摄氏度的涂层之间热处理玻璃基板而形成的。

公开(公告)号：KR100837376B1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：KR1020060075233

申请日：2006-08-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박인환 ,  박소진 ,  정석종 ,  김경만

IPC: G03G9/08 ,  G03G9/087

Abstract: 본 발명은 정전하상 현상용 토너의 제조에 활용되는 구상수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 착색제, 전하제어제, 이형제 등의 배합성분을 함유하는 토너(toner) 중 상기 배합성분을 담지하는 기본 소재인 구상수지 조성물로 중합하여 대전특성을 주는 친유성 단량체에, 중합되는 구상입자 표면에 극성을 부여하기 위하여 소량의 극성 단량체를 단독 혹은 공간 넓힘용 단량체를 선택적으로 포함하고, 점착성과 내구성을 향상시키는 가교제 등을 조합하고, 이들 조성물을 분산안정제가 함유된 수상 매체에서 중합할 경우에, 구상수지의 평균 입경이 작아지고, 입도 분포의 폭이 적어지므로 균일한 크기의 입자를 얻을 수 있고, 구상입자 내ㆍ외부가 친유와 친수로 구분이 확실하게 되어 함수율이 적어, 고습 하에 있어서도 높은 대전량을 유지하고, 구상입자 표면의 극성관능기에 의해 양호한 저온 정착성을 나타내기에, 이렇게 얻어진 구상수지에 토너용 배합성분을 담지하게 되면, 인쇄 시 흐려짐을 낮게 하고, 보다 향상된 화상농도가 얻어질 수 있도록 대전효과를 효율적으로 향상시키도록 개선한 정전하상 현상용 토너에 사용되는 구상수지 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
정전하상, 현상용, 구상수지, 토너, 대전성

公开(公告)号：KR100538979B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：KR1020030014263

申请日：2003-03-07

Applicant: 한국화학연구원 ,  에이케이홀딩스 주식회사

Inventor： 이정호 ,  김형록 ,  한요한 ,  정석종 ,  최낙모 ,  우항수 ,  김인기 ,  이태경

IPC: C07C29/149

CPC classification number: Y02P20/584

Abstract: 본 발명은 말레인산에스테르로부터 1,4-부탄디올을 제조하는 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1의 조성을 가진 촉매의 존재 하에서 말레인산에스테르를 수소화시켜 1,4-부탄디올을 제조하는 본 발명에 따른 방법은 저온 조건, 반응물에 대한 수소의 저몰비 조건하에서 고선택율, 고수율 및 고생산성을 나타내며, 촉매의 수시 재활성화 조작을 수행하지 않고도 장기간 안정적으로 1,4-부탄디올을 제조할 수 있다:

CuO(a)MnO
2 (b)M(c)SiO
2 (d)


상기 식에서, a, b, c 및 d는 중량을 기준으로 한 백분율을 나타내며, a는 40 내지 90이고, b는 0.15 내지 5이고, c는 0.001 내지 5이고, d는 5 내지 50이고, M은 아연(Zn), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 레늄(Re), 루테늄(Ru) 및 로듐(Rh) 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 나타낸다.

公开(公告)号：KR1020050011383A

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020030050471

申请日：2003-07-23

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정호 ,  김형록 ,  한요한 ,  정석종 ,  서영종 ,  최병렬

IPC: C07D319/12

CPC classification number: Y02P20/584

Abstract: PURPOSE: A process for preparing p-dioxanone from diethyleneglycol is provided, thereby stably preparing p-dioxanone for a long period without reactivation of catalyst with improved selectivity and yield. CONSTITUTION: The process for preparing p-dioxanone from diethyleneglycol comprises dehydrocyclization of diethyleneglycol in the presence of a catalyst represented by the formula(1) of CuO(a)M(b)SiO2(c), in which M is one or more alkali earth metal oxides; and the (a), (b) and (c) represent percentage value based on weight, and are 30 to 85, 0.01 to 5 and 10 to 65, respectively, wherein the catalyst is prepared by (1) adding an alkali precipitating agent into a copper salt solution to produce the hydroxide type of precipitates, (2) adding nano-sized colloidal silica into the solution and maturing them to isolate and clean the precipitates, and (3) mixing the cleaned precipitates with an alkali earth metal compound in water, and drying and post-treating the resulting product.

Abstract translation: 目的：提供从二甘醇制备对二恶烷酮的方法，从而稳定地制备对二氧杂环己酮，而不用催化剂再活化，提高了选择性和产率。 构成：由二甘醇制备对二氧杂环己酮的方法包括在由式（1）的CuO（a）M（b）SiO 2（c）表示的催化剂存在下脱水环化二甘醇，其中M是一个或多个碱 地球金属氧化物; （a），（b）和（c）分别代表基于重量的百分数值，分别为30〜85,0.01〜5,10〜65，其中，催化剂的制备方法为：（1） 加入到铜盐溶液中以产生氢氧化物型沉淀物，（2）将纳米级胶体二氧化硅加入到溶液中并使其成熟以分离和清除沉淀物，和（3）将清洁的沉淀物与碱土金属化合物混合 水，并对所得产物进行干燥和后处理。