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公开(公告)号:GB2506315A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:GB201400139
申请日:2012-06-05
Applicant: IBM
Inventor: CHANDRA BHUPESH , HONG AUGUSTIN J , KIM JEEHWAN , SADANA DEVENDRA K , TULEVSKI GEORGE
IPC: H01L31/0224 , B82Y30/00 , H01L31/075
Abstract: A photovoltaic device and method include a photovoltaic stack having an N-doped layer (112), a P-doped layer (108) and an intrinsic layer (1 10). A transparent electrode (104) is formed on the photovoltaic stack and includes a carbon based layer (105) and a high work function metal layer (107). The high work function metal layer is disposed at an interface between the carbon based layer and the P-doped layer such that the high work function metal layer forms a reduced barrier contact and is light transmissive.
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12.
公开(公告)号:DE112012002461T5
公开(公告)日:2014-02-27
申请号:DE112012002461
申请日:2012-06-05
Applicant: IBM
Inventor: KIM JEEHWAN , SHIU KUEN-TING , DIMITRAKO-POULOS CHRISTOS , HONG AUGUSTIN J , SADANA DEVENDRA K
IPC: H01L31/00
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthält ein Aufbringen (206) einer Diblockcopolymerschicht auf ein Substrat und Entfernen eines ersten Polymermaterials aus der Diblockcopolymerschicht, um eine Vielzahl verteilter Poren zu bilden. Eine strukturbildende Schicht wird auf der verbleibenden Oberfläche der Diblockcopolymerschicht und in den Poren in Kontakt mit dem Substrat abgeschieden (212). Die Diblockcopolymerschicht wird abgehoben (214) und Teile der strukturbildenden Schicht werden in Kontakt mit dem Substrat belassen. Das Substrat wird unter Verwendung der strukturbildenden Schicht zum Schützen von Teilen des Substrats geätzt (216), um Säulen in dem Substrat zu bilden, so dass die Säulen eine strahlenabsorbierende Struktur in der Photovoltaikeinheit bereitstellen.
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公开(公告)号:DE102013208429A1
公开(公告)日:2013-11-28
申请号:DE102013208429
申请日:2013-05-08
Applicant: IBM
Inventor: BEDELL STEPHEN W , FOGEL KEITH E , HONG AUGUSTIN J , SADANA DEVENDRA K , LI NING , SAENGER KATHERINE L , SHAHRJERDI DAVOOD , SHIU KUEN-TING
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: Die Erzeugung von Oberflächenstrukturen oder die Reproduktion von Oberflächenstrukturen wird in der vorliegenden Offenbarung ohne die Notwendigkeit erreicht, einen Ätzprozess einzusetzen. Stattdessen wird in der vorliegenden Offenbarung eine besondere, als Abtrennen (spalling) bezeichnete Bruchmethode verwendet, um Oberflächenstrukturen zu erzeugen oder zu reproduzieren. Im Fall einer Oberflächenstrukturerzeugung wird eine Oberflächenstruktur in einer Stressorschicht bereitgestellt, und dann wird das Abtrennen durchgeführt. Im Fall einer Oberflächenstrukturreproduktion wird eine Oberflächenstruktur innerhalb oder auf einer Oberfläche eines Basissubstrats gebildet, und dann wird eine Stressorschicht angebracht. Nach dem Anbringen der Stressorschicht wird das Abtrennen durchgeführt. Die Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen unter Verwendung von Abtrennen stellt ein kostengünstiges Mittel zur Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen bereit.
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公开(公告)号:DE102013207490B4
公开(公告)日:2022-11-17
申请号:DE102013207490
申请日:2013-04-25
Applicant: IBM
Inventor: CHEN TZE-CHIANG , HONG AUGUSTIN J , KIM JEEHWAN , SADANA DEVENDRA K
IPC: H01L31/18 , C23C16/50 , H01L31/036
Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit (100), aufweisend:Bereitstellen eines Substrats (102); undAbscheiden einer Pufferschicht (105) zwischen einer transparenten Elektrode (104), die auf dem Substrat (102) ausgebildet ist, und einer p-leitenden Schicht (106) eines Photovoltaikstapels (106, 110, 112), wobei das Abscheiden der Pufferschicht (105) die Schritte umfasst:Durchführen einer Blitzabscheidung mit einer hohen Leistung von etwa 100 W/cm2zum Abscheiden eines ersten Teils (116) der Pufferschicht (105), um ein Kristallinitätsniveau und Leitfähigkeit der Pufferschicht (105) zu erhöhen; undDurchführen einer Abscheidung mit niedriger Leistung zum Abscheiden eines zweiten Teils der Pufferschicht (105) und zum Erhalten einer stärker amorphen Form, wobei der erste Teil (116) der Pufferschicht (105) an die p-leitende Schicht (106) angrenzt und der zweite Teil der Pufferschicht (105) an die transparente Elektrode (104) angrenzt, und wobei die Pufferschicht (105) einen Dotierstoff des p-Typs aufweist.
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公开(公告)号:GB2508748B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:GB201403424
申请日:2012-08-29
Applicant: IBM
Inventor: HONG AUGUSTIN J , JUNG WOO-SHIK , KIM JEEHWAN , NAH JAE-WOONG , SADANA DEVENDRA K
IPC: H01L31/0352 , H01L51/40 , H01L51/42
Abstract: Hemispheres and spheres are formed and employed for a plurality of applications. Hemispheres are employed to form a substrate having an upper surface and a lower surface. The upper surface includes peaks of pillars which have a base attached to the lower surface. The peaks have a density defined at the upper surface by an array of hemispherical metal structures that act as a mask during an etch to remove substrate material down to the lower surface during formation of the pillars. The pillars are dense and uniform and include a microscale average diameter. The spheres are formed as independent metal spheres or nanoparticles for other applications.
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公开(公告)号:GB2506315B
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:GB201400139
申请日:2012-06-05
Applicant: IBM
Inventor: CHANDRA BHUPESH , HONG AUGUSTIN J , KIM JEEHWAN , SADANA DEVENDRA K , TULEVSKI GEORGE S
IPC: H01L31/0224 , B82Y30/00 , H01L31/075
Abstract: A photovoltaic device and method include a photovoltaic stack having an N-doped layer, a P-doped layer and an intrinsic layer. A transparent electrode is formed on the photovoltaic stack and includes a carbon based layer and a high work function metal layer. The high work function metal layer is disposed at an interface between the carbon based layer and the P-doped layer such that the high work function metal layer forms a reduced barrier contact and is light transmissive.
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公开(公告)号:GB2517325A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:GB201419706
申请日:2013-06-25
Applicant: IBM
Inventor: FOGEL KEITH E , HONG AUGUSTIN J , KIM JEEHWAN , SADANA DEVENDRA K
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18
Abstract: A method for forming a photovoltaic device includes depositing (302) one or more layers of a photovoltaic stack on a substrate by employing a high deposition rate plasma enhanced chemical vapor deposition (HDR PECVD) process, Contacts are formed (306) on the photovoltaic stack to provide a photovoltaic cell. Annealing (310) is perfomied on the photovoltaic cell at a temperature and duration configured to improve overall performance.
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18.
公开(公告)号:GB2505351A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:GB201320040
申请日:2012-06-05
Applicant: IBM
Inventor: DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS , SHIU KUEN-TING , HONG AUGUSTIN J , KIM JEEHWAN , SADANA DEVENDRA
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: A method for fabricating a photovoltaic device includes applying (206) a diblock copolymer layer on a substrate and removing a first polymer material from the diblock copolymer layer to form a plurality of distributed pores. A pattern forming layer is deposited (212) on a remaining surface of the diblock copolymer layer and in the pores in contact with the substrate. The diblock copolymer layer is lifted off (214) and portions of the pattern forming layer are left in contact with the substrate. The substrate is etched (216) using the pattern forming layer to protect portions of the substrate to form pillars in the substrate such that the pillars provide a radiation absorbing structure in the photovoltaic device.
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公开(公告)号:DE112012001857T5
公开(公告)日:2014-02-20
申请号:DE112012001857
申请日:2012-06-05
Applicant: IBM
Inventor: ABOU-KANDIL AHMED , KIM JEEHWAN , FOGEL KEITH E , HONG AUGUSTIN J , SADANA DEVENDRA K
IPC: H01L31/00
Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthalten ein Bilden einer lichtabsorbierenden Halbleiterstruktur auf einem durchlässigen Substrat, das eine erste dotierte Schicht (406) enthält, und Bilden einer intrinsischen Schicht (410) auf der ersten dotierten Schicht, wobei die intrinsische Schicht ein amorphes Material enthält. Die intrinsische Schicht wird mit einem Plasma behandelt (412), um Keimstellen zu bilden. Eine erste Tunnelübergangsschicht wird auf der intrinsischen Schicht gebildet (414), indem Mikrokristalle aus den Keimstellen wachsen gelassen werden.
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公开(公告)号:DE102013207490A1
公开(公告)日:2013-11-14
申请号:DE102013207490
申请日:2013-04-25
Applicant: IBM
Inventor: CHEN TZE-CHIANG , HONG AUGUSTIN J , KIM JEEHWAN , SADANA DEVENDRA K
IPC: H01L31/18 , C23C16/50 , H01L31/036
Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit umfasst das Bereitstellen eines Substrats. Eine Schicht wird abgeschieden, um eine oder mehrere Schichten eines Photovoltaikstapels auf dem Substrat zu bilden. Das Abscheiden der amorphen Schicht umfasst das Durchführen einer Blitzabscheidung mit hoher Leistung zum Abscheiden eines ersten Teils der Schicht. Es wird eine Abscheidung mit niedriger Leistung durchgeführt, um einen zweiten Teil der Schicht abzuscheiden.
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