公开(公告)号：JP2005352104A

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：JP2004172222

申请日：2004-06-10

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  Shin Etsu Chem Co Ltd ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation ,  信越化学工業株式会社

Inventor： IWABUCHI MOTOAKI ,  HAMADA YOSHITAKA ,  OGIHARA TSUTOMU ,  ASANO TAKESHI ,  UEDA TAKASHI ,  PFEIFFER DIRK

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  G03C1/492 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  Y10S438/952

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antireflection film material which ensures a higher etching selectivity than a resist, that is, a higher etching speed than the resist and has such properties that it can be removed without damaging a film to be processed, and to provide a pattern forming method in which an antireflection film layer is formed on a substrate using the antireflection film material, and a pattern forming method using the antireflection film as a hard surface mask blank for substrate processing. SOLUTION: An antireflection film forming composition is provided which comprises a polymer having a light absorbing group, a crosslinkable group and a non-crosslinkable group obtained by hydrolyzing and condensing one or more silicon compounds, an organic solvent and a crosslinking agent. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种抗蚀剂材料，其确保比抗蚀剂更高的蚀刻选择性，即比抗蚀剂更高的蚀刻速度，并且具有能够去除而不损坏待处理的膜的性质 并且提供一种图案形成方法，其中使用防反射膜材料在基板上形成抗反射膜层，以及使用该抗反射膜作为基板处理的硬质表面掩模板的图案形成方法。 解决方案：提供一种抗反射膜形成组合物，其包含具有光吸收基团的聚合物，可交联基团和通过水解和缩合一种或多种硅化合物，有机溶剂和交联剂获得的不可交联基团。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004046098A

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：JP2003128938

申请日：2003-05-07

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ALLEN ROBERT DAVID ,  GREGORY BUREITA ,  BROCK PHILLIP ,  DIPIETRO RICHARD A ,  FENZEL-ALEXANDER DEBRA ,  LARSON CARL ,  MEDEIROS DAVID ,  PFEIFFER DIRK ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  TRUONG HOA D ,  WALLRAFF GREGORY M

IPC: C08F20/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist composition containing a polymer having at least one methacrylate monomer and to provide a method of pattering a substrate using the photoresist composition. SOLUTION: The photoresist composition contains a methacrylate monomer of formula 1 where R 1 represents hydrogen (H), a linear or branched 1-20C alkyl group or a semi- or perfluorinated linear or branched 1-20C alkyl group; where R 2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF 3 ) group bonded to each carbon of the substituted aliphatic group or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R 3 represents hydrogen (H), methyl (CH 3 ), trifluoromethyl (CF 3 ), difluoromethyl (CHF 2 ) or fluoromethyl (CH 2 F). COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：AU2021264045A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：AU2021264045

申请日：2021-03-19

Applicant: IBM

Inventor： KUMAR ARVIND ,  ANDO TAKASHI ,  PFEIFFER DIRK

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/66

Abstract: A technique relates to biasing, using a control system (220), a crossbar array (100) of resistive processing units (102) under a midrange condition, the midrange condition causing resistances of the resistive processing units (102) to result in a random output of low values and high values in about equal proportions. The control system (220) reinforces the low values and the high values of the random output by setting the resistances of the resistive processing units (102) to a state that forces the low values and the high values having resulted from the midrange condition. Reinforcing the low values and the high values makes the random output permanent even when the crossbar array (100) of the resistive processing units (102) is not biased under the midrange condition. The control system (220) records a sequence of the low values and the high values of the random output responsive to reinforcing the low values and the high values of the random output.

公开(公告)号：DE102012222116B4

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend: eine Graphenschicht (14), die auf einer Oberseite (12) eines Grundsubstrats (10) angeordnet ist; und ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, das auf einer Oberseite (12) der Graphenschicht (14) angeordnet ist, wobei das Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, von unten nach oben, eine Siliciumnitridschicht (16) auf der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) bereitstellt und eine auf einer Oberseite (12) der Siliciumsnitridschicht (16) bereitgestellte HfO2-Schicht (18) einschließt, wobei die Siliciumnitridschicht (16) und die HfO2-Schicht (18) über der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) kontinuierlich vorhanden sind.

公开(公告)号：DE112010005304T8

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：DE112010005304

申请日：2010-10-22

Applicant: IBM

Inventor： BURNS SEAN D ,  MEDEIROS DAVID R ,  PFEIFFER DIRK

IPC: G03F7/09

公开(公告)号：DE102012222116A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Auf einer Oberseite einer Graphenschicht wird eine Siliciumnitridschicht bereitgestellt, und dann wird auf einer Oberseite der Siliciumnitridschicht eine Hafniumdioxidschicht bereitgestellt. Die Siliciumnitridschicht wirkt als ein Benetzungsmittel für die Hafniumdioxidschicht und verhindert dadurch die Bildung von diskontinuierlichen Hafniumdioxidsäulen über der Graphenschicht. Die Siliciumnitridschicht und die Hafniumdioxidschicht, die zusammen ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum mit geringer äquivalenter Oxiddicke (EOT) bilden, weisen über der Graphenschicht eine kontinuierliche Morphologie auf.

公开(公告)号：DE112021000582T5

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE112021000582

申请日：2021-03-19

Applicant: IBM

Inventor： KUMAR ARVIND ,  ANDO TAKASHI ,  PFEIFFER DIRK

IPC: G06F21/73 ,  H01L23/58

Abstract: Eine Technik betrifft ein Beaufschlagen eines Kreuzschienen-Array von ohmschen Verarbeitungseinheiten (resistive processing units, RPUs) unter Verwendung eines Steuersystems mit einer Vorspannung in einem mittleren Zustand, wobei die Widerstände der RPUs durch den mittleren Vorspannungszustand zum zufälligen Ausgeben niedriger Werte und hoher Werte in ungefähr gleichen Anteilen veranlasst werden. Das Steuersystem bestätigt die niedrigen Werte und die hohen Werte des zufälligen Ausgabewertes, indem es die Widerstände der RPUs in einen Zustand versetzt, der die aus dem mittleren Zustand hervorgegangenen niedrigen Werte und hohen Werte festigt. Durch Bestätigen der niedrigen Werte und der hohen Werte bleibt der zufällige Ausgabewert auch dann dauerhaft, wenn das Kreuzschienen-Array der RPUs nicht mehr unter einer Vorspannung im mittleren Bereich steht. Das Steuersystem zeichnet eine Folge der niedrigen Werte und der hohen Werte des zufälligen Ausgabewertes als Reaktion auf das Verstärken der niedrigen Werte und der hohen Werte des zufälligen Ausgabewertes auf.

公开(公告)号：AU2003230825A1

公开(公告)日：2003-11-03

申请号：AU2003230825

申请日：2003-04-01

Applicant: IBM

Inventor： ANGELOPOULOS MARIE ,  BABICH KATHERINA ,  BROCK PHILLIP ,  HUANG WU-SONG ,  MAHOROWALA ARPAN P ,  MEDEIROS DAVID R ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  PFEIFFER DIRK

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/26

Abstract: Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having chromophore moieties and transparent moieties are useful antireflective hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions of the invention are advantageously useful with shorter wavelength lithographic processes and/or have minimal residual acid content.

公开(公告)号：GB2499311B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：GB201300509

申请日：2013-01-11

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  GRILL ALFRED ,  NEUMAYER DEBORAH ANN ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN ,  FARMER DAMON BROOKS ,  LIN YU-MING

IPC: H01L29/786 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66

Abstract: A silicon nitride layer is provided on an uppermost surface of a graphene layer and then a hafnium dioxide layer is provided on an uppermost surface of the silicon nitride layer. The silicon nitride layer acts as a wetting agent for the hafnium dioxide layer and thus prevents the formation of discontinuous columns of hafnium dioxide atop the graphene layer. The silicon nitride layer and the hafnium dioxide layer, which collectively form a low EOT bilayer gate dielectric, exhibit continuous morphology atop the graphene layer.

公开(公告)号：GB2499311A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：GB201300509

申请日：2013-01-11

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  GRILL ALFRED ,  NEUMAYER DEBORAH ANN ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN ,  FARMER DAMON BROOKS ,  LIN YU-MING

IPC: H01L29/786 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66

Abstract: A silicon nitride layer 16 is provided on an uppermost surface of a graphene layer 14 and then a hafnium dioxide layer 18 is provided on an uppermost surface of the silicon nitride layer. The silicon nitride layer acts as a wetting agent for the hafnium dioxide layer and thus prevents the formation of discontinuous columns of hafnium dioxide atop the graphene layer. The silicon nitride layer and the hafnium dioxide layer, which collectively form a low EOT bilayer gate dielectric, exhibit continuous morphology atop the graphene layer. The graphene layer can be epitaxially grown on a substrate which may be silicon carbide. The silicon nitride layer may be a tensile silicon nitride layer. A portion of the graphene layer may serve as a channel layer for a FET. The graphene layer may be in contact with source and drain regions of an FET 56, 58. A gate conductor 54 may be located on the hafnium oxide layer. The dielectric bilayer may cover the sides and the top of the source drain regions.