公开(公告)号：GB2505351A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：GB201320040

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  SHIU KUEN-TING ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: A method for fabricating a photovoltaic device includes applying (206) a diblock copolymer layer on a substrate and removing a first polymer material from the diblock copolymer layer to form a plurality of distributed pores. A pattern forming layer is deposited (212) on a remaining surface of the diblock copolymer layer and in the pores in contact with the substrate. The diblock copolymer layer is lifted off (214) and portions of the pattern forming layer are left in contact with the substrate. The substrate is etched (216) using the pattern forming layer to protect portions of the substrate to form pillars in the substrate such that the pillars provide a radiation absorbing structure in the photovoltaic device.

公开(公告)号：DE102012213849A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213849

申请日：2012-08-06

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  CHU JACK O ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687

Abstract: Eine Einheit und ein Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten beinhalten das Bereitstellen eines Trägersubstrats, das ein einkristallines Gruppe-III/V-Material enthält. Das Trägersubstrat bildet eine Gruppe-III/V-Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten. Auf dem Gruppe-III/V-Material wird eine Germaniumschicht mit passenden Gitterkonstanten epitaxial abgeschieden, um eine fertige Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten zu bilden. Die Germaniumschicht wird mit einem Fremdsubstrat verbunden.

公开(公告)号：GB2509854A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：GB201406328

申请日：2012-09-26

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78

Abstract: A method of removing a plurality of semiconductor device layers from an underlying base substrate is provided. A multilayered stack including alternating layers of sacrificial material layers and semiconductor material layers is formed on the base substrate. Each successive sacrificial material layer that is formed is thicker than the previously formed sacrificial material layer. Because of the difference in thicknesses of the sacrificial material layers, each sacrificial material layer etches at different rates, with thicker sacrificial material layers etching faster than thinner sacrificial material layers. An etch is then performed that first removes the thickest sacrificial material layer of the multilayered stack. The uppermost semiconductor device layer within the multilayered stack is accordingly first released. As the etch continues, the other sacrificial material layers are removed sequentially, in the order of decreasing thickness, and the other semiconductor device layers are removed sequentially.

公开(公告)号：GB2499318B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：GB201302000

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： ZHANG ZHEN ,  SUN YANNING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/18 ,  H01L21/441 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66

公开(公告)号：GB2508572A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：GB201406069

申请日：2012-09-10

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/78

Abstract: A method of removing a semiconductor device layer from an underlying base substrate is provided in which a sacrificial phosphide-containing layer is formed between a semiconductor device layer and a base substrate. In some embodiments, a semiconductor buffer layer can be formed on an upper surface of the base substrate prior to forming the sacrificial phosphide-buffer layer. The resultant structure is then etched utilizing a non-HF etchant to release the semiconductor device layer from the base semiconductor substrate. After releasing the semiconductor device layer from the base substrate, the base substrate can be re-used.

公开(公告)号：DE112012003409T5

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE112012003409

申请日：2012-09-10

Applicant: IBM

Inventor： SHIU KUEN-TING ,  CHENG CHENG-WEI

IPC: H01L21/311

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleitereinheit-Schicht von einem darunterliegenden Grundsubstrat bereitgestellt, wobei zwischen einer Halbleitereinheit-Schicht und einem Grundsubstrat eine phosphidhaltige Opferschicht gebildet wird. In einigen Ausführungsformen kann eine Halbleiterpufferschicht auf einer Oberseite des Grundsubstrats gebildet werden, bevor die Phosphid-Puffer-Opferschicht gebildet wird. Die resultierende Struktur wird dann mit einem Nicht-HF-Ätzmittel geätzt, um die Halbleitereinheit-Schicht vom Halbleitergrundsubstrat abzulösen. Nach dem Ablösen der Halbleitereinheit-Schicht vom Grundsubstrat kann das Grundsubstrat wiederverwendet werden.

公开(公告)号：DE112012002461T5

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE112012002461

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： KIM JEEHWAN ,  SHIU KUEN-TING ,  DIMITRAKO-POULOS CHRISTOS ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthält ein Aufbringen (206) einer Diblockcopolymerschicht auf ein Substrat und Entfernen eines ersten Polymermaterials aus der Diblockcopolymerschicht, um eine Vielzahl verteilter Poren zu bilden. Eine strukturbildende Schicht wird auf der verbleibenden Oberfläche der Diblockcopolymerschicht und in den Poren in Kontakt mit dem Substrat abgeschieden (212). Die Diblockcopolymerschicht wird abgehoben (214) und Teile der strukturbildenden Schicht werden in Kontakt mit dem Substrat belassen. Das Substrat wird unter Verwendung der strukturbildenden Schicht zum Schützen von Teilen des Substrats geätzt (216), um Säulen in dem Substrat zu bilden, so dass die Säulen eine strahlenabsorbierende Struktur in der Photovoltaikeinheit bereitstellen.

公开(公告)号：DE102013208429A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013208429

申请日：2013-05-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K ,  LI NING ,  SAENGER KATHERINE L ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: Die Erzeugung von Oberflächenstrukturen oder die Reproduktion von Oberflächenstrukturen wird in der vorliegenden Offenbarung ohne die Notwendigkeit erreicht, einen Ätzprozess einzusetzen. Stattdessen wird in der vorliegenden Offenbarung eine besondere, als Abtrennen (spalling) bezeichnete Bruchmethode verwendet, um Oberflächenstrukturen zu erzeugen oder zu reproduzieren. Im Fall einer Oberflächenstrukturerzeugung wird eine Oberflächenstruktur in einer Stressorschicht bereitgestellt, und dann wird das Abtrennen durchgeführt. Im Fall einer Oberflächenstrukturreproduktion wird eine Oberflächenstruktur innerhalb oder auf einer Oberfläche eines Basissubstrats gebildet, und dann wird eine Stressorschicht angebracht. Nach dem Anbringen der Stressorschicht wird das Abtrennen durchgeführt. Die Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen unter Verwendung von Abtrennen stellt ein kostengünstiges Mittel zur Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen bereit.

公开(公告)号：GB2499318A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：GB201302000

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： ZHANG ZHEN ,  SUN YANNING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/18 ,  H01L21/441 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66

Abstract: Techniques for fabricating self-aligned contacts in III-V FET devices are provided. A method for fabricating a self-aligned contact to III-V materials includes the steps of depositing at least one metal on a surface of a III-V material 102, the metal is reacted with an upper portion of the III-V material to form a metal III-V alloy layer 106 which is the self-aligned contact, an etch is used to remove any unreacted portions of the metal, at least one impurity is implanted into the metal III-V alloy layer, the impurity implanted into the metal III-V alloy layer is diffused to an interface between the metal III-V alloy layer and the III-V material to reduce the contact resistance of the self-aligned contact. The reaction may involve an annealing step.

公开(公告)号：DE102012209891A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat wird bereitgestellt, das das Bereitstellen einer Rissausbreitungsschicht auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats beinhaltet. Eine Halbleiterelementschicht mit mindestens einem Halbleiterelement wird auf der Rissausbreitungsschicht gebildet. Als Nächstes werden Endabschnitte der Rissausbreitungsschicht geätzt, um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht auszulösen. Die geätzte Rissausbreitungsschicht wird anschließend gespalten, um einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht und der oberen Fläche des Grundsubstrats einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht bereitzustellen. Der gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht entfernt und der andere gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der oberen Fläche des Grundsubstrats entfernt.