公开(公告)号：DE102016120080B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102016120080

申请日：2016-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MURI INGO ,  MODER IRIS ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Bilden (S100) einer Hilfsstruktur (102) an einer ersten Oberfläche (104) eines Halbleiterkörpers (100),Bilden (S110) einer Halbleiterschicht (106) auf dem Halbleiterkörper (100) an der ersten Oberfläche (104),Bilden (S120) von Halbleitervorrichtungselementen (108-110) an der ersten Oberfläche (104), undEntfernen (S130) des Halbleiterkörpers (100) von einer zweiten Oberfläche (105) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (104) wenigstens bis zu einem zu der zweiten Oberfläche (105) ausgerichteten Rand der Hilfsstruktur (102), wobeider Halbleiterkörper (100) von der zweiten Oberfläche (105) durch abrasives Bearbeiten entfernt wird, und das abrasive Bearbeiten unter einem vertikalen Abstand zu dem Rand der Hilfsstruktur (102), ausgerichtet zu der zweiten Oberfläche (105), gestoppt wird, und bei dem der Halbleiterkörper (100) weiter bis zu dem Rand der Hilfsstruktur (102), ausgerichtet zu der zweiten Oberfläche (105), durch einen Ätzprozess entfernt wird.

公开(公告)号：DE102017117469A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102017117469

申请日：2017-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  NEIDHARDT THOMAS CHRISTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden von Gräben, die mit einem Opfermaterial gefüllt sind. Die Gräben erstrecken sich von einer ersten Seite aus in ein Halbleitersubstrat. Eine epitaktische Schicht wird über der ersten Seite des Halbleitersubstrats und den Gräben gebildet. Von einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Halbleitersubstrats aus wird das Opfermaterial in den Gräben entfernt. Die Gräben werden mit einem leitfähigen Material gefüllt.

公开(公告)号：DE102017104863A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102017104863

申请日：2017-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  OEFNER HELMUT

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L29/30

Abstract: Ein Verfahren zum Reduzieren von Defekten in einer epitaxialen Schicht. Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden einer oder mehrerer Barrierenstrukturen innerhalb eines Umfangsrandgebiets eines Wafersubstrats und das Ausbilden einer epitaxialen Schicht über einer Oberfläche des Wafersubstrats.

公开(公告)号：DE10337568A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：DE10337568

申请日：2003-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  KOGLER RUDOLF ,  VALLANT THOMAS

IPC: B01F23/10 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: The invention relates to a gas-supply assembly (10) for a process reactor (270). The gas-supply assembly (10) contains at least one changeover unit (420), a process-gas line (470) and an auxiliary line (460). The process reactor (270) contains at least one gas-inlet connection (404). A reactor line (450) lies between the changeover unit (420) and the gas-inlet connection (404). The reactor line (450) is shorter than one metre, producing excellent operating characteristics for the gas-supply assembly.

公开(公告)号：DE102014116834B4

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：DE102014116834

申请日：2014-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  KOTEK MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/301 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20

Abstract: Halbleitereinzelchip (1), der Folgendes aufweist:eine selektive Epitaxieschicht (60), die Vorrichtungsgebiete (100) aufweist; undeine Maskierungsstruktur (50), die um Seitenwände der Epitaxieschicht (60) derart angeordnet ist, dass sie eine Ringstruktur um die selektive Epitaxieschicht (60) herum bildet, wobei die Maskierungsstruktur (50) ein Gebiet der lokalen Oxidation von Silicium ist und wobei die Maskierungsstruktur (50) Teil von Chip-Vereinzelung-Schnittfugengebieten ist und diese definiert.

公开(公告)号：DE102017121693A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102017121693

申请日：2017-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

Abstract: Eine erste Dosis erster Dotierstoffe wird in einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche eingeführt. Eine Dicke des Halbleiterkörpers wird erhöht, indem auf der ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers eine erste Halbleiterschicht gebildet wird. Während eines Ausbildens der ersten Halbleiterschicht wird eine endgültige Dosis einer Dotierung in der ersten Halbleiterschicht überwiegend eingestellt, indem zumindest 20 % der ersten Dotierstoffe aus dem Halbleiterkörper in die erste Halbleiterschicht eingeführt werden.

公开(公告)号：DE102015210923B4

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102015210923

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1), umfassend:- Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) Folgendes umfasst:- eine Drift-Region (101), die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; und- eine Body-Region (102), die Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, wobei ein Übergang zwischen der Drift-Region (101) und der Body-Region (102) eine pn-Sperrschicht (103) bildet;- Erzeugen (21) eines Kontaktlochs (102-1) im Halbleiterkörper (10), wobei sich das Kontaktloch (102-1) in die Body-Region (102), entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Vorderseite (10-1) zur Rückseite (10-2) weist, hinein erstreckt; und- Füllen (22) des Kontaktlochs (102-1) zumindest teilweise durch epitaxiales Wachsenlassen eines Halbleitermaterials (102-2) innerhalb des Kontaktlochs (102-1), worin das Halbleitermaterial (102-2) Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist; worin eine Dotierstoffkonzentration des epitaxial gewachsenen Halbleitermaterials (102-2) niedriger als ein Maximum der Dotierstoffkonzentration der Body-Region (102) außerhalb des Kontaktlochs (102-1) ist.

公开(公告)号：DE102016104968B3

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：DE102016104968

申请日：2016-03-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  PÖLZL MARTIN ,  BLANK OLIVER ,  HELLMUND OLIVER

IPC: H01L29/02 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L29/78

Abstract: Erste Verstärkungsstreifen (361) werden auf einer Prozessoberfläche (101a) eines Basissubstrats (100a) gebildet. Eine erste epitaktische Schicht (100b), die die ersten Verstärkungsstreifen (361) bedeckt, wird auf der ersten Prozessoberfläche (101a) ausgebildet. Zweite Verstärkungsstreifen (362) werden auf der ersten epitaktischen Schicht (100b) gebildet. Eine zweite epitaktische Schicht (100c), die die zweiten Verstärkungsstreifen (362) bedeckt, wird auf freigelegten Bereichen der ersten epitaktischen Schicht (100b) gebildet. Halbleitende Bereiche von Transistorzellen (TC) werden in der zweiten epitaktischen Schicht (100c) gebildet oder Bereiche mikroelektromechanischer Strukturen (MS) werden aus ihr gebildet.

公开(公告)号：DE102014105098A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102014105098

申请日：2014-04-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  LACKNER GERALD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MAUDER ANTON

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/52 ,  H01L23/053 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Vorrichtungsträger und einen am Vorrichtungsträger befestigten Halbleiterchip. Ferner enthält die Halbleitervorrichtung einen Deckel mit einer Aussparung. Der Deckel umfasst ein Halbleitermaterial und ist am Vorrichtungsträger derart befestigt, dass der Halbleiterchip in der Aussparung untergebracht ist.

公开(公告)号：DE102007001523A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：DE102007001523

申请日：2007-01-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STECHER MATTHIAS ,  BAUMGARTL JOHANNES

IPC: H01L21/764

Abstract: The arrangement (1) has a semiconductor circuit (10) in or at a semiconductor material region (20) provided with two semiconductor circuit parts (11, 12). A void structure (30) is provided with a hollow cavity (31), which is arranged between semiconductor circuit parts. The hollow cavity is formed as a trench structure and is filled with inert gas. A semiconductor substrate (21) is arranged in the region. The semiconductor material region has a cover material region (24) that is provided with a wall or epitaxial layer (23). An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor circuit arrangement.