公开(公告)号：DE10208787B4

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：DE10208787

申请日：2002-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRIZA WOLFGANG ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  POELZL MARTIN

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/334 ,  H01L21/336 ,  H01L21/763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8249

公开(公告)号：DE19843959B4

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：DE19843959

申请日：1998-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEBOY GERALD ,  HAEBERLEN OLIVER ,  STRACK HELMUT ,  RUEB MICHAEL ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/334 ,  H01L21/328

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component including semiconductor areas of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body. The semiconductor areas of different conductivity types extend at least from one first zone to a position near a second zone. Because of variable doping in trenches and in the trench fillings, an electric field is generated which increases from both the first zone and the second zone.

公开(公告)号：DE102016125082B3

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102016125082

申请日：2016-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUELDNER MARC ,  BARZEN STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet eine Membranstruktur mit einer Öffnung. Ferner beinhaltet die Halbleitervorrichtung eine erste Rückplattenstruktur, die auf einer ersten Seite der Membranstruktur angeordnet ist, sowie eine zweite Rückplattenstruktur, die auf einer zweiten Seite der Membranstruktur angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet weiterhin eine vertikale Verbindungsstruktur, die die erste Rückplattenstruktur mit der zweiten Rückplattenstruktur verbindet. Dabei erstreckt sich die vertikale Verbindungsstruktur durch die Öffnung.

公开(公告)号：DE102013211943A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211943

申请日：2013-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HERRMANN MATTHIAS FRIEDRICH ,  KRUMBEIN ULRICH ,  BARZEN STEFAN ,  KLEIN WOLFGANG ,  FRIZA WOLFGANG ,  WURZER MARTIN

IPC: B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Eine MEMS-Struktur umfasst eine Rückplatte, eine Membran und eine einstellbare Ventilationsöffnung, die dafür ausgelegt ist, eine Druckdifferenz zwischen einem in Kontakt mit der Membran stehenden ersten Raum und einem in Kontakt mit einer entgegengesetzten Seite der Membran stehenden zweiten Raum zu verringern. Die einstellbare Ventilationsöffnung wird als Funktion der Druckdifferenz zwischen dem ersten Raum und dem zweiten Raum passiv betätigt.

公开(公告)号：DE10051909B4

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：DE10051909

申请日：2000-10-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHLERS DIRK ,  DETZEL THOMAS ,  FRIZA WOLFGANG ,  RUEB MICHAEL

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

公开(公告)号：DE10062016A1

公开(公告)日：2002-06-27

申请号：DE10062016

申请日：2000-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENER FRIEDRICH ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: H01L21/266

Abstract: Contact mask (1) made from monocrystalline silicon comprises openings (3) permeable for high energy ions arranged between the upper side (4) of the mask and the lower side (5) of the mask. The openings have a predetermined shape and cross-section (8) with exact edge contour in the region of the lower side and have a non-exact edge contour in the region of the upper side. The sections of the openings in the region of the upper side have a larger cross-section than the cross-sections of the openings in the region of the lower side. The larger cross-sections completely cover the smaller cross-sections. An Independent claim is also included for a process for the production of a contact mask. Preferred Features: The openings are accessible for all ions. The openings have a longitudinal or circular cross-section.

公开(公告)号：DE102018214017B4

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102018214017

申请日：2018-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIGL ALFRED ,  GEISSLER STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81C1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen einer Dünnschicht (128), wobei das Verfahren (100) aufweist:Bereitstellen (102) eines Trägersubstrats (120);Bereitstellen (104) eines Schichtstapels (121) auf dem Trägersubstrat (120), wobei der Schichtstapel (121) eine Trägerschicht (122) und eine Opferschicht (124) aufweist, wobei die Opferschicht (124) Bereiche (126) aufweist, in denen die Trägerschicht (122) freiliegt;Bereitstellen (106) der Dünnschicht (128) auf dem Schichtstapel (121), so dass die Dünnschicht (128) auf der Opferschicht (124) und in den Bereichen (126) der Opferschicht (124), in denen die Trägerschicht (122) freiliegt an der Trägerschicht (122) anliegt;zumindest teilweises Entfernen (108) der Opferschicht (124) ausgehend von der Dünnschicht (128), um einen Kontakt zwischen der Dünnschicht (128) und der Opferschicht (124) zumindest bereichsweise zu beseitigen; undAbziehen (110) der Dünnschicht (128) von der Trägerschicht (122);wobei die Dünnschicht (128) ein Filter oder eine Membran ist.

公开(公告)号：DE102013211943B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102013211943

申请日：2013-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HERRMANN MATTHIAS FRIEDRICH ,  KRUMBEIN ULRICH ,  BARZEN STEFAN ,  KLEIN WOLFGANG ,  FRIZA WOLFGANG ,  WURZER MARTIN

IPC: B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: MEMS-Struktur (400, 500, 600, 700, 900, 1201), welche Folgendes aufweist:eine Rückplatte (120, 250, 252, 350, 338, 450, 540, 640, 740, 902, 1221),eine Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211), die um einen Spaltabstand (904) von der Rückplatte (120, 250, 252, 350, 338, 450, 540, 640, 740, 902, 1221) beabstandet ist, undeine einstellbare Ventilationsöffnung (238, 338, 46, 538, 638, 738, 903, 111, 1120, 1130, 1150, 1160, 1208, 1238), welche sich auf der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) befindet und die dafür ausgelegt ist, eine Druckdifferenz zwischen einem ersten Raum (905), der in Kontakt mit einer ersten Seite der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) steht, und einem zweiten Raum (906), der in Kontakt mit einer entgegengesetzten zweiten Seite der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) steht, zu verringern, wobei die einstellbare Ventilationsöffnung (238, 338, 46, 538, 638, 738, 903, 111, 1120, 1130, 1150, 1160, 1208, 1238) als Funktion der Druckdifferenz zwischen dem ersten Raum (905) und dem zweiten Raum (906) passiv betätigt wird und dünner als ein anderer Abschnitt der Membran (130, 230, 330, 430, 530, 630, 730, 901, 1211) ist.

公开(公告)号：DE102018214017A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE102018214017

申请日：2018-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIGL ALFRED ,  GEISSLER STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81C1/00

Abstract: Ausführungsbeispiele schaffen ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht (oder eines Mikrosystems mit einer Dünnschicht). Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bereitstellens eines Trägersubstrats. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Bereitstellens eines Schichtstapels auf dem Trägersubstrat, wobei der Schichtstapel eine Trägerschicht und eine Opferschicht aufweist, wobei die Opferschicht Bereiche aufweist, in denen die Trägerschicht freiliegt. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Bereitstellens der Dünnschicht auf dem Schichtstapel, so dass die Dünnschicht auf der Opferschicht und in den Bereichen der Opferschicht, in denen die Trägerschicht freilegt, an der Trägerschicht anliegt. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des zumindest teilweisen Entfernens der Opferschicht ausgehend von der Dünnschicht, um einen Kontakt zwischen der Dünnschicht und der Opferschicht zumindest bereichsweise zu beseitigen. Ferner umfasst das Verfahren einen Schritt des Abziehens der Dünnschicht von der Trägerschicht.

公开(公告)号：DE102014103341A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102014103341

申请日：2014-03-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  AHRENS CARSTEN ,  BARZEN STEFAN ,  FRIZA WOLFGANG

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/306 ,  H04R1/00

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements Bilden einer Opferschicht über einer ersten Oberfläche eines Werkstücks mit der ersten Oberfläche und einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche auf. Eine Membran wird über der Opferschicht gebildet. Ein Durchkontaktloch wird durch das Werkstück von der zweiten Oberfläche geätzt, um eine Oberfläche der Opferschicht zu exponieren. Mindestens ein Abschnitt der Opferschicht wird von der zweiten Oberfläche entfernt, um einen Hohlraum unter der Membran zu bilden. Der Hohlraum wird an der Membran ausgerichtet.