公开(公告)号：DE102013113540B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102013113540

申请日：2013-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung (1010, 1013), umfassend:eine dicht gepackte Trenchtransistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite weines Transistormesabereiches von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite weines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w

公开(公告)号：DE102013111154A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013111154

申请日：2013-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  NELLE PETER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Testverfahren (700) gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: Bereitstellen eines zu testenden Halbleiterbauelements, wobei das Halbleiterbauelement mindestens eine Bauelementzelle enthält, wobei die mindestens eine Bauelementzelle Folgendes enthält: mindestens einen Graben, mindestens eine erste Anschlusselektrodenregion und mindestens eine zweite Anschlusselektrodenregion, mindestens eine Gate-Elektrode, und mindestens eine zusätzliche Elektrode, die mindestens teilweise in dem mindestens einen Graben angeordnet ist, wobei ein elektrisches Potenzial der mindestens einen zusätzlichen Elektrode von elektrischen Potenzialen der mindestens einen ersten Anschlusselektrodenregion, der mindestens eine zweite Anschlusselektrodenregion und der mindestens eine Gate-Elektrode separat gesteuert werden kann (702); und Anlegen mindestens eines elektrischen Testpotenzials an mindestens die mindestens eine zusätzliche Elektrode, um Defekte in der mindestens einen Bauelementzelle zu detektieren (704).

公开(公告)号：DE102004032912A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：DE102004032912

申请日：2004-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  HORN WOLFGANG ,  SCHULZ HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/761 ,  H01L27/06

Abstract: Linked to a connector terminal (K), a first active component zone (ACZ) (21) for a second type of wiring (STOW) starts from one side (101) of a semiconductor body (100) and fits in a first semiconductor zone (11). A second ACZ (41) for the STOW fits with a gap from the first ACZ. A protective structure has a STOW second semiconductor zone (SZ) (31) and a third SZ for a first type of wiring.

公开(公告)号：DE10206133C1

公开(公告)日：2003-09-25

申请号：DE10206133

申请日：2002-02-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  STECHER MATTHIAS

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739

Abstract: A vertical bipolar transistor has a J-FET incorporated in an epitaxial layer. The pinch-off voltage of the J-FET is less than the collector-emitter breakdown voltage of a bipolar transistor without the J-FET. This results in a considerable increase in the collector-emitter breakdown voltage up to 30 V or more being possible without having to except limitations with regard to dielectric strength and on resistivity

公开(公告)号：DE10202479A1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：DE10202479

申请日：2002-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROSMEIER LUDWIG ,  KRISCHKE NORBERT ,  WERNER WOLFGANG ,  NELLE PETER

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06

Abstract: An integrated circuit configuration includes a semiconductor body having a first semiconductor zone of a first conductivity type in a region near a rear side and a second semiconductor zone of the first conductivity type adjoining the first semiconductor zone and doped more weakly than the first semiconductor zone in a region near a front side, a first component region in the body having at least one semiconductor zone of a second conductivity type, a second component region in the body having at least one semiconductor zone of the second conductivity type, and a conversion structure having a semiconductor zone of the second conductivity type and a semiconductor zone of the first conductivity type that are short-circuited and disposed at a distance from the first semiconductor zone between the first and second component regions in the second semiconductor zone.

公开(公告)号：DE102013113540A1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE102013113540

申请日：2013-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (1010) umfasst eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung. Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109). Eine Breite w3 eines Transistormesabereiches (M) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite w1 eines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) erfüllen die folgende Beziehung: w3

公开(公告)号：DE102013015724A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102013015724

申请日：2013-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRASE GABRIELA ,  NELLE PETER ,  SCHINDLER GUENTHER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Die Beschreibung bezieht sich auf Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolation an dem Halbleiterkörper und einem Zellenfeld, welches zumindest teilweise in dem Halbeleiterkörper angeordnet ist. Das Zellenfeld weist zumindest einen p–n Übergang und zumindest eine Kontaktierung auf. Die Isolation ist in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers von einer umlaufenden Diffusionsbarriere begrenzt.

公开(公告)号：DE102013108585A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMUELLER JUERGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) weist einen Hauptkörper (100) mit einem einkristallinen Halbleiterkörper (120) auf. Eine Schichtstruktur (200) grenzt direkt an einen zentralen Bereich (610) einer Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) an und weist eine harte dielektrische Schicht auf, die aus einem ersten dielektrischen Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa erstellt wurde. Eine Entspannungsschicht (300) grenzt gegenüber des Hauptkörpers (100) direkt an die Schichtstruktur (200) an und erstreckt sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus. Das Bereitstellen der Schichtstruktur (200) in einem Abstand zum Rand des Hauptkörpers (100) und das Bedecken der äußeren Oberfläche (201, 203) der Schichtstruktur (200) mit der Entspannungsschicht (300) erhöht die Zuverlässigkeit der Vorrichtung (500).

公开(公告)号：DE102008004682A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：DE102008004682

申请日：2008-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS ACHIM ,  NELLE PETER

IPC: H01L21/761 ,  H01L21/74 ,  H01L29/06

Abstract: The arrangement has a protection structure (20), which exhibits a semiconductor zone (21) doped higher than a base doping of a semiconductor substrate (103) designed as epitaxial layer, where the semiconductor zone extends till under a component zone i.e. drain zone (11), of a metal oxide semiconductor (MOS)-transistor, in a lateral direction. A connecting zone (22) extends from a front side (101) of a semiconductor body (100) to the zone. Another semiconductor zone (24) of a conducting type is arranged in the substrate and is attached at the connecting zone in an electrical conducting manner. The semiconductor zone (21) is distanced to the front side of the semiconductor body.

公开(公告)号：DE19958151B4

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：DE19958151

申请日：1999-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  FISCHER HERMANN ,  WERNER WOLFGANG ,  SCHAEFER HERBERT

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Lateral high voltage semiconductor element comprises a semiconductor substrate (1) of first conductivity with a semiconductor layer (2) of second conductivity having an active zone (3). Semiconductor regions (11, 12) of first and second conductivity are provided on the semiconductor layer by selective multiple epitaxy. An Independent claim is also included for a process for the production of a lateral high voltage semiconductor element, comprising back-etching an insulating layer provided on the edges of the semiconductor regions (11, 12) after selective multiple epitaxy and then carrying out further selective epitaxy to form a connecting layer. Preferred Features: The semiconductor regions have a thickness of 1-100 nm, especially 50 nm.