公开(公告)号：DE102011055127A1

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102011055127

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNOBLOCH KLAUS ,  STRENZ ROBERT

IPC: H01L27/115

Abstract: Eine Transistoranordnung weist einen Schalttransistor und einen Erfasstransistor auf. Der Schalttransistor weist eine Ladungsspeicherstruktur und eine Steuerstruktur auf. Der Erfasstransistor weist eine Ladungsspeicherstruktur, eine Steuerstruktur und eine Auswählstruktur auf. Die Ladungsspeicherstruktur des Schalttransistors ist mit der Ladungsspeicherstruktur des Erfasstransistors elektrisch verbunden. Der Erfasstransistor ist so eingerichtet, dass die Auswählstruktur und die Steuerstruktur des Erfasstransistors unabhängig voneinander elektrisch angesteuert werden können.

公开(公告)号：DE102010037120A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：DE102010037120

申请日：2010-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DICKENSCHEID WOLFGANG ,  POWER JOHN ,  SHUM DANNY PAK-CHUM ,  STRENZ ROBERT

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/8229

公开(公告)号：DE50115645D1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：DE50115645

申请日：2001-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOFMANN FRANZ ,  TEMPEL GEORG ,  STRENZ ROBERT ,  WIESNER ROBERT

IPC: H01L21/8247 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

公开(公告)号：DE10114611A1

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：DE10114611

申请日：2001-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  STRENZ ROBERT ,  BAUMGARTNER PETER ,  HAIBACH PATRICK ,  GEISSLER CHRISTIAN

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/26

公开(公告)号：DE102017119068B4

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102017119068

申请日：2017-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN THOMAS ,  ALLINGER ROBERT ,  STRENZ ROBERT

IPC: G06F12/02

Abstract: Verfahren zum Aktualisieren eines Speichers,- wobei ein Speicher mindestens zwei Blöcke umfasst,- wobei ein Puffer Mehrpegelzellen umfasst und in einem MLC-Modus betrieben werden kann, wobei jede Mehrpegelzelle mehr als ein Bit speichern kann,- wobei das Verfahren für jeden zu aktualisierenden Block die folgenden Schritte umfasst:(a) Kopieren des Inhalts der mindestens zwei Blöcke in den Puffer unter Nutzung der Fähigkeit des Puffers, im MLC-Modus betrieben zu werden;(b) Programmieren der mindestens zwei Blöcke mit einem aktualisierten Inhalt;(c) Auslesen des aktualisierten Inhalts aus den mindestens zwei Blöcken.

公开(公告)号：DE102011055127B4

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE102011055127

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNOBLOCH KLAUS ,  STRENZ ROBERT

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/118

Abstract: Transistoranordnung, aufweisend:einen Schalttransistor (320, 520), der eine Ladungsspeicherstruktur (124) und eine Steuerstruktur (125) aufweist; undeinen Erfasstransistor (340, 540), der eine Ladungsspeicherstruktur (144), eine Steuerstruktur (145) und eine Auswählstruktur (146) aufweist;wobei die Ladungsspeicherstruktur (124) des Schalttransistors (320, 520) mit der Ladungsspeicherstruktur (146) des Erfasstransistors (340, 540) elektrisch verbunden ist;wobei der Erfasstransistor (340, 540) so eingerichtet ist, dass die Auswählstruktur (146) und die Steuerstruktur (145) des Erfasstransistors (340, 540) unabhängig voneinander elektrisch angesteuert werden können; undwobei der Erfasstransistor (340, 540) als Split-Gate-Vorrichtung eingerichtet ist.

公开(公告)号：DE102016100562A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102016100562

申请日：2016-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUKETHAL CHRISTOPH ,  HATZOPOULOS NIKOLAOS ,  KNOBLOCH KLAUS ,  LANGHEINRICH WOLFRAM ,  RÖHRICH MAYK ,  STAHRENBERG KNUT ,  STRENZ ROBERT ,  GRATZ ACHIM ,  TEMPEL GEORG

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleitersubstratanordnung (100) bereitgestellt werden, wobei die Halbleitersubstratanordnung (100) umfassen kann: ein Halbleitersubstrat (102), einen ersten Bereich (103a) bei einem ersten Niveau (104a) und einen zweiten Bereich (103b) neben dem ersten Bereich (103a) auf einem zweiten Niveau (104b) definierend, wobei das erste Niveau (104a) niedriger als das zweite Niveau (104b) ist; mehrere planare nicht-flüchtige Speicherstrukturen (112), über dem Halbleitersubstrat (102) im ersten Bereich (103a) angeordnet; und mehrere planare Transistorstrukturen (114), über dem Halbleitersubstrat (102) im zweiten Bereich (103b) angeordnet.

公开(公告)号：DE102015102767A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102015102767

申请日：2015-02-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNOBLOCH KLAUS ,  STRENZ ROBERT

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: Ein Speicher (402) umfasst eine erste Elektrode (412) und eine zweite Elektrode (414), die in einer ersten Schicht (410) ausgebildet sind, und eine dritte Elektrode (438) und eine vierte Elektrode (440), die in einer zweiten Schicht ausgebildet sind. Der Speicher (402) umfasst ein widerstandschaltendes Speicherelement (426) und ein Antischmelzelement (420). Das widerstandschaltende Speicherelement (426) umfasst eine Metalloxidschicht und ist zwischen der ersten Elektrode (412) und der dritten Elektrode (438) angeordnet. Die Metalloxidschicht hat eine erste Dicke und eine der ersten Dicke entsprechende Formierspannung. Das Antischmelzelement (420) umfasst eine dielektrische Schicht (422) und ist zwischen der zweiten Elektrode (414) und der vierte Elektrode (440) angeordnet. Die dielektrische Schicht (422) hat eine zweite Dicke, die geringer als die erste Dicke ist, und eine dielektrische Durchbruchsspannung, die geringer als die Formierspannung ist.

公开(公告)号：DE102009032037A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：DE102009032037

申请日：2009-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POWER JOHN ,  ROEHRICH MAYK ,  STRENZ ROBERT ,  STIFTINGER MARTIN

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: One or more embodiments, relate to a field effect transistor, comprising: a substrate; a gate stack disposed over the substrate, the gate stack comprising a gate electrode overlying a gate dielectric; and a sidewall spacer may be disposed over the substrate and laterally disposed from the gate stack, the spacer comprising a polysilicon material.

公开(公告)号：DE102008044997A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：DE102008044997

申请日：2008-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANGHEINRICH WOLFRAM ,  ROEHRICH MAYK ,  STRENZ ROBERT ,  WIESNER ROBERT ,  GRATZ ACHIM ,  KERN THOMAS ,  TEMPEL GEORG ,  SHUM DANNY PAK-CHUM

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/14