公开(公告)号：DE102010024864A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：DE102010024864

申请日：2010-06-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  RACZ DAVID ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH DR ,  GROETSCH STEFAN ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/60 ,  H01L23/04 ,  H01L33/52

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Träger (2) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Bonddraht (4), über den der Halbleiterchip (3) elektrisch kontaktiert ist, sowie mindestens einen Abdeckkörper (5), der auf einer Strahlungshauptseite (30) angebracht ist und der den Bonddraht (4) überragt. Zumindest eine reflektierende Vergussmasse (6) umgibt den Halbleiterchip (3) in lateraler Richtung und reicht mindestens bis zu der Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3). Der Bonddraht (4) ist vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) zusammen mit dem Abdeckkörper (5) überdeckt.

公开(公告)号：DE112012004016A5

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE112012004016

申请日：2012-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AHLSTEDT MAGNUS ,  RAMCHEN JOHANN

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102010024862A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：DE102010024862

申请日：2010-06-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  ZITZELSPERGER MICHAEL DR

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100), angegeben, mit – einem Grundkörper (1), der eine Oberseite (11) sowie eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist, wobei der Grundkörper (1) eine erste Anschlussstelle (A1) und eine zweite Anschlussstelle (A2) sowie ein Gehäusematerial (2) aufweist; – zumindest einem optoelektronischen Bauteil (3), das an der Oberseite (12) des Grundkörpers (1) am Grundkörper (1) angeordnet ist; – einem an der Oberseite (11) des Grundkörpers (1) angeordneten Verguss (4), der das optoelektronische Bauteil (3) und den Grundkörper (1) zumindest stellenweise bedeckt; – zumindest einer Öffnung (5), die den Verguss (4) und das Gehäusematerial (2) durchdringt und sich von einer dem Grundkörper (1) abgewandeten Oberseite (41) des Vergusses (4) in Richtung der Unterseite (12) des Grundkörpers (1) erstreckt, wobei, – in der Öffnung (5) zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material (6) angeordnet ist, und – das elektrisch leitende Material (6) sich zumindest stellenweise an der Oberseite (41) des Vergusses (4) erstreckt.

公开(公告)号：DE102009058006A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：DE102009058006

申请日：2009-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  BARCHMANN BERND ,  BERGENEK KRISTER ,  RAMCHEN JOHANN ,  ZITZLSPERGER MICHAEL

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102010064724B4

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102010064724

申请日：2010-06-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  RACZ DAVID ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH DR ,  GRÖTSCH STEFAN ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/60 ,  H01L23/04 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einem Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20),- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an der Trägeroberseite (20) angebracht ist und der eine der Trägeroberseite (20) abgewandte Strahlungshauptseite (30) aufweist,- mindestens einem Bonddraht (4), über den der Halbleiterchip (3) elektrisch kontaktiert ist,- mindestens einem Abdeckkörper (5) auf der Strahlungshauptseite (30), der den Bonddraht (4) in eine Richtung weg von der Trägeroberseite (20) und senkrecht zu der Strahlungshauptseite (30) überragt,- mindestens einer reflektierenden Vergussmasse (6), die den Halbleiterchip (3) in lateraler Richtung umgibt und von der Trägeroberseite (20) her mindestens bis zur Strahlungshauptseite (30) reicht, und- einem Gehäuse (9) mit einer Kavität (90), wobei- der Bonddraht (4) vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) zusammen mit dem Abdeckkörper (5) überdeckt ist,- der Halbleiterchip (3), der Abdeckkörper (5) sowie die reflektierende Vergussmasse (6) an der Trägeroberseite (20) in der Kavität (90) angeordnet sind,- die reflektierende Vergussmasse (6) vom Halbleiterchip (3) bis zu lateralen Begrenzungsflächen (95) der Kavität (90) reicht,- eine der Trägeroberseite (20) abgewandte Vergussoberseite (60), mit einer Toleranz von höchstens 30 µm, bündig mit einer Körperoberseite (50) des Abdeckkörpers (5) verläuft, und- die Vergussmasse (6) einen paraboloiden Reflektor ausbildet, wobei eine Dicke der Vergussmasse (6), mit einer Toleranz von 30 µm in eine Richtung weg von dem Halbleiterchip (3) stetig zunimmt.

公开(公告)号：DE102010026343A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102010026343

申请日：2010-07-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  JEREBIC SIMON ,  SORG JOERG ERICH ,  BRAUNE BERT DR

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Bauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) angegeben, der mit einer Verbindungsschicht (3) auf einem Anschlussträger (4) befestigt ist und in eine Umhüllung (5) eingebettet ist, wobei zwischen der Verbindungsschicht (3) und der Umhüllung (5) zumindest bereichsweise eine Entkopplungsschicht (6) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102010046122A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE102010046122

申请日：2010-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  BRAUNE BERT DR ,  KEITH CHRISTINA DR

IPC: H01L33/56 ,  H01L31/0216 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein elektronisches Bauelement mit einem Gehäusekörper (1) angegeben, der einen Halbleiterchip (3) in einer Vertiefung (10) aufweist, wobei der Halbleiterchip (3) in der Vertiefung in einen Verguss (6) aus einem ersten Kunststoffmaterial mit einer ersten Glasübergangstemperatur eingebettet ist, über der Vertiefung (10) ein Abdeckelement (8) aus einem zweiten Kunststoffmaterial mit einer zweiten Glasübergangstemperatur angeordnet ist und die zweite Glasübergangstemperatur kleiner als die erste Glasübergangstemperatur ist.

公开(公告)号：DE102010039382A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE102010039382

申请日：2010-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  GEBUHR TOBIAS ,  RAMCHEN JOHANN

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: Es handelt sich um ein elektronisches Bauelement (100, 101), insbesondere ein optoelektronisches Bauelement. Das elektronische Bauelement weist ein Substrat (102) auf mit mindestens einem Anschlussbereich (104). Auf dem Substrat ist mindestens ein Halbleiterchip (106, 206) angeordnet. Auf einem auf der vom Substrat (102) abgewandten Oberfläche (108, 208) des Halbleiterchips (106, 206) ist mindestens ein Kontaktbereich (110, 210) angeordnet. Der Anschlussbereich (104) ist mit dem Kontaktbereich (110, 210) über eine Leitungsstruktur (112, 212) elektrisch leitend verbunden. Eine zum Anschlussbereich (104) weisende Seitenfläche (114, 214) des Halbleiterchips (106, 206) ist von einem elektrisch isolierenden Isolationsmaterial (116, 216) bedeckt. Die Leitungsstruktur (112, 212) liegt zumindest Bereichsweise auf dem Isolationsmaterial (116, 216) auf.

公开(公告)号：DE102021116237A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102021116237

申请日：2021-06-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  SORG JOERG ERICH ,  MÜLLER KLAUS ,  MARFELD JAN ,  STRAUSS STEFFEN ,  WALTER JOHANN

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Montagefläche (2), auf der ein elektronischer Halbleiterchip (3) angeordnet ist,- Bereitstellen eines Verbindungselements (7) mit einer ersten Hauptfläche (8),- Aufbringen einer ersten rahmenförmigen Metallisierung (6) auf oder über den Träger (1) und Aufbringen eines ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10) über der ersten Hauptfläche (8) des Verbindungselements (7) oder Aufbringen der ersten rahmenförmigen Metallisierung (6) über der ersten Hauptfläche (8) des Verbindungselements (7) und Aufbringen des ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10) über oder auf den Träger (1), wobei eine Breite (BL) des ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10) kleiner ist als eine Breite (BM) der ersten rahmenförmigen Metallisierung (6),und- Verflüssigen des Lots des ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10), so dass sich eine erste rahmenförmige Lotschicht (16) ausbildet, die den Träger (1) und das Verbindungselement (7) stoffschlüssig miteinander verbindet.Außerdem wird ein elektronisches Bauelement angegeben.

公开(公告)号：DE102010045403A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE102010045403

申请日：2010-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt.