Abstract:
본 발명의 제1 실시예에 따른 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법은, CIGS 박막에 레이저 빔을 조사하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마로부터 발생하는 분광선을 얻는 단계, 상기 CIGS 박막의 특정 원소의 분광선들 중 특성이 유사한 분광선들을 선택하는 단계, 및 상기 선택된 분광선들의 강도를 합한 값을 이용하여 성분 조성을 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
Abstract:
토치에서 플라즈마를 유지하는 장치가 제공된다. 특정 실시예에서, 장치는 전원에 연결되도록 구성되고, 상기 토치의 방사면을 따라 루프 전류를 제공하도록 구성되고 배열된 제 1 전극을 포함한다. 임의의 실시예에서, 상기 토치의 방사면은 상기 토치의 종축에 실질적으로 수직이다. 플라즈마 발생 장치, 전극, 접지 플레이트, 토치
Abstract:
서로에게 떨어져서 위치한 간격 (spacing)을 형성한 적어도 두 개의 유리 시트들을 구비한 유리 유닛의 상기 간격에 포함된 가스 혼합물 내의 가스 성분의 농도를 판별하는 비-침입성 (non-invasive)의 방법이 제공된다. 상기 유리 유닛의 표면에 어떤 각도로 하나 이상의 광 빔 (light beam)들이 인가되며, 이 경우 방사된 광 빔의 파장은 관심대상인 가스 성분의 적어도 하나의 흡수선 (absorption line) 주변에서 또는 그 흡수선을 넘어서 변한다. 상기 간격의 적어도 하나의 표면 또는 반대 측면에 위치한 접촉영역 (interface)을 통한 또는 상기 표면이나 접촉영역으로부터 반사된 상기 광 빔들을 탐지기에 의해서 수집되며 그리고 상기 관심대상 가스 성분의 흡수선에 걸쳐서 상기 전송된 또는 반사된 광 빔들의 강도 (intensity)에서의 비-선형 변이들이 컴포넌트 판별된다. 측정될 상기 가스 성분의 농도는 상기 강도에서의 상기 비-선형 변이들을 기반으로 하여 판별된다.
Abstract:
PURPOSE: A plasma process diagnosing system, a method for detecting an end point in the same, and a device thereof are provided to detect an end point using a light division analyzing method, a concealing Markov model, and a Viterbi algorithm, thereby accurately detecting whether a plasma process is abnormal and accurately detecting a processing state. CONSTITUTION: A chamber(100) receives a holder(102). A layer made of SiO2 is formed on a wafer(104) arranged on the holder. A positive photo resist or a negative photo resist is formed on the layer. A photo resist layer has a fixed pattern. The photo resist layer is formed on the layer. A sensing unit(110) senses light which is generated during a reaction process.
Abstract:
PURPOSE: Device and method for evaluating optical characteristic of an LED and a method of manufacturing an LED device are provided to reduce color dispersion of an LED device emitting a particular color of light including white and realize desired color coordinates easily and effectively. CONSTITUTION: A device(100) for evaluating optical characteristic of an LED emits white light through an optical converting filter(151) in a process of evaluating light emitting from an LED bare package(50) and measures color coordinates of the emitted white light. The LED bare package is formed by die bonding of an LED chip(10) to a package body(20) and by connecting of a chip to the lead frame(not shown) of the body by wire bonding if necessary. The LED bare package is an intermediate product before phosphor bearing resin(including a bag) is coated. The package body comprises a reflective cup and an LED chip can be mounted in the reflective cup.
Abstract:
PURPOSE: An arc detection apparatus is provided to immediately and sensitively check the internal state of a processing chamber, thereby monitoring the abnormality of plasma in the processing chamber in real time. CONSTITUTION: An arc detection apparatus comprises an RGB sensor unit(200), a master board(300), an analog to digital converter(231), a color analysis unit(236) and a comparison unit(237). The RGB sensor unit comprises an RGB module(230) which measures the light generated from plasma in a plasma processing chamber. The master board processes signals outputted from the RGB sensor unit and controls the operation of the processing chamber or displays the processing state to outside. The analog to digital converter changes RGB signals detected by the RGB sensor unit into digital signals. The color analysis unit changes the plasma state into numerically quantized RGB optical data. The comparison unit compares RGB optical data transmitted from the color analysis unit with the RGB optical data obtained from the plasma of steady state.
Abstract:
PURPOSE: An optical apparatus for plasma is provided to measure the spatial distribution of plasma emitted light by regulating the distance between a light receiving lens and a pin-hole. CONSTITUTION: A light receiving lens(110) receives optical emission spectrum from plasma. A first aperture is arranged between the light receiving lens and the plasma to block out-focused light. A second aperture is arranged between the light receiving lens and the phase forming region of the light receiving lens to block in-focused light. A pin-hole is arranged in the phase forming region of the light receiving lens to limit the depth of focus with respect to a target region.
Abstract:
A laser beam with a wavelength capable of pumping atoms of helium in the metastable state is directed to a produced plasma, and atoms in the metastable state are excited. Absorption amount information representing the amount of laser beam absorbed is acquired, and the density of atoms of helium in the metastable state in the plasma is computed from the absorption amount. The emissions of light from helium gas in the plasma caused by transition from two different excited states to the lower level are measured, and the ratio between the intensities of the emissions is determined. The electron temperature of the produced plasma is computed from the computed density of the atoms of helium gas in the metastable state and the computed emission intensity ratio. With this, the plasma electron temperature can be computed with a relatively high accuracy irrespective of the condition of the plasma atmosphere.
Abstract:
본 발명은 분광 분석기를 이용한 파장 선정을 위한 시스템 및 그 방법에 관한 것이다. 파장 선정 시스템은 플라즈마 공정을 처리하는 공정 챔버와, 공정 챔버로부터 플라즈마 공정 시 방출되는 빛의 파장으로부터 플라즈마 내의 화학종의 성분을 분석, 확인하는 분광 분석기와, 공정 챔버로부터 플라즈마 공정 시 챔버 내의 가스에 포함되는 물질들의 질량을 분석하여 성분을 확인하는 질량 분석기 및, 분광 분석기 및 질량 분석기로부터 측정된 데이터를 받아서, 기울기 변동의 일치도가 높은 파장을 선정하는 처리부를 포함한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 공정에서 분석 대상 화학종이 방출하는 여러 개 파장들의 세기 데이터와 질량 분석기에서 확인되는 데이터를 이용하여 기울기 변동의 일치도가 높은 파장을 선정한다. 플라즈마 공정, 분광 분석기, 질량 분석기, 파장 선정