公开(公告)号：KR101936060B1

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：KR1020160184219

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 조주영 ,  박경호 ,  박형호 ,  고유민 ,  박원규

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L29/775

公开(公告)号：KR1020180079601A

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：KR1020160184219

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 조주영 ,  박경호 ,  박형호 ,  고유민 ,  박원규

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L29/775

Abstract: 본발명은반도체소자제작용레이저리프트오프방법에관한것으로서, 레이저에의해제1대상체로부터제2대상체를분리시키는레이저리프트오프방법에있어서, 제1대상체및 제2대상체사이에희생분리층을형성하되, 상기희생분리층은상기제1대상체및 제2대상체의밴드갭보다상대적으로작은밴드갭을가지는것을특징으로하는반도체소자제작용레이저리프트오프방법및 그에의해제조된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해종래의지지기판으로부터질화물계반도체층을분리하는공정을개선하여, 분리를원하는영역에희생분리층을도입하여분리하고자하는대상의제한이없도록한 것이다.

公开(公告)号：KR101857647B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020160095040

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  정해용 ,  조주영 ,  최재원 ,  정상현 ,  최영수 ,  강성민 ,  최원명 ,  조영대 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/033

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.

公开(公告)号：KR101808683B1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：KR1020160133590

申请日：2016-10-14

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 고유민 ,  박경호 ,  박형호 ,  조주영

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/333 ,  H01L29/778 ,  H01L21/66

Abstract: 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서는, 순차적으로적층되는오믹전극패턴, 베리어층과채널층을포함하는센싱구조물; 센싱구조물아래에서센싱구조물에전기적으로접속되는입출력회로구조물; 및센싱구조물상에서채널층의전면을덮어외부의유체(=가스또는액체)와반응하는감지막을포함하고, 센싱구조물은감지막과함께고 전자이동도트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 구조를이루고, 채널층과감지막은채널층의질소(N)-면(face)을통해서로접촉하는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서의제조방법도계속하여개시된다.

Abstract translation: 根据本发明的高灵敏度传感器包括：感测结构，包括顺序堆叠的欧姆电极图案，阻挡层和沟道层; 输入/输出电路结构，电性连接于感测结构下方的感测结构; 并且感测膜覆盖感测结构上的沟道层的整个表面并与外部流体（=气体或液体）反应，并且感测结构与感测膜一起形成高电子迁移率晶体管（HEMT）结构 并且沟道层和传感膜通过沟道层的氮（N）表面相互接触。 此外，还公开了通过增加根据本发明的传感膜的面积来制造高灵敏度传感器的方法。

公开(公告)号：KR1020150079272A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130169387

申请日：2013-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김동현 ,  고유민 ,  성호근 ,  윤홍민 ,  김창환 ,  박덕수

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76801

Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로서,기판상에화합물반도체층이형성되는반도체소자의제조방법에있어서, 상기반도체소자에트렌치구조를형성하기위해패터닝된마스크를준비하는제1단계와, 상기화합물반도체층을상기패터닝된마스크를이용하여기판/화합물반도체층의계면까지에칭하여상기기판의표면이노출되도록하는제2단계와, 상기노출된기판을기판영역에서측면식각을이용하여상기기판/화합물반도체층의계면에서일정깊이로식각된 "凸" 형상의트렌치구조를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트렌치구조를가진반도체소자의제조방법및 그에의한반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해기판에트렌치구조를형성하여기판/화합물반도체층의계면에서일정깊이까지기판영역이제거된트렌치구조에의해기생경로를분리시킴으로반도체소자의항복전압을개선하는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件。 在其中在基板上形成化合物半导体层的半导体器件的制造方法中，技术要点是半导体器件和半导体器件的制造方法。 半导体器件的制造方法包括：制备图案化掩模以在半导体器件上形成沟槽结构的第一步骤; 通过蚀刻化合物半导体层直到基板/化合物半导体层的界面通过使用图案化掩模形成来暴露基板的表面的第二步骤; 以及第三步骤，通过在暴露的基板的基板区域中使用侧蚀刻和半导体器件，形成在基板/化合物半导体层的界面上以恒定深度蚀刻的沟槽结构。 可以通过在衬底上形成沟槽结构并通过沟槽结构分离寄生通路来改善半导体器件的击穿电压，其中去除衬底区域直到在衬底/化合物半导体层的界面处达到恒定的深度。

公开(公告)号：KR101523991B1

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：KR1020140025965

申请日：2014-03-05

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  김종민 ,  고유민

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/768

Abstract: 본발명의일 측면에따르면, 단결정인기판; 상기기판에증착되고상기기판의일부영역을노출시키는패턴이형성된유전체층; 상기기판의노출된영역상에증착된버퍼층;및상기버퍼층위에증착되고밴드갭이서로다른물질층이접합된 2DEG층(2차원전자가스층; 2Demensional Electron Gas Layer 이하 2DEG층)을포함하는소자층을포함하는것을특징으로하는질화물계전력반도체소자를제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, 기설정된폭과길이의영역에수직으로이종반도체를성장시킴으로써, 결함이생기지않은소자를제작하는효과가있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面，氮化物系功率半导体器件包括单晶衬底; 介电层，其沉积在基板上并具有使基板的一部分露出的图案; 沉积在衬底的暴露区域上的缓冲层; 以及包括二维电子气体层（2DEG层）的器件层，其沉积在缓冲层上并与不同的材料层接合。 根据这样的本发明，在具有预定宽度和长度的区域中垂直生长非均匀半导体。 因此，可以制造没有缺陷的装置。