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公开(公告)号：KR1020110053707A
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020090110359
申请日：2009-11-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode using a metal protection layer is provided to reduce the number of processes by forming an n-ohmic metal layer and a protection layer made of the same materials. CONSTITUTION: A photoresist pattern(260) is formed on an n type nitride semiconductor(240) to expose the part on which an n-ohmic metal layer is formed. A metal protection layer(250) is formed on the n type nitride semiconductor to cover the photoresist pattern and the n type nitride semiconductor. The surface of the n type nitride semiconductor is partially exposed by removing the photoresist pattern and a metal protection layer formed on the photoresist pattern. The surface of the n type nitride semiconductor is roughened by processing the exposed surface of the n type nitride semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种使用金属保护层制造发光二极管的方法，以通过形成由相同材料制成的n欧姆金属层和保护层来减少工艺数量。 构成：在n型氮化物半导体（240）上形成光致抗蚀剂图案（260）以暴露其上形成有n-欧姆金属层的部分。 在n型氮化物半导体上形成金属保护层（250）以覆盖光致抗蚀剂图案和n型氮化物半导体。 通过去除光致抗蚀剂图案和形成在光致抗蚀剂图案上的金属保护层，n型氮化物半导体的表面部分露出。 通过处理n型氮化物半导体的露出表面，使n型氮化物半导体的表面粗糙化。
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公开(公告)号：KR101749511B1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020160041683
申请日：2016-04-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61B5/0478 , A61B5/04 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00 , A61B5/04 , A61B5/0478 , A61B5/0006 , A61B5/04004 , A61B2562/166
Abstract: 박막형유연기재; 상기박막형유연기재상에형성된전도성물질, 접지전극, 기록전극및 상호접속패드; 제1 커넥터또는제1 무선통신모듈; 및제1 PCB 기판을포함하며, 상기접지전극과상기기록전극은상기전도성물질을통해상기상호접속패드에연결되고, 상기상호접속패드는상기제1 PCB 기판의일면에고정되어상기제1 커넥터또는제1 무선통신모듈과연결되는, EEG 측정용다채널미세전극이제공된다. 본발명에따르면, 마이크로미터수준두께의박막형유연기재로만들어진미세전극을탈착의염려없이커넥터에연결할수 있어, 피검체의움직임에구애받지않고안정적으로 EEG를측정할수 있다.
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23.发明公开전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터 有权使用自控MOS2单层的电镀方法和晶体管自控MOS2单层的合成方法
公开(公告)号：KR1020150078876A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168674
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은단일층이황화몰리브덴합성방법에관한것으로서, 전기도금공정을이용하여음극에자기제어이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을증착시키는제1단계와, 상기자기제어이황화몰리브덴단일층의증착후 상기자기제어이황화몰리브덴단일층을결정화하는제2단계를포함하여구성된것을특징으로하는전기도금공정을이용한자기제어이황화몰리브덴단일층의합성방법및 이에의해제조된자기제어이황화몰리브덴단일층을이용한트랜지스터를기술적요지로한다. 이에의해기존의단일층(single layer) 형성방법이아닌전기도금공정에의해자기제어방식으로이황화몰리브덴단일층이합성되도록하여, 저비용으로이황화몰리브덴단일층을용이하게구현할수 있으며, 균일도가개선되어대면적, 고품질의이황화몰리브덴단일층을제공할수 있으며, 트랜지스터재료에적용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及合成自控MoS2单层的方法。 该方法包括通过使用电镀工艺在阴极上沉积自我控制的MoS2单层的第一步骤; 以及在自控MoS2单层沉积之后使自我控制的MoS2单层结晶的第二步骤。 本发明的技术要点是通过使用电镀工艺合成自控MoS2单层的方法和使用由其制造的自我控制的MoS2单层的晶体管。 因此，MoS2单层通过电镀工艺的自控方法而不是现有的单层形成方法合成，因此容易以低成本形成MoS2单层，大而高质量的MoS2单层为 具有改进的等同性，并且MoS2单层能够应用于晶体管材料。
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公开(公告)号：KR1020150077843A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166728
申请日：2013-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L23/48 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/308 , H01L21/4867 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의해제조된비아홀이형성된반도체소자에관한것으로서, 특히반도체소자의비아홀 제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판의상면및 하면각각에비아홀 형성을위한패턴을형성하는제2단계와, 상기기판의상측과하측에서식각공정을수행하여, 상기패턴에대응되는기판의상면과하면이관통하는비아홀을형성하는제3단계와, 상기비아홀에전도성페이스트를충진하여비아홀 콘택을형성하는제4단계를포함하여이루어진것을특징으로하는비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의한비아홀이형성된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해비아홀에전도성페이스트를충진하는방법으로비아홀 콘택을형성함으로써, 전도성페이스트와기판사이의우수한접착력을얻을수 있어, 비아홀에서발생하는노이즈를줄여전기적접속및 반도체소자의테스트시오류를최소화하는비아홀의신뢰성을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于形成通孔接触的通孔的方法和由其制造的具有通孔的半导体器件。 特别是在制造半导体装置的通孔的方法中，本发明公开了一种用于形成通孔接触的通孔的制造方法和由此制造的具有通孔的半导体装置。 该方法包括：制备衬底的第一步骤; 在基板的上表面和下表面上分别形成用于形成通孔的图案的第二步骤; 在基板的上侧和下侧进行蚀刻处理以形成穿过与图案对应的基板的上表面和下表面的通孔的第三步骤; 以及通过用导电浆填充通孔来形成通孔接触的第四步骤。 因此，本发明可以通过用导电膏填充通孔的方法形成通孔接触来获得导电糊和基片之间的极好的粘合性，并且通过减少产生的噪声来最小化测试电连接和半导体器件的误差 在通孔中，从而提高通孔的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020150074321A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用激光剥离工艺和双重转移制造半导体元件的方法，包括：在衬底上形成半导体层的步骤; 通过激光剥离工艺将半导体层转移到第一柔性膜的第一转移步骤; 以及将半导体层从第一柔性膜转移到第二柔性膜的第二转移步骤。 根据该结构，本发明可以使半导体层分离，使得在暴露于外部的半导体层生长时具有已经看到的表面。
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公开(公告)号：KR1020150046912A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/308 , H01L33/22 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을상기나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을경화하여레진패턴층또는금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기나노임프린트용스탬프를상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造高功率红色发光二极管的方法，包括：在薄膜的上层上形成介电掩模层的步骤; 在介电掩模的上层形成聚合物层的步骤; 在聚合物层的上层形成紫外线固化性树脂层或感光性金属有机前体层的工序; 通过用光照射固化紫外线固化树脂层或感光金属 - 有机前体层来形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层的步骤，加热方法或光辐射和加热方法的混合方法; 从树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层去除纳米压印印模的步骤; 通过使用树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层，聚合物层和介电掩模层作为干蚀刻掩模来干蚀刻薄膜的步骤; 去除残留电介质掩模层的步骤; 以及通过剥离处理在去除的电介质掩模层区域的一部分上形成电极图案的步骤。 本发明在制造红色发光二极管时，使用纳米压印加工和干法蚀刻在薄膜表面上形成大的均匀的表面凹凸，并引起纳米粗糙化，从而提供具有提高的光提取效率的发光二极管。
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27.发明授权정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체 有权金属纳米颗粒与对称金属氧化物纳米结构和混合纳米结构的混合纳米结构的制备方法
公开(公告)号：KR101477038B1
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130159283
申请日：2013-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.
Abstract translation: 本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构，更具体地说，涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法，其包括：第一步骤， 有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。 本发明是经济的，因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺（诸如压印法，水热合成法，光分解反应等）来制造。
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公开(公告)号：KR1020130070962A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: An electric component having a metal diffusion prevention graphene layer and a manufacturing method there of form a graphene layer between a bonding layer and a metal layer, increasing reproducibility. CONSTITUTION: A metal layer (203) comprises single metal or alloy. A graphene layer (202) is formed on the lower side of the metal. The thickness of the graphene layer is 0.2nm to 1.5μm. A bonding layer (201) is formed one the lower side of the graphene. The bonding layer is formed with one or more of single metal film, alloy film, oxide film, organic layer or inorganic film.
Abstract translation: 目的：具有金属扩散防止石墨烯层的电气部件及其制造方法，其在接合层和金属层之间形成石墨烯层，提高再现性。 构成：金属层（203）包括单一金属或合金。 石墨烯层（202）形成在金属的下侧。 石墨烯层的厚度为0.2nm至1.5μm。 在石墨烯的下侧形成有接合层（201）。 接合层由单金属膜，合金膜，氧化膜，有机层或无机膜中的一种以上形成。
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公开(公告)号：KR101205831B1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020100110818
申请日：2010-11-09
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 소자의 휘도를 떨어뜨리지 않는 전류저지층을 갖는 수직 구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판; Al, Cr, Ti 및 V으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고반사성 금속을 이용해 상기 도전성 기판 상에 형성된 전류저지층; 상기 전류저지층 양측에 형성된 복수의 p형 전극; 상기 p형 전극과 상기 전류저지층 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120049523A
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020100110818
申请日：2010-11-09
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0008 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve current spreading by using a highly reflective metal as a current blocking layer. CONSTITUTION: A current blocking layer(133) is formed on a conductive board by using a highly reflective metal. The highly reflective metal is selected from a group consisting of Al(Aluminum), Cr(Chromium), Ti(Titanium), and V(Vanadium). A plurality of P-electrode(132) is formed on both sides of the current blocking layer. A p-type semiconductor layer(125), an active layer, and an n-type semiconductor layer(115) are successively laminated on P-electrode and the current blocking layer. An N-electrode(145) is formed on the n-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过使用高反射金属作为电流阻挡层来改善电流扩散。 构成：通过使用高反射金属在导电板上形成电流阻挡层（133）。 高反射性金属选自Al（Aluminium），Cr（Chromium），Ti（Titanium）和V（钒）。 多个P电极（132）形成在电流阻挡层的两侧。 P型半导体层（125），有源层和n型半导体层（115）依次层叠在P电极和电流阻挡层上。 在n型半导体层上形成有N电极（145）。
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