一种三维石英敏感结构金属化加工方法

    公开(公告)号:CN102110771A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN201010539409.2

    申请日:2010-11-10

    Abstract: 本发明属于加工方法,具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法,其特征在于,包括下述步骤:步骤1:加工表面电极;步骤2:加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是:(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工;(2)表面电极尺寸精度高,可以控制在±1μm以内,同时与其它工艺兼容性好且易于加工;(3)可应用于石英微器件的批量生产中;(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。

    用于MEMS器件的敏感结构贴片系统及方法

    公开(公告)号:CN110482483B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN201910724030.X

    申请日:2019-08-07

    Abstract: 本发明提供了一种用于MEMS器件的敏感结构贴片系统及方法,该系统包括管壳定位装置、撞针式点胶装置、自动贴片装置和配重单元,管壳定位装置用于定位安装MEMS器件的管壳,撞针式点胶装置用于向MEMS器件的管壳施加设定量的贴片胶,自动贴片装置包括敏感结构拾取单元、图像采集单元和控制单元,图像采集单元用于采集敏感结构的图片,控制单元根据敏感结构的图片控制敏感结构拾取单元拾取敏感结构并将敏感结构放置在管壳设定位置,配重单元用于向放置在管壳上的敏感结构施加设定压力以实现敏感结构与管壳的紧密贴合。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中敏感结构贴片精度差、效率低及点胶胶量一致性差的技术问题。

    背面套刻误差测量方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110986765A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911226915.3

    申请日:2019-12-04

    Abstract: 本发明涉及误差测量技术领域,公开了一种背面套刻误差测量方法。其中,该方法包括:通过光刻图形化得到正面对准标记和背面对准标记;对正面对准标记和背面对准标记进行图像采集,得到正面对准标记图像和背面对准标记图像;对正面对准标记图像和背面对准标记图像进行图像处理,得到正面对准标记突出显示的第一图像和背面对准标记突出显示的第二图像;对第一图像和第二图像进行合并处理,得到正面对准标记和背面对准标记合并的新图像;基于新图像中的正面水平测量游标和背面水平测量游标确定背面套刻的水平误差,基于新图像中的正面竖直测量游标和背面竖直测量游标确定背面套刻的竖直误差。由此无需使用额外标尺就可准确测量出背面套刻的实际误差。

    一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法

    公开(公告)号:CN102010135A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN201010540144.8

    申请日:2010-11-11

    Abstract: 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法,特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤:a.清洗步骤:首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡,再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤:(1)对基片表面Ar离子轰击,(2)在温度100~220℃、溅射气压0.3~0.gPa、溅射功率1.9~2.5Kw条件下,使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜;(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜,形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀,提高掩膜的附着力,并有效去除了应力。

Patent Agency Ranking