公开(公告)号：KR1019940017973A

公开(公告)日：1994-07-27

申请号：KR1019930029478

申请日：1993-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/304

Abstract: IPA증기를 웨이퍼에 접속시켜, 웨이퍼로부터 부착액을 제거하는 기판 건조장치로서, IPA를 저류하는 조와, 이 조내의 IPA를 공급하는 공급기구와, 조내의 IPA를 배출하는 배출기구와, 조내의 IPA내의 웨이퍼를 침적시키는 승강보트와, 조의 외부바닥면에 접촉가능하게 설치되고, 열 전달에 의하여, 조내의 IPA를 가열하는 가열블록과, IPA와 냉각수와의 사이에서 열교환하도록 조내의 설치되고, 배출되기 위한 IPA를 냉각수에 의하여 냉각하는 순행시스템을 가진다.

公开(公告)号：KR101568450B1

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020110063061

申请日：2011-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본발명은피처리기판의건조에이용되는고온고압유체의소비량이적은기판처리장치등을제공하는과제로한다. 제1 원료수용부(41)에서는가열기구(42)에의해액체상태의원료를고온고압유체상태로하고, 원료공급로(411)의공급용밸브(412)를열어처리용기(31)에그 고온고압유체를공급하여, 이고온고압유체에의한피처리기판(W)의건조를실행한다. 제2 원료수용부(41)는제2 냉각기구(43a, 43b)에의해상기원료의응축온도이하로냉각됨으로써, 회수용밸브(412)를열어, 원료회수로처리용기(31) 내의고온고압유체를그 제2 원료수용부(41)에회수한다. 회수된원료는제1 원료수용부(41)로부터처리용기(31)에공급되는원료로서재이용된다.

公开(公告)号：KR1020150050455A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020140148291

申请日：2014-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미무라후미히로 ,  사토히데아키 ,  가미카와유지 ,  하라히로미 ,  햐쿠타케히로노부 ,  히라야마츠카사 ,  다카하시슈우헤이

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67075

Abstract: 본발명은, 에칭액의양을적게억제하는것을목적으로한다. 에칭방법은, 에칭처리부내에에칭액을충전하는초기준비공정과, 피처리체에에칭을행하는에칭공정을구비하고있다. 초기준비공정은, 고 Si 농도의신규에칭액을이용한액 공급공정을포함하고, 에칭공정은저 Si 농도의신규에칭액을이용한부분액교환공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的是减少蚀刻溶液的量。 蚀刻方法包括用于在蚀刻处理单元中重新填充蚀刻溶液的初始制备工艺和用于对目标物体进行蚀刻的蚀刻工艺。 初始制备方法包括使用具有高浓度Si的新的蚀刻溶液的溶液提供方法。 蚀刻工艺包括使用具有低浓度Si的新的蚀刻溶液的部分溶液交换过程。

公开(公告)号：KR101275965B1

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：KR1020080069152

申请日：2008-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미데루오미 ,  이토노리히로 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: 본 발명은 피처리 기판을 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 경우에도, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.
액처리 장치(1)는, 케이싱(5)과, 웨이퍼(피처리 기판)(W)를 유지하는 기판 유지 기구(20)와, 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구(30)와, 처리액을 받는 배액컵(12)과, 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관(13)을 구비하고 있다. 처리액 공급 기구(30)는, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 기구와, 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 기구를 가지고 있다. 제어부(50)는, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시킨 후, 건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키고, 또한, 건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키기 전에, 세정 기구(10)에 의해 케이싱(5) 내의 알칼리 성분을 제거시킨다.

公开(公告)号：KR101124049B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020077025994

申请日：2006-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고우키치 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  신도나오키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.

Abstract translation: 本发明是用于清洁和干燥基板的基板处理装置，例如一个半导体晶片，并通过浸渍在存储净的基板进行处理的液处理单元，干燥部，其得出的液体处理部的顶部干燥所述基材，所述液体处理和干燥 和处理部分之间的基板传送的基板传送装置，其中包括水蒸汽或雾和蒸气或纯流体供应的挥发性有机溶剂的雾的混合流体被供给到干燥部的装置和用于控制流体混合物的供给的控制部 它包括。

公开(公告)号：KR1020070111973A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020070039728

申请日：2007-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베츠카사 ,  신도나오키 ,  히로시로고우키치 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67051

Abstract: A substrate cleaning method, a substrate cleaning apparatus and a program storage medium are provided to remove particles adhering to a substrate to be cleaned by immersing the substrate in a cleaning liquid and generating ultrasonic waves in the cleaning liquid. A substrate is immersed in a cleaning liquid in a cleaning tank(12). Ultrasonic waves are applied to the cleaning liquid contained in the cleaning tank while the cleaning liquid is being supplied into the cleaning tank, wherein a region in the cleaning tank toward which the cleaning liquid is supplied is varied with respect to a vertical level in the step of applying ultrasonic waves in the cleaning liquid while the cleaning liquid is being supplied into the cleaning tank.

Abstract translation: 提供基板清洗方法，基板清洁装置和程序存储介质，以通过将基板浸入清洗液中并在清洗液中产生超声波来去除附着在待清洁基板上的颗粒。 将基板浸入清洗槽（12）中的清洗液中。 当清洁液被供给到清洗槽中时，将超声波施加到清洗槽中所含的清洗液体，其中，清洗槽中供应清洗液体的区域相对于步骤 当清洗液被供给到清洗槽中时，在清洗液中施加超声波。

公开(公告)号：KR100626959B1

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1019980019186

申请日：1998-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다니야마히로키 ,  가미카와유지 ,  쓰루사키고타로

IPC: H01L21/304

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
세정건조 처리장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
워터마크가 생기는 일없이, 높은 스루풋으로 기판의 표면을 세정하여 린스하여 건조할 수가 있는 소형이며 간단한 구조의 세정건조처리장치 및 세정건조처리방법을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
세정건조처리장치는, 피처리면이 위를 향하도록 기판을 유지하고, 이것을 회전시키는 스핀척(10)과, 이 스핀척에 의해 회전되는 기판의 피처리면에 대하여 복수종류의 프로세스유체중부터 1종 또는 2종이상을 선택적으로 공급하는 프로세스유체공급기구(30)와, 상기 프로세스유체공급기구는, 실온대기압의 조건하에서 액체의 상태에 있는 프로세스유체를 토출하기위한 토출구(40,41)를 갖는 제1노즐과, 실온대기압의 조건하에서 기체의 상태인 프로세스유체를 토출하기 위한 토출구(42,44)를 가지는 제2 노즐을 갖는 것과, 상기 스핀척에 유지된 기판의 위쪽에 상기 제1 및 제2 노즐을 동시에 이동시키는 이동기구(51)과, 상기 프로세스유체공급기구 및 상기 이동기구의 동작을 각각 제어하는 제어기(60)를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD 용 유리기판같은 기판의 표면을 약액세정하고 린스하여, 건조시키는 세정건조처리장치및 세정건조처리방법에 사용됨.

公开(公告)号：KR1020070006602A

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：KR1020060063794

申请日：2006-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지 ,  고바야시가쯔히코 ,  구로다노부타카 ,  나카시마미키오 ,  츠다오사무

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  Y10S134/902

Abstract: A vapor dry method is provided to efficiently use inert gas while shortening an interval of dry time and improving dry capabilities by supplying more inert gas in a second dry process than that in a first dry process to the inside of a process chamber and by removing a solvent attached to a processed object. Inert gas from an inert gas supplying pipe and a solvent from a solvent supply pipe are mixed by a mixture liquid generating unit to generate mixture liquid. The mixture liquid is heated by a liquid heating unit to generate vapor. The generated vapor is supplied to the inside of a process chamber to dry a processed object. Inert gas is heated by a gas heating unit. The heated inert gas is supplied to the inside of the process chamber to dry the processed object. While the quantity of inert gas in the first dry process and the quantity of inert gas in the second dry process are set differently, the quantity of inert gas in the second dry process is increased with respect to the first dry process. In the second dry process, inert gas is supplied to the inside of the process chamber through a branch pipe(25) connected to a primary side of the mixture liquid generating unit.

Abstract translation: 提供蒸气干燥方法以有效地使用惰性气体，同时缩短干燥时间间隔并通过在第二干法中向处理室内部提供比在第一干法中更多的惰性气体来提高干性能，并且通过除去 溶剂附着在加工对象上。 来自惰性气体供给管的惰性气体和来自溶剂供给管的溶剂通过混合液体发生单元混合以产生混合液体。 混合液体被液体加热单元加热以产生蒸气。 所产生的蒸汽被供应到处理室的内部以干燥被处理物体。 惰性气体被气体加热装置加热。 将加热的惰性气体供应到处理室的内部以干燥被处理物体。 虽然第一干法中的惰性气体量和第二干法中的惰性气体量设定不同，但是相对于第一干法，第二干法中的惰性气体量增加。 在第二干法中，通过连接到混合液产生单元的初级侧的分支管（25）将惰性气体供应到处理室的内部。

公开(公告)号：KR100516792B1

公开(公告)日：2005-09-26

申请号：KR1020000022443

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고하마교지 ,  심보에이지 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/02 ,  B08B3/102 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 이 처리장치는, 반도체웨이퍼(W)를 유지하는 회전가능한 회전자(21)와, 회전자(21)를 회전구동하는 모터(22)와, 회전자(21)에 유지된 반도체웨이퍼(W)를 포위가능한 복수의 처리실, 예컨대 내측챔버(23) 및 외측챔버(24)와, 반도체웨이퍼(W)에 대하여 처리유체를 공급하는 처리유체공급수단으로서의 약물공급수단(50), IPA 공급수단(60), 린스액공급수단(70) 및 건조유체공급수단(80)으로 주요부를 구성하고, 다른 종류의 처리유체의 반응에 의한 피처리체의 오염방지, 처리효율의 향상, 장치의 소형화를 도모한다.

公开(公告)号：KR100433330B1

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：KR1019960044985

申请日：1996-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가미카와유지 ,  신도나오키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  Y10S134/902

Abstract: The substrate cleaning method for performing cleaning processing on a plurality of substrates disposed such that front surfaces (Wa) of the substrates on which a circuit pattern is to be formed extend substantially in a vertical direction. This method comprises a step (a) of picking up substrates contained in a cassette (C), all together, from the cassette (C), a step (b) of making front surfaces (Wa) of adjacent substrates face each other without bringing the front surfaces (Wa) into contact with each other, while making back surfaces (Wb) of adjacent substrates face each other without bringing the back surfaces (Wb) into contact with each other, the front surfaces (Wa) of the adjacent substrates being situated with a pitch interval L1 interposed therebetween, and the pitch interval being set to be larger than a pitch interval L2 interposed between the back surfaces (Wb) of the adjacent substrates, a step (c) of dipping the plurality of substrates thus disposed, all together, into a chemical solution, and a step (d) of making the chemical solution flow between the front surfaces (Wa) of adjacent substrates of the plurality of substrates, facing each other, and between the back surfaces (Wb) of adjacent substrates of the plurality of substrates, facing each other.

Abstract translation: 该基板清洁方法用于对多个基板进行清洁处理，该多个基板设置成使得其上将形成电路图案的基板的前表面（Wa）基本上在垂直方向上延伸。 该方法包括从盒子（C）一起拾取盒子（C）中容纳的基底的步骤（a），使相邻基底的前表面（Wa）彼此面对的步骤（b） 在使相邻基板的背面（Wb）彼此面对而不使背面（Wb）彼此接触的同时，使正面（Wa）彼此接触，相邻基板的正面（Wa）为 以夹着间距L1的方式配置，间距设定得比相邻基板的背面（Wb）之间的间距L2大，将配置的多个基板浸渍的工序（c） （化合物溶液），以及使化学溶液在多个基板的相邻基板的前表面（Wa）彼此面对并在相邻的后表面（Wb）之间流动的步骤（d） 的底物 多个基板，彼此面对。 ＆lt;图像＆GT;