公开(公告)号：KR1020060103217A

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：KR1020060026833

申请日：2006-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠오카테츠오 ,  키타노타카히로 ,  마츠오카노부아키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B5/04 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 가열장치· 도포· 현상장치 및 가열방법에 관한 것으로서 기판을 재치하는 열판과 이 기판과 대향하는 천정판이 상기 열판과 천정판의 사이에 가스를 토출하는 가스 토출부와 ; 상기 열판을 끼워서 가스 토출부와 대향하여 설치된 배기부와 ; 기판의 제 1의 영역 제 2의 영역을 구비하도록 가열 장치를 구성한다. 한방향 흐름이 형성되고 제 1의 영역과 제 2의 영역을 다른 온도로 가열하는 것으로 면내 균일성이 높은 가열처리가 행해진다. 이 가열장치에 있어서 상기 가스가 일정 온도로 가열되고 또한 상기 열판상에 일정한 높이의 돌기부가 구비됨으로써 기판의 휘어짐에 의한 위치 차이를 방지하고 또한 기판의 냉각을 방지할 수 있기 때문에 면내 균일성이 높은 가열 처리를 실시할 수 있는 파티클이 기판으로의 부착이 억제되고 기판의 휘어짐에 의한 열판으로의 접촉을 억제할 수 있고 또한 면내 균일성이 높은 가열처리의 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020030025199A

公开(公告)日：2003-03-28

申请号：KR1020020056797

申请日：2002-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  하마마나부 ,  스기모토신이치 ,  히라카와나오야

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05D3/0493

Abstract: PURPOSE: A reduced-pressure drying unit is provided to improve uniformity of a film thickness by preventing a rounded shape or an accumulated portion of a coating solution at a peripheral region of a substrate and by making a coating film uniform in thickness. CONSTITUTION: A mount(41) for mounting a substrate coated with a coating solution made by mixing a component of the coating film and a solvent is installed in a hermetic container(4). A vacuum exhauster is connected to the hermetic container through an exhaust passage for reducing a pressure in the hermetic container to vaporize the solvent from the coating solution on the substrate. A current member is provided to face a front face of the substrate mounted on the mount. A current member raising and lowering mechanism(53) raises and lowers the current member. When the current member is raised and lowered to change in height position while the pressure inside the hermetic container is reduced to vaporize the solvent from the coating solution on the substrate, a liquid flow of the coating solution on the substrate is controlled, so that the film thickness of a film of the coating solution is controlled.

Abstract translation: 目的：提供一种减压干燥装置，通过防止在基板的周边区域的涂布液的圆形或累积部分，并使涂膜的厚度均匀化来提高膜厚的均匀性。 构成：用于安装涂覆有通过混合涂膜的组分和溶剂制成的涂布溶液的基材的安装座（41）安装在密封容器（4）中。 真空排气器通过排气通道连接到密封容器，用于减小密封容器中的压力，使溶剂从基材上的涂布溶液蒸发。 设置当前构件以面对安装在安装件上的基板的前表面。 当前构件升降机构（53）升高并降低当前构件。 当当前构件升高和降低以改变高度位置，同时减少密封容器内的压力以使溶剂从衬底上的涂布溶液蒸发时，控制衬底上的涂布液的液体流动，使得 控制涂布液的膜的膜厚。

公开(公告)号：KR1020020081117A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020020020703

申请日：2002-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  스기모토신이치 ,  코바야시신지 ,  히라카와나오야 ,  후쿠토미아키라 ,  이시자카노부카즈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/0486 ,  G03F7/162

Abstract: PURPOSE: A method and system for processing substrate are provided to secure interface uniformity in the film thickness of an application film, even if the application processing of a wafer is performed by using the application liquid of high viscosity by the point which is the so-called 'one- stroke' writing. CONSTITUTION: A method and system for processing substrate comprises coating a coating solution on a surface of the substrate(w) while relatively moving a coating solution discharge nozzle and the substrate and discharging the coating solution onto the substrate from the coating solution discharge nozzle, exposing the substrate to a solvent atmosphere of the coating solution after the step of coating, and reducing pressure inside a container in which the substrate is housed after the step of exposing.

Abstract translation: 目的：提供用于处理基板的方法和系统，以确保涂膜的膜厚度的界面均匀性，即使通过使用高粘度的涂布液进行晶片的涂布处理， 称为“中风”写作。 构成：用于处理基材的方法和系统包括在使涂布液排出喷嘴和基材相对移动并将涂布溶液从涂布液排出喷嘴排出到基板上的同时，在基材表面上涂布涂布液（w） 在涂布步骤之后，将基底涂布到涂布溶液的溶剂气氛中，并且在曝光步骤之后降低其中容纳基材的容器内的压力。

公开(公告)号：KR1020010095006A

公开(公告)日：2001-11-03

申请号：KR1020010015486

申请日：2001-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  마츠야마유지 ,  키타노준이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D1/005 ,  B05D3/02 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021

Abstract: PURPOSE: To provide a coating apparatus capable of forming a coating film uniform in thickness on a wafer W. CONSTITUTION: A spinning chuck 52 on which the wafer W is placed is divided into a plurality of regions H1-H4 concentrically circular in a radial direction and the respective regions are set to different temperatures so that temperature gradually rises from the outer peripheral part of the chuck to the central part thereof. The wafer W is placed on the spinning chuck 52 and a treatment liquid is applied to the wafer to be spread by centrifugal force not only to suppress the evaporation of the solvent of the treatment liquid spread to the outer peripheral part of the wafer but also to uniformize the drying timing of the treatment liquid within the plane of the wafer. Therefore, a coating film uniform in thickness within the plane of the wafer can be obtained.

Abstract translation: 目的：提供能够在晶片W上形成厚度均匀的涂膜的涂布装置。构成：将放置有晶片W的旋转卡盘52分割为沿径向同向圆形的多个区域H1-H4 并且将各个区域设定为不同的温度，使得温度从卡盘的外周部分逐渐升高到其中心部分。 将晶片W放置在旋转卡盘52上，并且通过离心力将处理液施加到晶片上，不仅可以抑制扩散到晶片的外周部分的处理液的溶剂的蒸发，而且还可以 使晶片平面内的处理液的干燥时间均匀化。 因此，可以获得在晶片平面内厚度均匀的涂膜。

公开(公告)号：KR1020010067387A

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1020000077532

申请日：2000-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  모리카와마사테루 ,  에사키유키히코 ,  이시자카노부카즈 ,  코가노리히사 ,  타케시타카즈히로 ,  오오쿠마히로후미 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05B15/55 ,  B05C11/08 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to effectively clean a discharge port, even if the discharge port of a nozzle for discharging a coating liquid is fine and to form an uniform coating layer on a substrate by maintaining discharging pressure constantly. CONSTITUTION: A supply port for a cleaning liquid is provided open in a discharge path, communicating to a discharge port of a discharge nozzle. A supply path, communicating to the supply port, is provided in a body of the discharge nozzle. In addition, the supply path is formed inclined downwardly and cleans the discharge port, while making the supply rate of the cleaning liquid maintained.

Abstract translation: 目的：即使用于排出涂布液的喷嘴的排出口是细小的并且通过不断地保持排出压力在基板上形成均匀的涂层而设置成膜装置以有效地清洁排出口。 构成：用于清洗液的供给口在排出路径上开放，与排出喷嘴的排出口连通。 在排出喷嘴的主体中设置有与供给口连通的供给路径。 此外，供给路径形成为向下方倾斜并清洗排出口，同时保持清洗液的供给速度。

公开(公告)号：KR1020010062438A

公开(公告)日：2001-07-07

申请号：KR1020000076707

申请日：2000-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  코바야시신지 ,  에사키유키히코 ,  모리카와마사테루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C11/08 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to form a coating film of a prescribed thickness even on the outer edge of a substrate by adjusting the temperature of the coating liquid applied to the outer edge. CONSTITUTION: A heating and cooling member(64) having a ring-like shape corresponding to the shape of a wafer(W) is installed so as to surround a mounting table(61), on which the wafer(W) is mounted. This heating and cooling member(64) is heated or cooled to a prescribed temperature by a Peltier element, and is brought into contact with the wafer(W) from below to heat or cool the rim of the wafer(W). As a result, when the rim is heated, the temperature of the resist liquid applied afterward is increased, and the surface tension of the resist liquid is decreased. When it is cooled, the surface tension of the resist liquid is increased. Thereby the thickness of the resist film at the rim of the wafer(W) can be adjusted to form a prescribed resist film.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过调节施加到外边缘的涂布液的温度，即使在基板的外边缘上形成规定厚度的涂膜。 构成：安装有与晶片（W）的形状相对应的环状形状的加热冷却部件（64），围绕安装有晶片（W）的安装台（61）。 该加热和冷却构件（64）通过珀尔帖元件被加热或冷却至规定温度，并从下方与晶片（W）接触以加热或冷却晶片（W）的边缘。 结果，当边缘被加热时，随后施加的抗蚀剂液体的温度升高，并且抗蚀剂液体的表面张力降低。 当冷却时，抗蚀剂液体的表面张力增加。 由此，可以调节晶片边缘处的抗蚀剂膜的厚度（W），以形成规定的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：KR1020000071551A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1020000017502

申请日：2000-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  아키모토마사미 ,  미나미토모히데 ,  모리카와마사테루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03D5/00

Abstract: 본발명은막 형성방법및 막형성장치에관한것으로, 웨이퍼를회전시키면서웨이퍼에대하여레지스트액을토출하는레지스트액토출노즐을웨이퍼의지름방향을따라등속이동시키고, 이동하는동안에레지스트액토출노즐로부터토출되는레지스트액의양을점차로감속시키면, 웨이퍼에토출된레지스트액은나선상의궤적을그리면서웨이퍼표면에도포되고, 또한웨이퍼주변부와중앙부에대한단위면적당레지스트액의도포량을등량으로하는것이가능하기때문에, 기판상에공급되는처리액의낭비를없애고, 균일한처리액의막을기판상에형성시킬수 있는기술이제시된다.

公开(公告)号：KR101821594B1

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：KR1020120040110

申请日：2012-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠오카테츠오 ,  키타노타카히로

IPC: H01L21/027

Abstract: 온도의신속한변경과기판의균일한가열을가능하게하는기판가열장치를제공한다. 기판을가열하는발열체를포함하고, 휘는성질을가지는가열판과, 상기가열판에설치되고, 상기기판을지지하는기판지지부재와, 상기기판지지부재에의해지지되는상기기판과상기가열판사이의공간을감압하는감압부를구비하는기판가열장치에의해상기한과제가달성된다.

Abstract translation: 提供了一种能够快速改变温度并且能够均匀地加热基板的基板加热设备。 基板支撑部件，其设置在所述加热板上并支撑所述基板，所述基板和所述加热板之间的空间由所述基板支撑部件保持， 上述问题可以通过具有减压部的基板加热装置来实现。

公开(公告)号：KR101656333B1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：KR1020100077208

申请日：2010-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 심무라사토시 ,  후쿠오카테츠오 ,  키타노타카히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/4485

Abstract: 약액의기화효율이높아고농도의소수화가스를기판으로공급할수 있고, 또한약액의열화를억제할수 있는소수화처리장치를제공한다. 기화실내에표면이위치하는기화면형성부와, 이기화면형성부를가열하기위한기화면가열수단과, 상기기화면형성부의표면에소수화처리용의약액을공급하기위한약액공급포트와, 캐리어가스를상기기화실내로도입하기위한가스도입포트와, 소수화가스를취출하기위한취출포트와, 상기취출포트로부터공급된소수화가스를기판으로공급하는처리용기를구비하도록소수화처리장치를구성한다. 이구성에의해기판으로고농도의소수화가스를공급할수 있고, 처리를행하지않을때에는저장된약액이캐리어가스에접촉하는일이없으므로, 약액의열화가억제된다.

公开(公告)号：KR101108372B1

公开(公告)日：2012-01-30

申请号：KR1020060073074

申请日：2006-08-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  아키모토마사미 ,  니시키도슈우이치 ,  쿠마가이다이

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 현상처리장치 및 현상처리방법에 관한 것으로서 처리 용기내에 처리 용기부의 사이에 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고 또한 기판 수수부와 현상 처리부의 사이를 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고 있다. 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이로서 기판을 반송하는 반송로의 윗쪽에는 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과 기판에 기체를 분사하는 기체분사 노즐이 설치되고 현상 처리부에는 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐이 설치되고 있다. 본 발명에 의하면 기판의 외측면을 파지한 상태로 기판이 반송되므로 더러움이 퍼지는 경우가 없고 처리 용기내의 파티클의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.